A Samsung usou a Computex para apresentar o HPB, ou Heat Path Block, uma característica térmica para sua memória HBM5 de próxima geração

Esta é a resposta da Samsung a uma abordagem de resfriamento que a SK Hynix já revelou
Ambas as empresas estão tentando resolver o mesmo problema: calor
HBM empilha muitos díodos de DRAM verticalmente sobre um díodo base, e cada nova geração continua aumentando a capacidade e a largura de banda adicionando mais camadas e impulsionando taxas de dados mais altas. Isso também aumenta a densidade de energia
O calor gerado no meio de uma pilha alta luta para escapar porque precisa se mover para cima através de camadas de silício e vias de silício através antes de atingir a placa fria no topo. À medida que as pilhas ficam mais altas e rápidas, esse gargalo vertical se torna um limitador real. DRAM quente vaza mais, precisa de ciclos de atualização mais frequentes e pode começar a limitar
A solução da Samsung é adicionar um caminho de calor lateral em vez de depender apenas da rota vertical. HPB é uma estrutura térmica dedicada colocada ao lado da pilha de DRAM na mesma díoda base. Ela é construída na mesma altura da pilha e conectada por meio de uma interface PHY díoda-para-díoda. O calor excessivo da pilha se move lateralmente para o HPB e depois se dissipa para cima na placa fria de forma mais eficiente
A SK Hynix chegou a essa ideia primeiro com o iHBM, que incorpora elementos de resfriamento integrados ao pacote usando um processo chamado MR-RUF
As primeiras GPUs usando HBM5 não devem chegar até 2028–2029, então tanto a Samsung quanto a SK Hynix ainda têm anos para refinar esses designs com seus parceiros