DRAM alcança novo recorde histórico: o primeiro ETF de memória pura do mundo registra quase 150% de valorização no ano?

Em 2 de abril de 2026, o primeiro fundo negociado em bolsa (ETF) com tema de investimento em chips de memória puramente na memória — Roundhill Memory ETF (código de negociação: DRAM) — foi oficialmente listado na bolsa Cboe BZX. Após apenas dois meses de operação, o preço deste ETF subiu de aproximadamente US$ 28 no lançamento para mais de US$ 50, com um aumento acumulado de quase 150%, e o tamanho de ativos sob gestão ultrapassou US$ 10 bilhões, tornando-se um dos ETFs de crescimento mais rápido de todos os tempos. Em 2 de junho de 2026, o preço de negociação mais recente do DRAM foi de 68 USD, com uma alta de 7,6% nas últimas 24 horas.

Esse crescimento explosivo do ETF não é um evento isolado, mas sim uma projeção concentrada da onda de expansão da infraestrutura de IA no mercado de capitais. Ele rastreia chips de memória que estão na fase mais crítica de gargalo na expansão do poder de processamento de IA.

Por que um ETF que entrou em operação há apenas dois meses pode se tornar o produto de crescimento mais rápido do mundo?

Uma década em dois meses — Marco de crescimento do ETF DRAM

O DRAM percorreu, em cerca de dois meses, o caminho de crescimento de escala que normalmente levaria vários anos para fundos tradicionais de ETF. Sua explosão de crescimento não se deve apenas ao aumento do preço no mercado secundário — de US$ 28 na emissão para mais de US$ 50, um aumento bastante atraente —, mas também à velocidade de fluxo de capital que superou as expectativas.

De acordo com dados públicos, o DRAM atingiu US$ 1 bilhão em ativos sob gestão em apenas 10 dias após a listagem, e US$ 5 bilhões em 25 dias. Essa velocidade quebrou recordes existentes, tornando-se o produto que levou menos tempo para atingir US$ 10 bilhões em ativos sob gestão na história dos ETFs. Até o final de maio de 2026, o AUM do fundo estabilizou-se em cerca de US$ 10,3 bilhões, com fluxo de entrada de fundos semanalmente positivo.

Esse forte interesse de capital reflete o reconhecimento do mercado pela direção de investimento diferenciada de “tema de memória pura”. Em comparação com ETFs tradicionais de semicondutores como SOXX ou SMH, que cobrem amplamente chips lógicos, fabricação de dispositivos e outros segmentos, o DRAM limita seu escopo de investimento estritamente ao campo de chips de memória e armazenamento, oferecendo uma exposição mais concentrada e pura à infraestrutura de IA.

Por que os chips de memória se tornaram o gargalo mais crítico na expansão do poder de processamento de IA?

Para entender o desempenho do preço do DRAM, primeiro é necessário responder a uma questão central: qual é o papel dos chips de memória na estrutura de poder de processamento de IA?

A melhoria do poder de processamento de IA depende não apenas da evolução contínua de chips de computação como GPUs, mas também da eficiência na transferência de dados entre processadores e armazenamento. Memórias de alta largura de banda (HBM) são componentes essenciais para placas aceleradoras de IA, enquanto DRAM e NAND flash suportam o funcionamento de sistemas de servidores e o acesso a grandes volumes de dados.

Atualmente, a escassez de fornecimento de HBM, DRAM e NAND flash deve persistir até após 2026, impulsionada pela demanda explosiva de memória de alto desempenho para aplicações de IA, enquanto a oferta enfrenta múltiplos gargalos tecnológicos que dificultam a expansão rápida da produção. Especificamente, o aumento contínuo do tamanho do wafer na fabricação de HBM, que reduz o número de chips cortados por wafer, diminui a elasticidade de fornecimento; além disso, a introdução de processos de litografia ultravioleta extrema (EUV) na fabricação avançada de DRAM limita ainda mais a velocidade de aumento da capacidade.

O calcanhar de Aquiles do poder de processamento de IA — o cenário de escassez de chips de memória

Enquanto a oferta permanece limitada, a expansão da demanda continua acelerando. O JPMorgan revisou significativamente suas previsões de tamanho do mercado global de armazenamento para 2026-2028, estimando que atingirá US$ 1,7 trilhão em 2028. A Micron confirmou que toda sua capacidade de produção de HBM para 2026 já está reservada, fortalecendo sua capacidade de precificação. A SK Hynix detém cerca de 60% do mercado de HBM, tornando-se um suporte fundamental para o ecossistema de IA da Nvidia.

Quais são as características de composição de portfólio de ETFs com tema de memória pura: como é a concentração e a distribuição de risco?

A alta concentração do ETF DRAM não é uma falha de design, mas uma consequência inevitável de seu posicionamento temático. Atualmente, o ETF possui 20 componentes, com as três maiores posições — SK Hynix, Samsung Electronics e Micron Technology — representando quase 70% do peso total, sendo que a SK Hynix sozinha responde por aproximadamente 27% a 28% do fundo.

Três gigantes e distribuição geográfica — Visão geral da concentração de portfólio do ETF DRAM

A soma do peso de empresas sul-coreanas no ETF é de aproximadamente 52% a 55% (principalmente SK Hynix e Samsung Electronics), enquanto empresas americanas representam cerca de 32% a 35% (principalmente Micron Technology). O restante está distribuído em Taiwan (cerca de 7% a 8%), Japão (cerca de 3% a 4%) e outras regiões. Essa concentração geográfica reflete a distribuição global da capacidade de produção de chips de memória: empresas sul-coreanas dominam os segmentos de HBM e DRAM, a Micron nos setores de DRAM e NAND, enquanto Taiwan conta com empresas como Nanya Technology e Winbond como componentes complementares.

Como a evolução da demanda de memória, de HBM para DDR5, está passando por uma transformação estrutural?

Nos últimos dois anos, o foco do mercado de memória esteve principalmente na HBM, pois ela é o componente direto para chips de treinamento de IA. No entanto, à medida que as aplicações de IA evoluem do treinamento para inferência e a era de agentes inteligentes, a estrutura de demanda por memória está passando por mudanças profundas.

De HBM para DDR5 — A evolução da estrutura de demanda de memória para IA

O UBS, em seu relatório mais recente, aponta que a estrutura de demanda fundamental da indústria de IA já começou a mudar. Em 2023, a demanda por grandes modelos (large models) vinha principalmente do treinamento; de 2024 a 2025, o foco se desloca gradualmente para inferência; e a partir de 2026, o setor está acelerando a entrada na era de agentes inteligentes — IA que não apenas responde perguntas, mas também planeja, executa tarefas e utiliza ferramentas, o que implica um crescimento exponencial no consumo de recursos de armazenamento.

Dentro desse novo quadro, o DDR5 está ganhando destaque. Agentes inteligentes requerem grande participação de CPUs na coordenação de tarefas, gerenciamento de estado e chamadas de ferramentas, sendo o DDR5 o armazenamento mais fundamental para CPUs. O UBS acredita que, nos próximos anos, o maior aumento de demanda virá do DDR5, e não do HBM. O JPMorgan também apoia essa previsão, elevando sua estimativa de demanda de memória de servidores para 2026-2028 em 5% a 22%, com mais de 60% dessa expansão vindo de IA.

Isso indica que a estrutura de demanda por memória coberta pelo ETF de DRAM está evoluindo de uma “categoria única” para uma “multiplicidade de pontos de crescimento” — com HBM mantendo forte demanda, DDR5 acelerando sua participação, e SSDs empresariais também expandindo rapidamente sob a demanda de inferência de IA. O JPMorgan projeta que o mercado de SSDs empresariais ultrapassará 500 exabytes em 2026, representando 43% do total de demanda por NAND.

Como o desempenho das três maiores fabricantes de memória sustenta o valor do portfólio do ETF?

A razão pela qual a composição do portfólio de DRAM continua atraindo atenção do mercado é que o crescimento de receita das principais empresas de componentes já se afastou do padrão de “oscilações cíclicas” e entrou em uma trajetória de crescimento impulsionada por demandas estruturais.

Visão geral do desempenho das três maiores fabricantes de memória

Os últimos resultados financeiros da SK Hynix mostram um aumento de 198% na receita ano a ano, e um aumento de 165% no lucro líquido, além de uma orientação de desempenho futuro revisada para cima. A Micron viu sua receita trimestral saltar de cerca de US$ 8 bilhões no mesmo período do ano passado para mais de US$ 23 bilhões. A Samsung Electronics também, graças à sua vantagem de capacidade em HBM e DDR5, viu seu preço das ações subir mais de 160% no ano.

É importante notar que o valor de mercado dessas três empresas ultrapassou a marca de US$ 1 trilhão, tornando-se os principais alvos de infraestrutura de IA no mercado global de capitais. Dados da Bloomberg indicam que o lucro líquido da Micron deve saltar de US$ 8,5 bilhões em 2025 para US$ 66,8 bilhões em 2026, podendo atingir cerca de US$ 120 bilhões em 2027. Se essas previsões se concretizarem, o crescimento de lucros do portfólio de DRAM continuará bastante visível.

Por outro lado, do ponto de vista de avaliação, as expectativas otimistas do mercado já estão bastante incorporadas. Atualmente, o índice de preço-lucro (P/L) futuro da Micron e da SanDisk é de aproximadamente 10 vezes cada, baseando-se em lucros que continuam a crescer. Dados históricos mostram que, no pico do ciclo, o P/L da Micron chegou a 46 vezes, e o da SanDisk a 58 vezes, indicando que a expansão atual do valuation reflete mais expectativas de crescimento de lucros do que uma bolha de avaliação.

Como verificar a continuidade do ciclo superlativo? Quais riscos devem ser considerados?

Qualquer ativo que apresente crescimento explosivo de curto prazo precisa responder a uma questão fundamental: esse crescimento pode ser sustentado? Para o DRAM, três fatores determinarão sua trajetória de médio prazo:

Sustentabilidade dos investimentos de capital. As quatro maiores empresas de nuvem e plataformas — Amazon, Meta, Alphabet e Microsoft — preveem que seus gastos de capital em infraestrutura de IA alcançarão até US$ 725 bilhões em 2026. Algumas dessas empresas estão aumentando suas dívidas para sustentar esse ritmo de investimento; se o ritmo de crescimento dos investimentos diminuir posteriormente, as perspectivas de lucro e os preços das ações dessas empresas podem ser impactados diretamente.

Risco de ponto de inflexão na ciclo de preços de memória. Embora os preços contratuais de DRAM e NAND ainda estejam em alta, a forte característica cíclica do setor de memória é bem conhecida. A TrendForce prevê que, no primeiro trimestre de 2026, os preços contratuais tradicionais de DRAM podem subir entre 55% e 60% em relação ao trimestre anterior, refletindo uma sensibilidade elevada às condições de oferta e demanda. Se o crescimento da demanda desacelerar ou a capacidade de oferta começar a ser liberada, uma queda de preços em patamares elevados pode comprimir significativamente os lucros das empresas de memória altamente dependentes de preços.

Efeito de concentração de posições. Com aproximadamente 70% do peso do ETF concentrado em três empresas, qualquer notícia negativa relacionada a essas companhias afetará diretamente o valor líquido do fundo. Além disso, a alta dependência do mercado sul-coreano expõe o ETF a riscos cambiais e de políticas regionais.

O JPMorgan admite em seu relatório que as ações de armazenamento ainda estão sendo negociadas com desconto em relação aos lucros, devido às dúvidas do mercado sobre a capacidade de manter a participação de valor de armazenamento. No entanto, a instituição acredita que a IA trouxe uma nova estrutura de demanda, tornando obsoleta o quadro de avaliação cíclica tradicional. Essencialmente, trata-se de uma questão que requer tempo para ser testada: entre o “ponto de inflexão estrutural” e o “pico cíclico”, o mecanismo de julgamento do mercado ainda não se consolidou.

Resumo

A alta histórica do DRAM é, na essência, uma projeção concentrada da onda de investimento em infraestrutura de IA no mercado de capitais. O ETF, com sua diferenciação por foco em “memória pura” e o desempenho das empresas componentes, conseguiu expandir rapidamente seu tamanho em um curto período. Por trás disso está a lógica estrutural de que chips de memória representam o gargalo central do poder de processamento de IA — com HBM em alta demanda e limitada, DDR5 com crescimento acelerado, e SSDs empresariais em expansão contínua, formando um sistema de demanda multifacetado.

No entanto, riscos de concentração, pontos de inflexão na precificação e sustentabilidade do valuation ainda existem. O grau de otimismo embutido nos preços atuais determinará o desempenho futuro do ETF no mercado. Para os participantes do mercado, compreender a lógica estrutural do DRAM e suas restrições cíclicas é fundamental para avaliar o valor dessa ferramenta de investimento emergente.

Perguntas frequentes

O que é o ETF DRAM e qual é seu tema de investimento?

O DRAM é um ETF de gestão ativa, lançado pela Roundhill Investments, sendo o primeiro do mundo com tema exclusivo de memória. Foi listado na bolsa Cboe BZX nos EUA em 2 de abril de 2026. O fundo investe pelo menos 80% de seu patrimônio líquido em empresas de chips de memória e armazenamento, com foco em HBM, DRAM, NAND flash, diferenciando-se de ETFs tradicionais de semicondutores com cobertura mais ampla.

Quais são as principais posições do ETF DRAM e qual é o nível de concentração?

Atualmente, o ETF possui cerca de 20 componentes, com as três maiores posições sendo SK Hynix (~28%), Samsung Electronics (~21%) e Micron Technology (~26%, incluindo ações e derivativos), respondendo juntas por aproximadamente 70% a 75% do fundo.

Qual foi o principal fator que impulsionou o aumento de quase 150% no valor do DRAM?

O fator central é a demanda estrutural de memória impulsionada pela expansão do poder de processamento de IA. A HBM, como componente-chave para placas aceleradoras de IA, está em alta demanda e com capacidade de expansão limitada; ao mesmo tempo, a demanda por DDR5 e SSDs empresariais está crescendo rapidamente, elevando as expectativas de lucro e avaliação das empresas de memória.

Quais riscos devem ser considerados ao investir no ETF DRAM?

Principais riscos incluem: (1) alta concentração em três empresas, com impacto direto de notícias negativas; (2) forte ciclicidade do setor de memória, com possíveis quedas de preços em pontos de inflexão; (3) desaceleração nos investimentos de capital de grandes empresas de tecnologia, afetando a demanda de memória; (4) dependência do mercado sul-coreano, com riscos cambiais e regulatórios.

Qual é a taxa de despesas e o método de gestão do ETF?

O DRAM é um ETF de gestão ativa, com taxa de despesa de 0,65%. A equipe de gestão realiza rebalanceamentos trimestrais, ajustando as posições com base na participação de mercado e receita das empresas no setor de memória e armazenamento, além de limitar o peso de qualquer empresa individual a 25%.