Superciclo de Memória de IA 2026: As três principais curvas de crescimento e oportunidades de investimento estrutural da Samsung, SK Hynix e SanDisk

Quando os centros de dados de IA “consomem” toda a memória do mundo, isso não é uma metáfora. Em 2026, os centros de dados de IA globais estão devorando a capacidade de DRAM, HBM e NAND Flash a uma velocidade sem precedentes. Os nove maiores provedores de serviços em nuvem (CSP) do mundo tiveram seus investimentos totais elevados para cerca de 830 bilhões de dólares, com uma taxa de crescimento anual de até 79%. Essa enxurrada de capital foi a primeira a inundar a indústria de memória, que fica na base da infraestrutura de computação.

No primeiro trimestre de 2026, a receita global de DRAM cresceu 80% em relação ao trimestre anterior, atingindo um recorde de 97 bilhões de dólares. O mercado total de DRAM e NAND Flash atingiu mais de 137,14 bilhões de dólares, com um crescimento de 81,6% em relação ao trimestre anterior. Ao mesmo tempo, a demanda total por HBM (memória de alta largura de banda) deve atingir 32,279 bilhões de Gb ao longo do ano, um aumento de cerca de 150% em relação ao ano anterior. A capacidade dos fornecedores foi totalmente bloqueada — SK Hynix e Micron tiveram seus estoques de HBM em 2026 completamente vendidos.

Mas, sob o frenesi deste ciclo superlativo, há uma competição e narrativa de investimento bastante distintas entre as três curvas de crescimento. Os gigantes de armazenamento Samsung Electronics (005930.KS), SK Hynix (000660.KS) e SanDisk (SNDK.US) estão, ao longo das principais trilhas de DRAM, HBM e NAND, protagonizando uma disputa multifacetada de domínio na cadeia de produção, profundidade tecnológica e diferenciação de modelos de negócio.

Estrutura de mercado: um mapa de poder definido pela participação de mercado de DRAM

No primeiro trimestre de 2026, o cenário competitivo do mercado global de DRAM se concentrou ainda mais nas principais empresas. Segundo dados da Counterpoint Research, a participação de mercado da Samsung no primeiro trimestre foi de 38%, liderando; a da SK Hynix foi de 29%; e a da Micron foi de 22%. Segundo a CFM, a receita de vendas de DRAM da Samsung no primeiro trimestre atingiu 38,214 bilhões de dólares, com uma fatia de mercado de 40,5%; a da SK Hynix foi de 27,925 bilhões de dólares, com 29,6%; e a da Micron foi de 18,768 bilhões de dólares, com 19,9%. Apesar de metodologias diferentes, o panorama geral é consistente — as três principais controlam cerca de 90% da capacidade global de DRAM. Isso significa que qualquer perturbação na oferta de uma delas amplificará o impacto na cadeia de suprimentos de chips de IA global.

Na área de NAND Flash, o cenário é relativamente disperso. O mercado global de NAND Flash atingiu 42,815 bilhões de dólares no primeiro trimestre, com crescimento de 81,8% em relação ao trimestre anterior. A SanDisk, que se separou da Western Digital, tornou-se uma entidade focada exclusivamente em NAND, e seu negócio de data center está se tornando uma variável-chave de crescimento.

Embora a supremacia da Samsung em volume de DRAM seja indiscutível, liderar em quantidade não equivale a vantagem estrutural. A posição de liderança da SK Hynix na HBM, uma das principais trilhas de IA, faz com que sua receita de DRAM por dólar seja significativamente mais “tecnológica” do que a da Samsung. Isso explica por que o mercado atribui avaliações bastante diferentes às duas empresas.

Tabela comparativa das três gigantes em dimensões

| Dimensão | Samsung Electronics (005930.KS) | SK Hynix (000660.KS) | SanDisk (SNDK.US) | | --- | --- | --- | --- | | Participação de mercado de DRAM (Q1 2026) | 38% (Counterpoint) / 40,5% (CFM) | 29% / 29,6% | — | | Participação de mercado de HBM (2026E) | ~28% | ~50% | — (não participante de mercado HBM) | | Receita do último trimestre | 133,9 trilhões de won (Q1 2026) | 52,58 trilhões de won (Q1 2026) | US$ 5,95 bilhões (FY Q3 2026) | | Crescimento de receita YoY | +69% | +198% | +251% | | Margem operacional | 42,8% (grupo) | 72% | 78,4% (margem bruta Non-GAAP) | | Motor de crescimento principal | Aumento de preço e volume de DRAM + HBM4 para acompanhar | Fornecimento exclusivo de HBM + explosão de lucros | Data center NAND de alta gama + contratos de longo prazo | | Lucro operacional do último trimestre | 57,2 trilhões de won (YoY +756%) | 37,61 trilhões de won (YoY +405%) | Lucro líquido de cerca de US$ 1,43 bilhão (não GAAP) | | Progresso do HBM4 | Já entregou para Nvidia, processo 1c DRAM; taxa de yield abaixo de 60% | Lançamento em H2 2026, empilhamento de 16 camadas | — (não participante de mercado HBM) | | Riscos principais | Endividamento de negócios finais, disputas internas por bônus | Alta concentração de clientes de HBM, pressão por expansão de capacidade | Sustentabilidade de alta margem, risco de preços flutuantes |

Fontes: Counterpoint Research, Mercado de Flash CFM, TrendForce, relatórios das empresas; alguns dados previstos (marcados com “E”)

As três curvas de crescimento: caminhos distintos

Curva 1: Samsung — o “elefante” que domina toda a cadeia

No primeiro trimestre de 2026, a Samsung apresentou resultados que ficarão na história dos semicondutores: receita consolidada de 133,9 trilhões de won, aumento de 69%; lucro operacional de 57,2 trilhões de won, aumento de 756%.

Analisando as motivações: o setor de chips (DS) contribuiu com 53,7 trilhões de won, representando 93,9% do lucro operacional total do grupo. A receita de armazenamento atingiu 81,7 trilhões de won, recorde histórico.

A lógica de crescimento da Samsung é “full-stack”: ela não só é a maior fornecedora de DRAM e NAND, como também possui capacidade de fabricação própria de wafers. No HBM4, é atualmente a única fornecedora que realiza toda a cadeia — fabricação de DRAM, produção de chips lógicos e empacotamento 3D em suas próprias fábricas. Prevê-se que, em 2026, a divisão de semicondutores da Samsung atinja receita de 223 trilhões de won (crescimento de 70%) e lucro operacional de 84 trilhões de won (crescimento de 259%).

Por outro lado, o “elefante” também tem seu peso: os negócios finais (DX) — celulares, TVs — estão fracos devido à alta de preços de chips de armazenamento, evidenciando uma disparidade cada vez maior entre chips e produtos finais. Além disso, há uma profunda tensão trabalhista: o departamento de semicondutores paga bônus de até 6 bilhões de won, enquanto os funcionários do setor de experiência de equipamentos recebem cerca de 600 mil won em ações — a maior disparidade desde a fundação da Samsung. Apesar de um acordo salarial temporário aprovado por 73,7% dos votos, evitando uma greve de 18 dias, os conflitos internos permanecem.

Curva 2: SK Hynix — o líder de HBM com lucros explosivos

Se Samsung é “o rei da escala”, SK Hynix é “o rei da eficiência”. No primeiro trimestre de 2026, a SK Hynix atingiu receita de 52,58 trilhões de won, aumento de 198%, ultrapassando pela primeira vez 50 trilhões; lucro operacional de 37,61 trilhões de won, aumento de 405%, com margem de 72%; lucro líquido de 40,35 trilhões de won, aumento de 398%.

O mais impressionante é a qualidade de seus lucros: embora a HBM represente apenas cerca de 14% do volume total de DRAM, sua contribuição de receita ultrapassa 40% do total de DRAM. A vantagem de precificação da HBM permite margens muito superiores às do DRAM tradicional. Em 2025, a SK Hynix já tinha mais de 50% de participação na HBM, e em 2026 deve manter cerca de 50%, consolidando sua liderança.

A narrativa de crescimento da SK Hynix também está fortemente ligada à Nvidia. Como principal fornecedora de HBM para GPUs da Nvidia, ela mantém vantagem tecnológica com técnicas avançadas de empacotamento MR-MUF (moldagem por fluxo de retorno em lote) e capacidade de empilhamento de 16 camadas, além de uma largura de banda total de 48GB HBM4 que já ultrapassou 2TB/s.

O UBS elevou sua previsão de preço-alvo para SK Hynix para 170 mil won em abril, e prevê um lucro operacional de até 286 trilhões de won em 2026 (cerca de US$ 1,931 trilhão), superando as expectativas do mercado em 57%. Analistas chamam esse ciclo de armazenamento de “uma superciclo de trinta anos”.

Por outro lado, há riscos: a alta dependência da Nvidia expõe a SK Hynix ao risco de concentração de clientes. Se a Nvidia tiver uma mudança no ritmo de entregas por problemas na cadeia ou na tecnologia, a capacidade de absorção de capacidade da SK Hynix será pressionada. Além disso, a empresa planeja reduzir de 20% a 30% suas entregas de HBM4 para a Nvidia neste ano, priorizando o fornecimento de HBM3E para a plataforma Blackwell — uma indicação da incerteza na transição entre gerações.

Curva 3: SanDisk — a história de armazenamento de IA mais subestimada

SanDisk é a mais “reversível” das três curvas de crescimento. Após sua separação da Western Digital em fevereiro de 2025, ela se tornou uma entidade focada exclusivamente em NAND Flash, eliminando o desconto de “empresa de HDDs” e se tornando uma aposta pura em NAND.

Os dados mais recentes são surpreendentes: no terceiro trimestre fiscal de 2026, a SanDisk atingiu receita de US$ 5,95 bilhões, crescimento de 251%; lucro por ação ajustado de US$ 23,41; margem bruta de 78,4%.

A lógica de crescimento da SanDisk baseia-se em dois pilares principais. Primeiro, a demanda por SSDs empresariais de alta capacidade para data centers disparou, com crescimento de cerca de 645% na receita de data centers, tornando-se a principal fonte de lucro. Segundo, ela está implementando um “novo modelo de negócio” — firmando contratos de 3 a 5 anos com grandes clientes, com obrigações de pagamento remanescente (RPO) de cerca de US$ 42 bilhões, garantindo receitas futuras.

Por outro lado, há uma grande divergência de mercado: o crescimento da receita é quase inteiramente impulsionado por precificação e otimização de portfólio, não por aumento de volume de entregas — o volume de bits entregues permaneceu estável ou até caiu. Alguns analistas alertam que as cláusulas de preços flutuantes no “novo modelo de negócio” podem não proteger as receitas em ciclos de baixa, e que a liberação de novas capacidades da Samsung e SK Hynix pode pressionar a margem de 78% de hoje para níveis mais baixos.

Fatos versus opiniões: a margem de 78% da SanDisk é um dado factual, mas sua sustentabilidade é altamente incerta. É preciso distinguir rigorosamente os dois.

Motor estrutural: o equilíbrio entre investimento em centros de dados de IA e demanda por memória

Demanda

Em 2026, os investimentos globais em infraestrutura de IA atingiram níveis sem precedentes. Segundo a TrendForce, os nove maiores CSP elevaram seus investimentos totais para cerca de US$ 830 bilhões, com uma taxa de crescimento anual de 79%, de 61%. Microsoft elevou sua previsão de investimento para US$ 190 bilhões, com aumento de cerca de 130%; Google revisou para entre US$ 180 bilhões e US$ 190 bilhões; Meta aumentou sua previsão para entre US$ 125 bilhões e US$ 145 bilhões, com crescimento de cerca de 85%; AWS espera gastar mais de US$ 230 bilhões neste ano, com aumento superior a 50%.

Esse fluxo de capital se traduz diretamente em demanda por memória. A Morgan Stanley estima que, em 2026, a demanda total de HBM atingirá 32,279 bilhões de Gb, um aumento de aproximadamente 150%, com a Nvidia respondendo por cerca de 54%. A Gartner prevê que os preços anuais de DRAM e NAND Flash subirão 125% e 234%, respectivamente.

Oferta

A escassez de oferta está além das expectativas. A análise mais recente do UBS indica que a escassez de DRAM deve durar pelo menos até o segundo trimestre de 2028, um adiamento em relação à previsão anterior de Q4 2027; a escassez de NAND deve persistir até o quarto trimestre de 2027. A Micron afirma que, devido ao crescimento da demanda por memórias de alto desempenho, a oferta de HBM, DRAM e NAND continuará apertada além de 2026.

Previsão de investimento em centros de dados de IA vs demanda por memória (conceito de gráfico de dois eixos)

| Indicador | 2024 (base) | 2025 | 2026 (previsão) | Variação YoY | | --- | --- | --- | --- | --- | | Investimento total dos nove maiores CSP (US$ bilhões) | ~3.000 | ~4.600 | ~8.300 | +79% | | Mercado global de DRAM (US$ bilhões, anualizado Q1) | ~272 | ~269 | ~970 | +260% (Q1 YoY) | | Mercado global de NAND (US$ bilhões, Q1) | — | — | ~428 | +81,8% (Q1) | | Demanda total de HBM (bilhões de Gb) | ~41 | ~129 | ~323 | +150% | | Aumento de preço do DRAM | — | Recuperação em baixa | +125% (ano todo) | — | | Aumento de preço do NAND | — | — | +234% (ano todo) | — |

Fontes: TrendForce, Counterpoint Research, Gartner, Morgan Stanley, Mercado de Flash CFM

As causas estruturais do desequilíbrio entre oferta e demanda são três. Primeiro, a fabricação de chips HBM é extremamente complexa, consumindo de 2 a 3 vezes mais wafers do que DRAM comum, levando a uma ocupação de capacidade que restringe a oferta de DRAM geral. Segundo, os fabricantes de armazenamento foram conservadores em seus investimentos durante o ciclo de baixa de 2022, resultando em um atraso na expansão de capacidade. Terceiro, a migração para camadas mais altas de empilhamento de NAND enfrenta pressões de capital e processos tecnológicos, dificultando a rápida expansão. Essas restrições estruturais significam que, mesmo com desaceleração na demanda, a lacuna de oferta será difícil de fechar no curto prazo.

No entanto, um sinal inegável é que, em março de 2026, o crescimento YoY de embarques de circuitos integrados foi de apenas 9,9%, enquanto a receita cresceu 99,5%. O número de chips vendidos aumentou apenas 10%, mas o setor lucrou o dobro. Isso indica que a prosperidade atual do setor de memória é impulsionada principalmente por aumentos de preço, e não por crescimento real de volume. Assim que a lacuna de oferta começar a diminuir, a sustentação dos preços atuais será desafiada, podendo levar a uma forte volatilidade na receita.

Competição HBM4: a disputa pelo próximo ciclo tecnológico

O HBM4 é atualmente o trilho mais competitivo na indústria de memória. A seguir, o panorama das três principais fabricantes.

SK Hynix: o defensor da vantagem na transição geracional

A SK Hynix, com forte parceria com a Nvidia na era HBM3E, mantém uma vantagem clara na alocação de bits de HBM4. Segundo a TrendForce, a participação de mercado da SK Hynix em HBM deve permanecer em torno de 50% em 2026, consolidando sua liderança. Tecnologicamente, ela já demonstrou amostras de HBM4 com 16 camadas e capacidade de 48GB, usando empacotamento avançado MR-MUF e colaborando com a TSMC na fabricação de chips lógicos de 12 nm, reforçando sua posição em encapsulamento de alta ponta.

Samsung: o perseguidor com integração de toda a cadeia

A Samsung adota uma estratégia de “ganhar tempo com profundidade tecnológica”. Ela usa um processo de 1c DRAM mais avançado (a SK Hynix e a Micron ainda usam 1b), sendo a única a realizar toda a cadeia — fabricação de DRAM, chips lógicos e empacotamento 3D. A previsão é que sua participação de mercado em HBM seja de cerca de 28% em 2026.

No entanto, a taxa de yield do HBM4 da Samsung ainda é inferior a 60%. Melhorar essa taxa será crucial para acelerar sua recuperação.

Micron: diferenciação por eficiência energética

A Micron aposta na eficiência energética como diferencial no HBM4. Sua versão de 36GB de HBM4, com 12 camadas, atinge uma largura de banda de mais de 2,8TB/s, com taxa de dados superior a 11Gb/s, usando chips CMOS próprios para otimizar consumo. A previsão do TrendForce é que a participação da Micron em HBM seja de cerca de 22% em 2026, com a proporção de HBM na produção total de memória subindo de 20% para 28%.

Panorama de riscos: o outro lado do ciclo superlativo

Risco de rigidez de oferta

A fabricação de wafers de HBM consome de 2 a 3 vezes mais que a de DRAM comum, e a mudança de capacidade para HBM está restringindo a oferta de DRAM geral. A Nikkei informa que, mesmo até o final de 2027, os fornecedores poderão atender apenas cerca de 60% da demanda global de DRAM. Para os fabricantes finais, isso significa custos contínuos; para os fornecedores de memória, o poder de precificação permanece forte.

Risco de “reação” do mercado de eletrônicos de consumo

O aumento de preços de chips de armazenamento está elevando os custos de PCs e smartphones. A Gartner estima que, em 2026, as vendas globais de PCs cairão 10,4%, e as de smartphones, 8,4%. Uma redução na demanda de consumo pode se refletir na oferta de componentes, sendo um dos principais fatores a observar em 2027.

Discrepância entre volume de entregas e receita

O sinal mais preocupante do ciclo atual é a “discrepância volume-preço”: crescimento de entregas abaixo de 10%, enquanto a receita cresce quase 100%. Se a oferta se aliviar, a reversão dos preços pode causar oscilações acentuadas na receita.

Incerteza na validação e produção em massa do HBM4

Devido a atrasos na validação do HBM4, o KeyBanc revisou para baixo a previsão de produção do GPU Nvidia Rubin em 2026, de 2 milhões para cerca de 1,5 milhão de unidades. O progresso na validação do HBM4 impacta diretamente a entrega de GPUs, podendo perturbar toda a cadeia de chips de IA.

Risco estrutural na distribuição de bônus interna da Samsung

A disparidade de bônus entre o departamento de semicondutores e o de não semicondutores da Samsung — até 100 vezes maior — não só gerou conflitos trabalhistas de curto prazo, como pode afetar a estabilidade de talentos em áreas não relacionadas a armazenamento a médio e longo prazo. O encapsulamento e testes, núcleo do HBM, podem ser impactados por atrasos na produção, afetando a capacidade do HBM4.

Hierarquia de investimento: quem ganha, quem corre atrás, quem aposta?

Para investidores focados em ações de chips de memória de IA em 2026, as três gigantes apresentam narrativas de investimento bastante distintas.

Samsung: a lógica de recuperação de valor de um líder defensivo

Com receita de 133,9 trilhões de won no primeiro trimestre, a Samsung mantém sua posição de liderança no setor de armazenamento. Sua velocidade de avanço em HBM4, melhora na taxa de yield do processo 1c de DRAM e sua estratégia full-stack na NAND formam uma base sólida. Sua narrativa de investimento é mais próxima de “um líder de setor subvalorizado”: enquanto o mercado foca na vantagem de HBM da SK Hynix, a Samsung pode estar subavaliada por sua dominância em DRAM e NAND, além de sua capacidade de auto-fabricação e avanço em HBM4. Contudo, o desempenho fraco de seus negócios finais e conflitos internos representam riscos de downside que precisam ser monitorados.

SK Hynix: o líder de alta demanda com prêmio de crescimento

A SK Hynix é o principal ativo de investimento na fase de alta do ciclo de armazenamento. Sua margem operacional de 72% e participação de mais de 40% na receita de HBM, além de uma participação de cerca de 50% na HBM, justificam uma avaliação premium. A UBS elevou seu preço-alvo para 170 mil won; a Huatai Securities, para 1.949.585 won. Sua lógica é de “prêmio de crescimento”: enquanto a demanda por HBM persistir, sua avaliação se sustenta. Mas a alta concentração de clientes e a incerteza na transição de gerações representam riscos importantes.

SanDisk: uma oportunidade de alto risco e alta recompensa

SanDisk é a mais controversa das três. Sua margem de 78,4% e crescimento de 251% são impressionantes, mas a sustentabilidade do “novo modelo de negócio” e a vulnerabilidade a preços flutuantes levantam dúvidas. Para alguns, ela representa uma aposta de “alto risco, alta recompensa”: se a narrativa de “desciclo” do NAND se confirmar, há potencial de valorização; se não, a queda pode ser severa.

Conclusão: três curvas, três futuros

O superciclo de memória de IA de 2026 não é uma história homogênea. Samsung, SK Hynix e SanDisk representam, respectivamente, três paradigmas de crescimento: um gigante multifuncional baseado em escala e tecnologia, um especialista de alta barreira em nichos de alta tecnologia, e uma força emergente com inovação de modelo de negócio.

No curto prazo, a escassez de oferta continuará a impulsionar resultados. Mas, a médio prazo, o destino de cada uma dependerá de três questões centrais: a produção em massa do HBM4 suportará as expectativas de entregas da Nvidia Rubin? A narrativa de alta margem do NAND resistirá à liberação de capacidade? E a “elefante” da Samsung conseguirá equilibrar seus negócios finais e de semicondutores?

Na transformação estrutural do setor de memória, a questão não é mais “se virá o ciclo”, mas “quem estará na mesa após o ciclo”.