Observação de ontem à noite sobre o Smart LS8 e o stand da Apple

Na primavera de 2026, as conversas nas salas de exposições de automóveis estão a passar por mudanças subtis. No evento de lançamento do novo modelo LS8 da SAIC Zhiji, os vendedores já não destacam apenas a potência do motor ou a calibração do chassi, mas colocam os holofotes num parâmetro discreto - “este carro vem equipado com 64GB de memória RAM, usando chips originais da Samsung/SK Hynix”. Esta ênfase em detalhe não é acidental, reflete que a indústria automóvel está a passar por uma profunda mudança de uma “definição mecânica” para uma “definição de capacidade de computação”.
Entretanto, à frente do balcão da Apple, os consumidores hesitam diante das opções de armazenamento do iPhone e do MacBook: de 512GB para 1TB, o preço sobe instantaneamente vários milhares de yuans, enquanto a versão de 2TB apresenta um prémio impressionante. Esta “ansiedade de armazenamento” no setor da eletrónica de consumo está agora a ser transferida sem alterações para os automóveis inteligentes.
A lógica subjacente é comum: tanto os telemóveis como os automóveis já não são meras ferramentas de comunicação ou de transporte, mas sim terminais de computação inteligente móveis. Quando a condução autónoma de nível L4 precisa processar em tempo real volumes massivos de dados de pontos de laser, e quando modelos de IA precisam realizar tarefas complexas de inferência localmente, os chips de armazenamento - que outrora eram considerados “secundários” - tornaram-se a “garganta” que determina o limite da experiência inteligente.
Para entender esta transformação, é primeiro necessário esclarecer dois conceitos centrais: memória RAM (DRAM) e capacidade de armazenamento (NAND Flash). Se comparássemos um automóvel inteligente a uma pessoa, a memória RAM seria a “memória de curto prazo”, que determina quantas tarefas o cérebro pode processar simultaneamente sem travar; enquanto a capacidade de armazenamento seria a “memória de longo prazo”, que determina quantos mapas, músicas e dados de condução podem ser lembrados.
No campo da memória RAM, a competição tecnológica já entrou em estado de ebulição. A Samsung e a SK Hynix, como os dois gigantes globais de armazenamento, já demonstraram em 2026 chips de memória LPDDR6 baseados em tecnologia de 1c nanômetros. A capacidade por chip já ultrapassou os 16GB, e a taxa de transferência atingiu impressionantes 14.4Gbps. Isso significa que, os automóveis inteligentes equipados com tais chips têm uma velocidade de transmissão de dados capaz de suportar modelagem de ambientes 3D em tempo real e decisões complexas de IA. Em comparação, a LPDDR5X atual, embora também consiga alcançar uma taxa de 10.7Gbps, face ao futuro fluxo massivo de dados de vários GB por segundo da condução autónoma L4, as vantagens de alta largura de banda e baixo consumo da LPDDR6 tornar-se-ão indispensáveis.
E em termos de capacidade de armazenamento, a diferença também é evidente. O setor da eletrónica de consumo já entrou na era dos 2TB, mas no mercado automóvel, devido a exigências rigorosas de fiabilidade e longevidade, a velocidade de adoção de armazenamento de grande capacidade é relativamente lenta. Atualmente, a Samsung e a SK Hynix já conseguem produzir em massa produtos UFS 4.0 e SSD de grau automóvel de 1TB e até 2TB, suficientes para lidar com a quantidade massiva de dados de logs gerados pela condução inteligente avançada. No entanto, para a maioria dos modelos, 256GB a 512GB ainda é a configuração principal. Esta disparidade de capacidade determina diretamente se os veículos podem suportar futuras atualizações OTA e um ecossistema de entretenimento a bordo mais rico.
Voltando o olhar para o mercado interno, a indústria de armazenamento da China fez progressos notáveis nos últimos anos, mas no campo de alto nível para aplicações automóveis, ainda existe um “gap geracional” com os gigantes internacionais.
No campo da memória RAM (DRAM), fabricantes nacionais como a Changxin Memory (CXMT) e a Jiangbolong estão a esforçar-se para alcançar. Atualmente, a memória LPDDR4X de grau automóvel nacional já alcançou a produção em massa de 8GB, capaz de satisfazer as necessidades básicas da maioria dos cockpits inteligentes. No entanto, face à LPDDR6 de 16GB já desenvolvida pela Samsung e SK Hynix, os chips nacionais ainda têm uma diferença técnica de cerca de duas gerações em termos de capacidade por chip e taxa de transferência. Esta discrepância não se reflete apenas na tecnologia de processo (os gigantes internacionais já estão em 1c nanômetros, enquanto os nacionais ainda estão em 1x/1y nanômetros), mas também se manifesta na controlo de rendimento e otimização do consumo.
No que diz respeito à capacidade de armazenamento (NAND Flash), o desempenho nacional é ainda mais impressionante. Empresas como a Jiangbolong e a Biwei Storage já têm a capacidade de competir com os grandes internacionais nos campos de eMMC e UFS. Atualmente, os produtos UFS 3.1/4.1 de 512GB fabricados na China já foram validados por várias montadoras e começaram a ser fornecidos em pequenas quantidades. No campo de SSD de grau automóvel, a Biwei Storage lançou um produto de 1TB, diretamente em concorrência com as soluções de alta gama da Samsung. Isso demonstra que, na questão de “armazenar dados”, os chips nacionais já possuem uma forte capacidade de substituição, podendo efetivamente aliviar o risco de “estrangulamento” da cadeia de suprimentos.
No entanto, no campo específico de armazenamento de código (NOR Flash), empresas nacionais como a Zhaoyi Innovation estão até à frente do resto do mundo, com seus produtos já integrados na cadeia de suprimentos de empresas automóveis internacionais como a Tesla. Isso prova que as empresas de armazenamento da China têm total capacidade de superar os obstáculos em trilhos específicos.
Embora o ritmo de substituição nacional esteja a acelerar, o mercado global de armazenamento em 2026 enfrenta desafios estruturais severos. A construção de centros de dados de IA está a “sugar” freneticamente a capacidade de armazenamento global. Para produzir memórias HBM (memórias de alta largura de banda) e LPDDR5/6 com margens de lucro mais elevadas, gigantes como a Samsung e SK Hynix estão a cortar a capacidade de produção de produtos de processos maduros como DDR4.
Esta transferência de capacidade resultou numa escassez de fornecimento de memória de grau automóvel. Para a indústria automóvel, embora os produtos de processos maduros como DDR4 não tenham o desempenho da mais recente geração, são estáveis e fiáveis, com custos controláveis, e são amplamente utilizados em componentes críticos como controlo da carroceria e painéis de instrumentos. Agora, com a redução da produção dos gigantes internacionais, estes “produtos antigos” tornaram-se recursos escassos, com os preços a dispararem.
Entretanto, a demanda por capacidade de memória na condução autónoma de nível L4 está a crescer de forma exponencial. A Micron Technology prevê que a demanda por memória de veículos de nível L4 ultrapassará os 300GB, 20 vezes a dos modelos de hoje. Este crescimento explosivo na demanda, somado à pressão da IA sobre a capacidade de produção, está a fazer com que o mercado de armazenamento automóvel entre num superciclo de “aumento simultâneo de volume e preço”.
Desde a ênfase da Zhiji LS8 nos 64GB de memória até ao elevado prémio do armazenamento de 2TB da Apple, vemos não apenas o progresso tecnológico, mas também um reflexo do desejo dos terminais inteligentes por capacidade de processamento de dados. Nesta corrida pela “capacidade cerebral”, a Samsung e a SK Hynix, com a sua vantagem absoluta em processos avançados, continuam a deter o poder de definição de preços e a voz no setor.
Mas para a indústria chinesa, isso é tanto um desafio quanto uma oportunidade. Embora ainda tenhamos disparidades no campo do DRAM de alto nível, em áreas como NAND Flash e NOR Flash, os chips nacionais já abriram uma brecha. No futuro, com os contínuos avanços de empresas como a Changxin Memory no campo do DRAM, e o trabalho aprofundado de fabricantes como a Jiangbolong e a Biwei Storage em produtos de grau automóvel, a indústria automóvel da China espera gradualmente libertar-se da dependência de gigantes internacionais de armazenamento. Afinal, na segunda metade da era da inteligência, apenas quem dominar o fluxo vital do armazenamento poderá realmente realizar a transição de “grande potência automóvel” para “potência automóvel forte”.