Relatório indica que a taxa de sucesso do DRAM 1c da Samsung Electronics ultrapassa 80%, enquanto a taxa de sucesso do HBM4 aproxima-se de 60%

Profissionais do setor revelaram que a Samsung Electronics atingiu uma taxa de rendimento de 80% na produção de DRAM 1c, a mais alta obtida em testes de alta temperatura (teste térmico). Espera-se que a taxa de rendimento atinja cerca de 60-70% no quarto trimestre de 2025, tendo já melhorado significativamente e podendo chegar a cerca de 90% por volta de maio. Além disso, os especialistas indicaram que a taxa de rendimento do HBM4 baseado em DRAM 1c da Samsung também aumentou, aproximando-se de 60%, contra cerca de 50% no quarto trimestre do ano passado. (Relatório do Daily Science and Technology Innovation Board)

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