ME AI メッセージによると、湖北江城実験室の情報によると、同実験室は最近、電容の重要技術において大きな突破を遂げ、三次元多層チップ上電容を成功裏に開発し、電容密度は1平方ミリメートルあたり1000ナノファラッドを超えました。この電容は、AI/GPUチップ、高性能プロセッサなどの高端チップに直接応用でき、高い計算能力と低消費電力のチップ開発を支援します。現在、関連技術は工程の流れと少量試作を進めており、先進的なパッケージング分野での規模化された応用を実現する予定です。電容が回路において果たす役割は、本質的に超微縮の「水貯蔵池」：チップの電流が激しく変動する際に、迅速に充放電して電圧を安定させ、チップに「純粋で安定した」電流を供給します。電容は計算能力システムにおいても「電気RAM」と比喩されます：HBMは計算能力のデータバッファであり、電容は計算能力のエネルギーバッファです。GPUの瞬間的に最大電力を引き出す際に電力を供給するには、ナノ秒から秒レベルまでの多段階の電力キャッシュを段階的に連携させる必要があります。（出典：同花順）
我国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片