Samsung Electronicsは、カリフォルニア州サンタクララで開催されたFuture of Memory and Storage（FMS）2026カンファレンスにおいて、次世代AIメモリポートフォリオを発表し、高性能コンピューティングおよび人工知能インフラストラクチャーに対する高まる需要に対応するための包括的な技術ロードマップを提示しました。同社は、AIクラウドサーバーを模したブースで、約30種類のメモリおよびストレージ技術を紹介しました。また、フラッシュ製品・技術部門のエグゼクティブバイスプレジデント兼責任者であるJin-Yub Lee氏と、DRAM設計チームのバイスプレジデントであるKyungryun Kim氏が、「AI革命の波を推進する：メモリおよびストレージアーキテクチャにおける3Dイノベーション」と題した基調講演を行いました。今回の発表は、垂直型メモリアーキテクチャと高度な製造能力によって、急速に拡大するAIアクセラレーターおよびデータセンターインフラストラクチャーの要件に対応するものです。
Samsung、zHBMおよびzNAND-O垂直型メモリアーキテクチャを発表
Samsungは、チップの隣に配置するのではなく、AIアクセラレーターの直上に高帯域幅メモリを垂直に積層するzHBMを発表しました。Samsungによると、この設計はデータの移動距離を最小限に抑え、HBM5の約8倍の性能、10倍超のメモリ密度、3倍のエネルギー効率を実現するとともに、熱抵抗を半分以上低減します。このアーキテクチャは、各層にカスタム知的財産（IP）を組み込むことが可能で、特定のアクセラレーター向けに最適化されたソリューションを実現できます。Samsungはまた、V-NANDをベースとするzNAND-Oをプレビューしました。これは4層および8層のバリエーションで開発され、リアルタイムのエッジAIワークロード向けに、高い空間効率と低レイテンシーを両立します。
Samsung、400層超のV10 BV-NANDと生産ロードマップを発表
Samsungは、新たなウェハー接合技術によって実現した業界初のBonding V-NANDアーキテクチャ、V10 BV-NANDを発表しました。400層を超えるこのデバイスは、従来のV9世代と比較してメモリ密度を約58％向上させるとともに、読み出し、書き込み、I/O性能を改善します。この節目は、Samsungが業界初のV-NANDを導入してから13年後に達成されました。2月のHBM4量産開始に続き、同社は5月にHBM4Eサンプルの出荷を開始し、FMS 2026ではHBM5モデルを展示しました。Samsungは、業界初のProcessing-in-Memory技術を搭載した低消費電力DDRメモリ、LPDDR5X-PIMも紹介しました。この技術はメモリアレイ内で演算を実行し、データ移動と消費電力を抑制します。データセンターインフラストラクチャー向けには、PM1763およびBM1773エンタープライズストレージソリューションが展示されました。Samsungはエンドツーエンドのターンキー戦略を強調し、AI半導体の顧客向けに、開発サイクルの短縮と性能の最適化を目的とした設計・製造一体型サービスを提供します。
よくある質問
SamsungはFMS 2026で何を発表しましたか？
Samsungは、カリフォルニア州サンタクララで開催されたFuture of Memory and Storage（FMS）2026カンファレンスで次世代AIメモリポートフォリオを発表し、zHBM、zNAND-O、V10 BV-NANDなど約30種類のメモリおよびストレージ技術を紹介しました。
SamsungのzHBM技術の性能仕様はどのようなものですか？
Samsungによると、zHBMはHBM5の約8倍の性能、10倍超のメモリ密度、3倍のエネルギー効率を実現し、熱抵抗を半分以上低減します。
SamsungのV10 BV-NANDは何層ですか？
SamsungのV10 BV-NANDは400層を超え、従来のV9世代と比較してメモリ密度を約58％向上させるとともに、読み出し、書き込み、I/O性能を改善します。
