2026-08-05 09:52:26
Samsung Memperkenalkan Peta Jalan Memori AI dengan zHBM, zNAND-O, dan V10 BV-NAND di FMS 2026 pada 5 Agustus
Pada 5 Agustus, Samsung Electronics mengungkapkan peta jalan komprehensifnya untuk memori AI dalam konferensi Future of Memory and Storage (FMS) 2026 di Santa Clara, California. Perusahaan tersebut memamerkan tiga teknologi memori generasi berikutnya untuk infrastruktur AI berperforma tinggi: zHBM, desain memori bandwidth tinggi bertumpuk vertikal yang menawarkan performa 8 kali lipat dibandingkan HBM5, kepadatan memori 10 kali lebih tinggi, dan efisiensi energi 3 kali lebih baik; zNAND-O, solus