【Shanzheng Electronics】Estrategia anual del sector electrónico: la IA inicia una nueva ronda de inflación en hardware, la aceleración del poder de cómputo nacional impulsa la ruptura

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Puntos clave de inversión

El almacenamiento entra en un súper ciclo. El lado del entrenamiento de la IA requiere un volumen de parámetros a escala de billones, lo que necesita un almacenamiento de gran capacidad y alto ancho de banda para respaldar; el lado de la inferencia, con entradas multimodales y un consumo masivo de caché KV, también gasta grandes cantidades de espacio de almacenamiento. En los servidores, el HBM y el eSSD de alta velocidad se convierten en estándar. En el lado de la oferta, afectado por el ciclo a la baja del semestre de 2022 en semiconductores, los proveedores de almacenamiento mantienen un gasto de capital conservador; gigantes como Samsung y Micron salieron de la producción de capacidades de nicho para enfocarse en áreas de alto margen; la oferta de HBM se ve limitada por barreras de proceso de apilamiento 3D, con una elasticidad de oferta insuficiente; en 2026 la relación oferta-demanda seguirá bajando hasta el 7%. En cuanto al DRAM, la escasez sigue evolucionando de forma sostenida debido al efecto de desplazamiento por el HBM; el NAND se migra hacia un número mayor de capas de apilamiento, pero hay presión de escalado de capital y de proceso que lo restringe. Debido a la superposición de tres factores —prudencia en la puesta en producción, restricciones de rendimiento y ajustes en la estructura del negocio— el patrón de escasez persistirá en el mercado de almacenamiento, y la industria entrará en un súper ciclo en el que suben simultáneamente cantidades y precios.

Mejora de la situación del sector de semiconductores. La explosión de capacidad de cómputo de IA y la aceleración de la penetración de vehículos de nueva energía impulsan un aumento explosivo de la demanda de chips de potencia, chips analógicos y componentes pasivos; sumado a la contracción estructural y las limitaciones de capacidad en el lado de la oferta, se forma un ciclo de alza de precios en toda la cadena. Los dispositivos de potencia se benefician de la penetración de la tecnología HVDC, aumentando el valor de los dispositivos SiC/GaN. El ciclo de inventario de los chips analógicos se revierte; la capacidad es desplazada por productos de alta gama, y la presión de costos se transmite, impulsando un súper ciclo con subida de cantidad y precio. En componentes pasivos, la subida de precios impulsada por metales preciosos y el encarecimiento del ensamblaje y encapsulado por terceros lleva a toda la industria a un ciclo de alza de arriba hacia abajo y con cobertura total en todas las categorías.

La capacidad de cómputo nacional acelera la implementación de la sustitución. La demanda fuerte de capacidad de cómputo se libera con el uso de inferencia de grandes modelos de IA nacionales y la construcción de AIDC; para 2029, el tamaño de mercado de servidores acelerados en China superará los 1400 mil millones de USD. Además, con las restricciones de exportación del exterior, se acelera el avance en chips y en eslabones de fabricación nacionales. En cuanto a procesos avanzados, la tasa de autoabastecimiento de chips de alta gama es baja; las fábricas de obleas nacionales incrementan la capacidad en procesos avanzados, y SMIC acelera la rampa de su capacidad en procesos avanzados de 7nm y por debajo. El encapsulado avanzado se convierte en la clave para mejorar la capacidad de cómputo: Chiplet y HBM impulsan la actualización de la demanda en pruebas y encapsulado. Empresas nacionales como JCET y TongFu Shun承接an pedidos excedentes; para 2030, el tamaño global del mercado de encapsulado avanzado superará los 794 mil millones de USD. Los equipos de semiconductores entran en resonancia entre “ampliación de demanda + sustitución nacional”, beneficiándose plenamente de la expansión de capacidad de fábricas de obleas como SMIC y HuaHong, y de proveedores de almacenamiento como CXMT y YMTC.

Innovación en IA impulsa una actualización dual en materiales y arquitectura de PCB. La demanda de servidores de IA y switches 800G/1.6T por interconexiones de alta densidad y transmisión de baja pérdida impulsa una evolución integral de la tecnología PCB. En arquitectura, las placas multicapa tradicionales evolucionan hacia HDI con más capas: por ejemplo, la bandeja de Switch tray de Nvidia GB300 se actualiza a una estructura 6+14+6HDI con más capas para lograr interconexiones más densas; conexiones en la capa intermedia de PCB sustituyen los cables de cobre para lograr interconexiones de alta densidad. En el lado de materiales, se avanza hacia baja Dk y baja Df; los CCL de nivel M9 se convierten en la corriente principal de la demanda de alta gama, y las brechas en demanda de materiales avanzados como láminas de cobre ultra delgadas de contorno ultra bajo HVLP, Q布 y resinas carbono-hidrógeno son significativas. La mejora tecnológica y las brechas de oferta-demanda apoyan conjuntamente que el valor de la cadena industrial de PCB siga aumentando; empresas upstream y downstream se benefician plenamente…

Se espera que la óptica y la IA impulsen los lentes AR para convertirse en un nuevo terminal de interacción. La tecnología de IA y la innovación óptica impulsan que los lentes AR evolucionen desde herramientas de apoyo hacia un terminal de interacción “a nivel fisiológico”. En 2026, las ventas globales de gafas AI y AR se prevén en 1,80 millones de unidades y 0,95 millones de unidades, respectivamente, con un aumento significativo respecto a 2024. En el sistema óptico, las soluciones de guía de ondas ópticas aceleran la sustitución de Birdbath, y las guías de ondas por difracción se vuelven la corriente principal por sus ventajas de ligereza y delgadez. En el extremo de visualización, LCoS, Micro-OLED y Micro-LED compiten en “tres patas”; mediante combinaciones optimizadas de óptica y visualización, se puede resolver la contradicción de la industria en “peso, rendimiento y autonomía”. La tasa de crecimiento de envíos de los fabricantes nacionales en el área AR alcanza 142.3%; y en eslabones como lentes ópticos y paneles de visualización llegan beneficios de innovación determinista.

Recomendación de inversión: 1）Para chips de almacenamiento, se recomienda prestar atención a：Zhong鑫科技、兆易创新等. Se recomienda prestar atención a chips de semiconductores: 寒武纪、扬杰科技、捷捷微电、杰华特等. Para fabricación de obleas y encapsulado/pruebas: SMIC、华虹公司、长电科技、汇成股份等. Para equipos de semiconductores: 芯碁微装、微导纳米、精测电子、精智达、芯源微等. Para componentes electrónicos: 铜冠铜箔、菲利华、三环集团、风华高科、顺络电子等. Para electrónica de consumo: 中润光学、蓝特光学、天岳先进等.

Aviso de riesgos: riesgo de que la situación sectorial no cumpla las expectativas; riesgo de que la investigación y desarrollo tecnológico y la producción en masa no cumplan las expectativas; riesgo de reconfiguración de la cadena de suministro; riesgo de fricciones de comercio internacional; riesgo de que el progreso de sustitución nacional no cumpla las expectativas; riesgo de que el apoyo de políticas industriales no cumpla las expectativas, etc.

【Semiconductores：la explosión de la IA impulsa la mejora de la actividad del sector, la sustitución nacional entra en la zona de aguas profundas】

Almacenamiento：la inferencia y el cómputo impulsan que el almacenamiento entre en un súper ciclo

Los grandes modelos se encaminan a una carrera por datos; el capital de las CSP globales acelera su gasto. El desarrollo de los grandes modelos está pasando de la competencia temprana por parámetros a la competencia por datos. La IA generativa, representada por LLM, está evolucionando gradualmente desde la etapa de modelos base hacia formas más complejas como agentes de IA y física-IA. En general, las necesidades de cómputo entran en un crecimiento explosivo: según la predicción de Huawei, la cantidad total de cómputo de toda la sociedad en 2035 será 10^27 FLOPS, lo que representa un aumento de 100k veces respecto a 2025. Las CSP globales incrementan el gasto para construir infraestructuras básicas como AIDC y clústeres de cómputo a fin de atender la demanda de IA. Según Trend Force, en 2026 el gasto de capital de las ocho principales CSP globales aumenta hasta más de 140B de USD. De acuerdo con la guía de desempeño de las CSP de Norteamérica para el año fiscal 2026, el gasto de capital en IA acelera aún más: por ejemplo, Meta eleva su guía de gasto de capital a 1150-79.4B de USD, frente a 700 mil millones de USD en 2025, lo que implica un incremento de 50-80%.

Figura 1：Las ocho principales CSP prevén Capex de más de 100k de USD en 2026

Fuente de datos：Trend Force, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 2：Se prevé que el cómputo de IA crecerá por mil en el periodo 2025-2030

Fuente de datos：Alianza de Técnicos de Arquitectura, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

La construcción de grandes modelos y AIDC impulsa una demanda explosiva de DRAM y NAND. En el lado de entrenamiento, la escala de parámetros de nivel billones de los grandes modelos eleva la necesidad de memoria en capacidad. La rapidez con la que se incrementa el cómputo altamente paralelizado en GPU eleva aún más la presión de “memoria-barrera”, impulsando una mayor demanda de almacenamiento en gran capacidad y alto ancho de banda. En el lado de inferencia, la entrada/salida multimodal y la inferencia con contexto largo generan una gran cantidad de cachés KV, además de la demanda de retención de contenido generado por usuarios, lo que consume aún más espacio de almacenamiento. Debido al impulso conjunto de entrenamiento e inferencia, los clústeres de cómputo de AIDC durante su construcción deben ir acompañados de memoria HBM de alto ancho de banda y eSSD de alta capacidad y alta velocidad para lograr un suministro de datos de baja latencia y una coordinación en el cómputo. Esto, a su vez, impulsa un alza general de precios en el mercado de almacenamiento. Según estadísticas de Counterpoint, en el primer trimestre de 2026 la tasa de aumento intertrimestral del precio de la memoria fue de 80%-90%. Trend Force prevé que el tamaño del mercado global de memoria en 2026 alcanzará 115B de USD y que en 2027 la tasa de crecimiento interanual será del 53%.

Figura 3：Los precios de la memoria en PC y servidores aumentan con fuerza intertrimestral (USD)

Fuente de datos：Counterpoint, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 4：Se prevé que el valor del mercado de memoria supere los 135B de USD en 2026

Fuente de datos：TrendForce, Noticias de “RuiXin”, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Demanda impulsada por IA de HBM; la oferta y demanda del sector permanecen tensas. El cómputo de IA requiere una gran cantidad de lecturas/escrituras de parámetros de alto ancho de banda y cachés KV. HBM, mediante apilamiento 3D y TSV, puede superar el cuello de botella tradicional del ancho de banda de memoria, logrando necesidades de ancho de banda ultra alto, baja latencia y bajo consumo de energía. En el mercado actual, SK hynix, Micron y Samsung monopolizan. Debido a restricciones como una expansión lenta de capacidad ajustada a encapsulado avanzado, barreras de alta tasa de rendimiento del proceso de apilamiento 3D y limitaciones del ciclo de expansión de capacidad en fábricas de obleas, la elasticidad de oferta de HBM a corto plazo es insuficiente. Según la predicción de Trend Force, en 2026 se estima que la oferta de capacidad de HBM crecerá 32%. Del lado de la demanda, se observa un alto nivel de concentración: Nvidia, AMD, Google, AWS y otros principales fabricantes de cómputo de IA suman el 90% de la demanda de HBM. En el ciclo alcista de IA, para mantener una alta tasa de crecimiento de la capacidad de almacenamiento de cómputo y la seguridad de inventario, las CSP compran más HBM que el consumo real, acelerando aún más el desfase entre oferta y demanda. Según la predicción de SEMI, el déficit de HBM se ampliará desde aproximadamente 5% en 2025 hasta aproximadamente 6% en 2026, y en 2027 se ampliará aún más hasta alrededor de 9%.

Figura 5：El déficit de HBM en oferta-demanda persistirá hasta 2027

Fuente de datos：SemiAnalysis, “JanieGui” Semiconductores en casa, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 6：Se prevé que la oferta de almacenamiento HBM aumente 32% en 2026

Fuente de datos：TrendForce, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

HBM desplaza capacidad de almacenamiento general; la escasez de DRAM continúa evolucionando. Con el desarrollo de la IA, el crecimiento explosivo de HBM comprime directamente el espacio de mercado del DRAM general. Samsung, Micron y Hynix van saliendo gradualmente de la producción de productos de almacenamiento de nicho y redirigen su capacidad hacia áreas de alta rentabilidad como centros de datos y servidores de IA. En consecuencia, hay escasez de capacidad DDR4, DDR5 y de DRAM de nicho para PC, dispositivos móviles y servidores tradicionales. Según Trend Force, la proporción de capacidad de obleas no-HBM en los cinco principales fabricantes globales de DRAM se reducirá de 81% a 76%, y los ingresos provenientes de no-HBM bajarán de 67% a 59%. Del lado de la demanda, los nuevos terminales como gafas AR y teléfonos plegables apoyan la electrónica de consumo. Los OEM tienden a firmar contratos a largo plazo para asegurar capacidad, comprimiendo adicionalmente la circulación del mercado de productos de almacenamiento. Según Omdia, se espera que en 2026 la demanda global de DRAM para servidores crezca 27% hasta 18843 MGB; mientras que la demanda de DRAM para dispositivos móviles, PC, vehículos inteligentes y otros ámbitos crezca 11% hasta 22265 MGB.

Figura 7：La demanda del mercado de DRAM mantiene altas tasas de crecimiento

Fuente de datos：Omdia, prospecto de colocación de Zhong鑫科技, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 8：HBM representa la proporción en capacidad de DRAM, ingresos y producción por bit

Fuente de datos：Trend Force, Noticias de “RuiXin”, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Compresión de capacidad NAND; desequilibrio de oferta y demanda del SSD se intensifica. La demanda de inferencia de IA está reconfigurando la arquitectura de almacenamiento. La inferencia de grandes modelos depende en gran medida de gran cantidad de cachés KV y de una búsqueda de baja latencia de datos vectoriales, lo que impulsa que los SSD con IOPS extremadamente altos y latencia de acceso a nivel de microsegundos se conviertan en el principal medio para capas de datos calientes y datos templados. En el CES 2026, Huang Renxun propuso la arquitectura ICMS (Inline Context Memory Storage) de Rubin: mediante el establecimiento de almacenamiento local a nivel de rack, se resuelve el problema de restricción de KV Cache en la inferencia de IA, lo que incrementa aún más la demanda de SSD. Según TrendForce, entre 2025 y 2028, la IA incrementará de forma significativa el crecimiento del eSSD. Sin embargo, del lado de la oferta, los SSD están limitados por la expansión prudente de capacidad por parte de los fabricantes de almacenamiento, su inclinación del foco hacia productos de alto valor añadido y la presión de escalado de capital y proceso que implica la migración de la tecnología 3D NAND hacia más capas de apilamiento. El ritmo de liberación de capacidad será relativamente más lento; TrendForce estima que en 2026 el gasto de capital en la industria NAND solo crecerá 5%. Consideramos que el ritmo de liberación de capacidad se retrasará de forma considerable respecto a la demanda de la arquitectura ICMS de Rubin, y la situación de escasez de Nand persistirá.

Figura 9：La IA incrementa significativamente la demanda de eSSD

Fuente de datos：TrendForce, “Almacenamiento - notas”, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 10：En 2026, se prevé una reducción significativa de la capacidad NAND MLC

Fuente de datos：Trend Force, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Chips：La doble propulsión de demanda de IA y sustitución nacional impulsa la mejora de la actividad del sector de chips

Liberación de demanda de capacidad de cómputo doméstica; chips aceleradores de capacidad nacional se elevan con rapidez. Con la explosión en el uso de inferencia de grandes modelos de IA en China, la construcción a escala de AIDC y la rápida mejora de la tasa de penetración de chips de IA nacionales, se libera rápidamente la demanda de servidores de cómputo acelerado en China. Según estadísticas del IDC, en 2025 H1 el tamaño del mercado de servidores acelerados en China alcanzó 16 mil millones de USD, con un crecimiento interanual de más de 100%, y se prevé que para 2029 el tamaño del mercado de servidores acelerados en China superará 140 mil millones de USD. Con una fuerte demanda de capacidad de cómputo y las restricciones del gobierno de Estados Unidos sobre exportaciones de chips avanzados hacia China, se está forzando a China a producir en masa chips aceleradores de IA y a lograr sustitución nacional de procesos avanzados. Por ejemplo, las 3 configuraciones de superclústeres con 10.000 tarjetas implementadas por la empresa Sugon, operan en nodos centrales de internet para supercomputación nacional y respaldan el despliegue híbrido de tarjetas de IA nacionales de múltiples marcas y rutas técnicas, con programación unificada; los chips de cómputo nacional entran en una etapa de desarrollo acelerado.

Figura 11：Predicción del mercado de servidores de computación acelerada en China

Fuente de datos：IDC, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 12：clústeres ultra-grandes scaleX con 10.000 tarjetas

Fuente de datos：Sguon, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Aplicaciones de HVDC y costos en aumento; dispositivos de potencia impulsan alza en cantidad y precios. Impulsado por la mejora de densidad de potencia, potencia pico y confiabilidad de equipos, la tecnología HVDC acelera la penetración en escenarios como centros de datos, energía nueva y vehículos eléctricos, elevando significativamente la demanda de dispositivos de potencia. En particular, en centros de datos, al evolucionar la potencia de un solo armario hacia 1 MW, se impulsa un aumento múltiple de la cantidad de MOS/IGBT de alto voltaje en etapas como AC/DC dentro del armario y PSU, así como SST, SSCB, DC/DC y BBU fuera del armario. En el lado de costos, la subida de precios de materias primas y la transmisión de costos por encarecimiento en el proceso de fundición de obleas y de encapsulado y pruebas, elevan conjuntamente el valor de los dispositivos. Desde 2025, fabricantes nacionales y extranjeros aplican reajustes de precios. Por ejemplo, Infineon ajustó al alza el precio de interruptores de potencia y chips relacionados; en China, el fabricante Silan Micro ajustó al alza 10% los precios de chips MOS y diodos de señal de segunda y tercera categoría.

Figura 13：Predicción del tamaño del mercado global de dispositivos de potencia (millones de USD)

Fuente de datos：Yole, productos de dispositivos de potencia y uso compartido, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 14：Fabricantes de dispositivos de potencia globales inician aumentos de precios

Fuente de datos：TrendForce、Semiconductores al corriente、Información Electrónica Internacional、Anuncio de China Resources Micro, Sina Finance, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

La demanda de chips analógicos se recupera; la sustitución nacional se profundiza. Los sectores industriales tradicionales se recuperan gradualmente y, sumado a la rápida penetración de trayectorias de alta disposición como cómputo de IA, conducción inteligente y vehículos de nueva energía, se impulsa de forma estructural el aumento de la demanda de categorías clave como modulación de señal, sensores de alta precisión y administración de energía. Según datos de Sullivan, en 2026 se espera que el tamaño del mercado chino de chips analógicos alcance 70B de USD, un 25% más que en 2024. En China, el desarrollo en el área de chips analógicos es relativamente tardío; la tasa de sustitución nacional en campos de alta gama como industria y automóviles es baja. En 2024, los cinco principales fabricantes nacionales de analógicos tenían una cuota de ingresos de apenas 6.9%. Pero a mediano y largo plazo, a medida que los fabricantes nacionales logren avances técnicos en chips analógicos y se acelere la incorporación de clientes, junto con el apoyo de políticas y la demanda de cadena de suministro autónoma y controlable, seguirá aumentando la cuota de mercado de chips analógicos nacionales, impulsando una subida continua de la actividad en analógicos. Según la predicción de Sullivan, para 2029 la tasa de localización de chips analógicos podría pasar de 23.2% en 2024 a 30.8%.

Figura 15：Tamaño del mercado chino de chips analógicos

Fuente de datos：Sullivan, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 16：Cuota del mercado chino de analógicos IC en 2024

Fuente de datos：纳芯微, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Se ajusta la oferta y la transmisión de alza impulsa un ciclo alcista; chips analógicos entran en ciclo de subida. La industria de chips analógicos ya entró en un nuevo ciclo alcista: la estructura oferta-demanda sigue optimizándose, el ciclo de inventarios se revierte y el soporte rígido del lado de costos impulsa que suban simultáneamente cantidad y precio. Del lado de la oferta, la capacidad se recupera de forma moderada; la capacidad de procesos maduros se contrae continuamente. En cuanto a números de referencia generales de baja gama, por ajustes de capacidad previos y la ocupación de suministro por productos relacionados con autos de grado automotriz y AI, la elasticidad de la oferta está limitada. El ciclo de inventarios de la industria cambia de la fase de “reducir inventario activamente” a “incrementar inventario activamente”. Según indicadores operativos de fabricantes líderes: en 2025, la tasa de rotación de inventarios tanto de TI como de ADI mejora; en Shengbang y 纳芯微, la tasa de margen bruto y rotación de inventarios mejoran intertrimestralmente. En el lado de costos, suben los precios de metales aguas arriba y también aumentan precios en fundición de obleas y en encapsulado y pruebas; la presión de costos se transmite gradualmente a downstream. TI, ADI e incluso Infineon ajustan de forma significativa el precio de sus productos de analógicos. En China, los fabricantes 易微微 y 美芯晟 también publican cartas de ajuste de precios. La lógica de subidas de precios se transmite sin problemas desde líderes internacionales hacia fabricantes nacionales, fortaleciendo aún más la base del ciclo alcista de chips analógicos.

Figura 17：Indicadores financieros de fabricantes líderes nacionales y extranjeros de analógicos

Fuente de datos：wind, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Encapsulado por terceros y pruebas：se libera la demanda de capacidad de cómputo doméstica; la subida de precios en encapsulado y pruebas en conjunto

Sustitución nacional en procesos avanzados impulsada por chips de IA nacionales. La capacidad global de procesos avanzados muestra una tendencia de crecimiento sostenido. De acuerdo con estadísticas de SEMI, entre 2024 y 2028, la capacidad en procesos avanzados por debajo de 7nm aumentará de 850 mil wpm en 850kwpm a 1.4 millones de wpm, un 69% de aumento; la capacidad en 2nm o menos pasará de 200 mil wpm en 2025 a 500 mil wpm en 2028. En ese caso, pocos fabricantes líderes como TSMC y Samsung tienen la mayor parte. La proporción de capacidad de procesos avanzados domésticos sigue siendo baja, lo que conduce a una tasa baja de autoabastecimiento de chips de alta gama. Para responder a la enorme demanda impulsada por la penetración acelerada de chips de IA nacionales, las fundiciones de obleas locales aumentan su inversión en capacidad en procesos avanzados, y SMIC acelera la rampa de capacidad en 7nm y por debajo.

Figura 18：Expansión acelerada de capacidad global en procesos avanzados (unidad：%)

Fuente de datos：SEMI, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 19：Mapa de rutas tecnológicas de las principales fábricas globales de fundición de obleas

Fuente de datos：Semi Vision, Noticias de “RuiXin”, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Fábricas nacionales de encapsulado y pruebas enfrentan oportunidades duales. La Ley de Moore se acerca al límite; el encapsulado avanzado mediante Bump, RDL, TSV y técnicas como enlace híbrido permite alto ancho de banda, bajo consumo y una integración tridimensional; se convierte en la clave para continuar mejorando el rendimiento de cómputo. Según datos de Yole, en 2024 el tamaño del mercado global de encapsulado avanzado fue de aproximadamente 46 mil millones de USD y se prevé que para 2030 supere los 794 mil millones de USD con un CAGR de 9.5%. En la tendencia de integración de alta densidad, Chiplet y HBM plantean requisitos más altos para la etapa de pruebas. Fábricas como TSMC (para encapsulado y pruebas), JCET, TongFu Shun, etc., ya han introducido soluciones como pruebas con sondas de alta precisión, pruebas en línea distribuidas y pruebas a nivel de sistema. Actualmente, el mercado global de encapsulado y pruebas aún está dominado por TSMC, Samsung y ASE. Los fabricantes nacionales como JCET, TongFu Shun y Hana Tian aceleran su despliegue y logran producción en volumen de alta gama, pero en el área AP la tasa de localización todavía es baja. Con el control de exportaciones y el desarrollo de IA, se espera que las fábricas domésticas de encapsulado y pruebas reciban oportunidades duales de “desbordamiento de pedidos y sustitución nacional”.

Figura 20：Panorama del mercado global de encapsulado avanzado (miles de millones de USD)

Fuente de datos：Yole, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 21：Predicción de tendencia de mejora de tasa de localización en la industria nacional de encapsulado y pruebas

Fuente de datos：Investigación de la industria de semiconductores, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Equipos de semiconductores：la IA eleva la actividad de los equipos; la demanda nacional y la sustitución entran en resonancia

Mejora del ciclo de inversión global en equipos de semiconductores. Impulsado por IA y HPC, el gasto de capital en los sectores de almacenamiento y GPU aumenta de manera notable. La demanda de equipos para fundición de obleas, equipos de encapsulado avanzado y equipos de pruebas globales vuelve a niveles, impulsando un repunte general de la inversión en equipos. Según la predicción de SEMI, se espera que en 2025 el mercado global de equipos de semiconductores crezca 7.4% hasta 1250 mil millones de USD. En 2026 podría aumentar aún más hasta 245.1B de USD, con la tasa de crecimiento interanual subiendo a 10%. Bajo el impulso doble de almacenamiento y procesos avanzados, la industria de equipos de fabricación de obleas (WFE) se prevé que crezca 10% en 2026 hasta 850k de USD. Dentro de ello, la fundición de obleas lógicas crece 6.6% debido al impulso de procesos avanzados; DRAM y NAND se benefician de la expansión de capacidad de almacenamiento, con crecimientos previstos de 12% y 10%, respectivamente. La etapa de encapsulado y pruebas mantiene altas tasas de crecimiento gracias a la demanda de encapsulado avanzado impulsada por IA, teléfonos y HPC. En particular, el crecimiento de equipos de encapsulado es 15% hasta 6.3 mil millones de USD, y el de equipos de prueba es 5% hasta 9.8 mil millones de USD.

Figura 22：Predicción del tamaño del mercado WFE (miles de millones de USD)

Fuente de datos：Noticias de “RuiXin”, SEMI, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 23：Predicción del tamaño del mercado de equipos de encapsulado y pruebas (miles de millones de USD)

Fuente de datos：Noticias de “RuiXin”, SEMI, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Demanda de equipos domésticos y resonancia con la sustitución. Estados Unidos continúa endureciendo el control de exportación de equipos de semiconductores hacia China. Sumado a la explosión de la capacidad de cómputo en IA y a la demanda de expansión en procesos avanzados y almacenamiento impulsada por dos empresas listadas en “dos almacenes”, la industria de equipos de semiconductores domésticos entra en resonancia de “ampliación de demanda + sustitución nacional”. Del lado de la demanda, aumenta la proporción de expansión de líneas de producción avanzadas lógicas y de almacenamiento. Fábricas de obleas como SMIC y HuaHong, y proveedores de almacenamiento como CXMT y Yangtze, incrementan el gasto de capital para ampliar capacidad, brindando un soporte continuo de pedidos y empujando la demanda de compra en equipos del frente. Del lado de la sustitución, mejora la proporción de capacidad en procesos maduros; se impulsa de forma sostenida el desarrollo en campos de “cuello de botella” como litografía, medición y detección. La demanda de equipos domésticos pasa de ser un solo punto a ser un ciclo completo. Las empresas, mediante fusiones y adquisiciones e integración de líneas de productos, priorizan la compra de equipos domésticos para garantizar seguridad en la cadena de suministro. Según reportes de CMSP, la cuota de mercado de equipos de semiconductores domésticos de China aumentó de 25% en 2024 a 35%; procesos clave como grabado y deposición de películas delgadas ya superaron 40%.

Figura 24：Predicción del tamaño del mercado de la industria china de equipos de semiconductores

Fuente de datos：宇量信息, Sullivan, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Tabla 1：Tasa de localización de equipos de semiconductores en 2024

Fuente de datos：宇量信息, Sullivan, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

【Componentes electrónicos：innovación de IA impulsa la reconfiguración integral del valor en toda la pila de la cadena】

PCB：entra en una era de alta multi-capa, alta velocidad y nuevos materiales

PCB en evolución impulsada por el cómputo de IA y la interconexión de alta velocidad. La implementación a escala de servidores de IA, switches 800G/1.6T y de infraestructuras de red de alta velocidad plantea requisitos más altos para interconexiones ultra densas y transmisión de baja pérdida, impulsando que PCB innove de forma simultánea en arquitectura y materiales. En el nivel de arquitectura, la mayor densidad de cableado y las demandas de integridad de señal y de energía impulsan que las conexiones de PCB sustituyan la conexión mediante cables de cobre y que las placas multicapa tradicionales evolucionen hacia mayor número de capas. Por ejemplo, en el caso de Nvidia, la bandeja Switch tray de GB300 pasó de 5+12+5 HDI a un 6+14+6 HDI con más capas para satisfacer interconexiones más densas. En el lado de materiales, los CCL, láminas de cobre y telas de fibra de vidrio se actualizan hacia ultra baja pérdida para asegurar integridad de señal y confiabilidad del sistema.

Figura 25：Estructura de placa de alta gama HDI

Fuente de datos：工程师小捷, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 26：La arquitectura Rubin usa conexiones de la capa media de PCB para sustituir cables de cobre

Fuente de datos：SEMI,芯小虎, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Tabla 2：Innovación simultánea en arquitectura y materiales de las placas de Nvidia

Fuente de datos：傅里叶的猫, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Sistema de materiales de CCL con mejora integral. El laminado con cobre (CCL) es el sustrato base clave del PCB; su proporción de costos alcanza 40%, y se forma principalmente mediante láminas de cobre, telas de fibra de vidrio y resina laminada y prensada. Entre ellas, la resina determina el desempeño dieléctrico de base y la resistencia al calor; la tela de fibra de vidrio afecta directamente el Dk global (constante dieléctrica), Df (factor de pérdida) y CTE (coeficiente de expansión térmica). La rugosidad de la superficie de la lámina de cobre (Rz) es clave para determinar la pérdida de conductores de alta frecuencia. En la actualidad, las necesidades de servidores de IA y comunicaciones de alta velocidad impulsan que PCB evolucione hacia baja Dk y baja Df, obligando a que el sistema de materiales CCL logre un salto sistémico hacia el nivel M6-M9. En esta tendencia, los materiales aguas arriba también reciben actualizaciones coordinadas: el sistema de resina hacia resinas carbono-hidrógeno y mejoras iterativas de PTFE; las telas de fibra de vidrio evolucionan hacia telas de baja dieléctrica y desarrollo hacia Q布 de alta gama. La lámina de cobre continúa reduciendo su rugosidad de superficie para adaptarse a los requisitos de transmisión de alta frecuencia y alta velocidad.

Figura 27：Estructura de costos de PCB y CCL

Fuente de datos：SemiVision, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 28：Estructura de composición de CCL

Fuente de datos：SI simulation workshop, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Tabla 3：Ruta de evolución tecnológica de laminado con cobre de alta velocidad de Panasonic

Fuente de datos：Diseño y fabricación PCBA, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Evolución de la lámina de cobre de alta gama hacia alta frecuencia/alta velocidad y líneas ultrafinas de alta densidad. La lámina de cobre es el material más importante en CCL; su proporción de costos es 39%. La rugosidad superficial de la lámina de cobre afecta directamente la pérdida por efecto piel en señales de alta frecuencia. Los servidores de IA impulsan su actualización hacia láminas de cobre de HVLP y cobre separable para adaptarse a la demanda de alta densidad y líneas finas de baja pérdida. La lámina de cobre HVLP de contorno ultra bajo, gracias a su característica Rz≤0.4μm, puede suprimir significativamente las pérdidas de alta frecuencia y se convierte en el portador clave del CCL con pérdidas ultra bajas en niveles M9 o superiores. En el campo de placas portadoras (carrrier boards), las láminas de cobre tradicionales no pueden satisfacer los requisitos de proceso de capas ultrafinas y líneas ultrafinas. El cobre separable portabilizado, con ventajas de proceso para un procesamiento estable de capas ultrafinas, mejora efectivamente la tasa de rendimiento del proceso de líneas finas. Según Global Info Research, se espera que en 2031 el valor de producción mundial de láminas de cobre portadas alcance 200k de USD; el CAGR 2025-2031 será de 14.5%.

Figura 29：Predicción de valor de producción DTH

Fuente de datos：Global Info Research, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 30：Rugosidad de lámina de cobre CCL en escenarios de alta frecuencia y alta velocidad

Fuente de datos：三井金属, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Evolución de la tela de fibra de vidrio hacia baja dieléctrica y baja expansión térmica. La fibra de vidrio ocupa aproximadamente 26% del costo de CCL; su función central es reforzar la resistencia mecánica y ajustar las propiedades dieléctricas. Su desempeño avanza hacia la dirección de constante dieléctrica baja (Dk), factor de pérdida bajo (Df) y coeficiente de expansión térmica bajo (CTE). Impulsada por la demanda de baja Dk/Df, la tela de fibra de vidrio se ha actualizado desde E-glass convencional hacia una generación Low-Dk y dos generaciones; y además avanza hacia telas de cuarzo (Q布). Las telas de baja CTE, debido a su coeficiente de expansión térmica extremadamente bajo, garantizan la estabilidad del tamaño de PCB durante soldadura de alta temperatura y durante la operación. Esto cumple los requisitos de encapsulado avanzado para entornos térmicos exigentes de chips de IA y se ha convertido en un material imprescindible para sustratos IC. Actualmente, las telas de primera y segunda generación son la elección principal para CCL de alta gama, utilizadas principalmente en productos de nivel M7-M8; Q布, gracias a bajo Dk (3.4), Df (0.0004) y CTE (0.6), se convierte en el material central del nivel M9. En la actualidad, existe una escasez severa de capacidad de producción de telas de alta gama. La expansión de Jintex (日经纺扩产) es prudente; según la predicción de 富邦投顾, en 2026 la capacidad de telas lowDk será de aproximadamente 10 millones de m² por mes; lo que corresponde a una demanda total de 18.5 millones de m² por mes para telas de primera a tercera generación.

Figura 31：Usos de la tela de fibra de vidrio en el campo de IA

Fuente de datos：Sitio web oficial de 日东纺, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Tabla 4：Parámetros de desempeño para especificaciones de alta gama de fibra de vidrio

Fuente de datos：SI simulation workshop, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

La resina mejora hacia baja pérdida y alta resistencia térmica. Como material adhesivo y aislante del laminado con cobre, la resina determina directamente la calidad de la transmisión de señales mediante la constante dieléctrica y el factor de pérdida. Las resinas epoxi tradicionales representan aproximadamente 18% del costo de CCL, pero su alto Dk/Df ya no puede satisfacer la demanda de transmisión de alta frecuencia y alta velocidad. En materiales de laminado con cobre de alta especificación, la resina principal se está desplazando hacia politetrafluoroetileno (PTFE), resinas carbono-hidrógeno (PCH) y polifenil éter (PPO), que ofrecen constante dieléctrica baja, alta estabilidad térmica y baja tasa de absorción de agua. En CCL nivel M8, el material base actualmente se basa principalmente en PPO. Mediante tecnología de introducción de red polimérica interpenetrante, se modifica con resina epoxi para equilibrar su limitación en resistencia térmica causada por su termoplasticidad. Para productos de nivel M9, una sola capa de PPO no tiene suficiente rendimiento eléctrico; se requiere introducir adicionalmente PCH o PTFE con valores Dk/Df más bajos. Aunque PTFE es el mejor en desempeño dieléctrico, debido a limitaciones de rendimiento y costo de procesamiento, los esquemas de producción en volumen actuales siguen dominados por mezcla de PPO con carbono-hidrógeno.

Tabla 5：Desempeño de resinas de calidad electrónica para CCL

Fuente de datos：NY Capital, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Componentes pasivos：la demanda de alta gama y la sustitución nacional impulsan la mejora del ciclo del sector

Los principales fabricantes impulsan el mercado de componentes pasivos hacia una ola de alzas de precios. Debido a incrementos en precios de metales preciosos como plata, estaño y cobre en la parte superior, y a encarecimiento en fundición de obleas y encapsulado y pruebas, el mercado de componentes pasivos entra en un nuevo ciclo de aumento de precios, con características como cobertura amplia, transmisión rápida y liderazgo de las marcas líderes. Las categorías con aumentos incluyen condensadores de tantalio, MLCC, resistencias de chips, inductores, etc. Entre ellos, el líder KEMET bajo el grupo国巨 ajustó el precio de condensadores de tantalio aplicados a servidores de IA y a electrónica automotriz dos veces en un año; su subsidiaria普思 también aplicó reajustes en la serie de resistencias. En China, los fabricantes líderes siguen el ritmo: 风华高科 ajustó al alza múltiples categorías como inductores de perlas magnéticas, MLCC y resistencias;顺络电子 anunció el aumento del precio de algunos inductores y perlas magnéticas. Las acciones de ajuste de precio de los fabricantes líderes impulsan rápidamente a toda la industria a entrar en un ciclo de aumento de precios “de arriba hacia abajo y con cobertura total”.

Tabla 6：Casos de reajuste de precios de principales fabricantes de componentes pasivos

Fuente de datos：芯世相、半导体前线、新型陶瓷、硬件 de semiconductores automotrices, Semiconductor Chain Pulse, 有芯电子, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

En escenarios emergentes, el volumen unitario de MLCC de alta gama aumenta de forma considerable. Entre los componentes pasivos, en 2024 la cuota del mercado de condensadores fue 65%, siendo el uso de MLCC el mayor y con el rango de aplicaciones más amplio. Impulsado por el desarrollo de servidores de IA y edge AI, la demanda de MLCC de alta gama enfrenta una explosión. Según una cita del 科创板日报, el líder global en componentes pasivos Murata dijo que la IA consumirá una gran cantidad de MLCC; Nvidia GB300 requiere aproximadamente 30k unidades de MLCC; un rack de IA consume 440k unidades; se espera que para 2030 la demanda de MLCC para servidores de IA aumente 3.3 veces frente a 2025. En el sector de vehículos de nueva energía, impulsado por sistemas de tres electrificaciones (three-electric), cabina inteligente y sensores de conducción autónoma, el uso de componentes pasivos por vehículo XEV sube desde 3000 unidades en vehículos tradicionales de combustión hasta un rango de 18k a 30.000 unidades. Según la predicción de 智研咨询, se espera que para 2028 la demanda global de MLCC alcance 5.95 billones de unidades y un tamaño de mercado de 1408 mil millones de RMB.

Figura 32：Tamaño del mercado global de MLCC (500k de RMB)

Fuente de datos：智研咨询, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 33：Consumo de MLCC en servidores

Fuente de datos：Asociación de comercio electrónico de Shenzhen, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

A la tensión de capacidad se suma el control de exportaciones, impulsando la sustitución nacional. Los líderes globales de componentes pasivos pertenecen en su mayoría a fabricantes de Japón-Corea-Taiwán. En particular, Murata y TDK dominan el mercado de MLCC e inductores de alta gama, y fabricantes de Taiwán como国巨 tienen ventajas en resistencias de alta gama. Los fabricantes en el continente ya han logrado sustitución en el mercado de componentes de gama media y baja, pero todavía existe una brecha significativa en productos de grado automotriz y de aviación. Actualmente, el sector enfrenta cambios estructurales múltiples: Murata, TDK, Sun Induced (太阳诱电) y otros líderes japoneses ya comenzaron a ajustar su estructura de negocio, reduciendo la capacidad de productos para electrónica de consumo y de componentes genéricos. La prohibición integral de exportación de artículos de doble uso por parte de China a usuarios y usos militares japoneses provocará una reducción adicional de producción en fabricantes japoneses locales. Al mismo tiempo, empresas líderes nacionales como Huawei y ZTE intensifican su apoyo a proveedores locales, lo que seguirá impulsando que los fabricantes en el continente logren avances tecnológicos y aumenten cuota de mercado en componentes pasivos de gama media-alta.

Figura 34：Panorama del mercado de MLCC

Fuente de datos：Asociación de la industria de componentes electrónicos de China, Academia de investigación de industria de ChinaCommerce, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 35：Panorama del mercado de resistencias

Fuente de datos：Instituto de Investigación de Industria 华经产业研究院, 贞光科技, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

【Electrónica de consumo：el mercado de gafas inteligentes acelera su expansión; sistemas ópticos con pendiente larga y nieve gruesa】

La IA y la tecnología óptica impulsan que las gafas inteligentes se conviertan en un próximo terminal de interacción “a nivel fisiológico”. Gracias a su “puerta de entrada” más cercana a los órganos de percepción y audición humanos, las gafas inteligentes evolucionan desde una herramienta auxiliar hacia el centro de interacción de dispositivos de IA. Al integrar grandes modelos y combinar sensores multimodales, las gafas pueden coordinar en tiempo real dispositivos como automóviles, AIPC y hogares inteligentes, rompiendo la barrera de aislamiento del ecosistema e implementando colaboración e interconexión en múltiples escenarios. En el corto plazo, las gafas de audio con IA se lanzan primero como accesorio del teléfono, mientras que las gafas AR, con capacidad de visualización en alta definición y fusión real-virtual, se consideran la forma definitiva como portadora de hardware de IA. Según los productos publicados desde 2025, empresas de múltiples sectores como electrónica de consumo, internet y vehículos de nueva energía, mediante sus ventajas tecnológicas o de ecosistema, realizan despliegue transversal en la ruta de gafas AI+AR.

Tabla 7：Empresas de múltiples sectores con despliegue en la vía de gafas inteligentes

Datos fuente：MicrroDisplay，亿欧网，Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

El mercado global de gafas inteligentes acelera la expansión; en el área AR, China tiene ventajas. Según estadísticas del IDC, en 2025 Q3 la cantidad de envíos del mercado global de gafas inteligentes fue de 79.4B de unidades, con un crecimiento interanual de 74.1%. Entre ellas, el mercado de gafas de audio y de audio grabación envió 125B de unidades, con un crecimiento interanual de 287.5%. En cambio, AR/VR ha visto una disminución en la tasa de crecimiento debido a la debilidad del mercado VR. En el mercado nacional, el crecimiento AR es más rápido: en 2025 Q3 el volumen de envíos del mercado chino de gafas inteligentes fue de 138B de unidades, con un crecimiento interanual de 62.3%. De ellas, el mercado de gafas de audio y de audio grabación envió 122B de unidades, con un crecimiento interanual de 79.2%, y la categoría AR/ER registró la mayor tasa de crecimiento, con 142.3% interanual, cuota de mercado de 83.4%. VR&MR mantiene presión constante y los envíos caen 61.2% interanual. En 2026, los envíos globales de gafas inteligentes entran en una fase de expansión con crecimiento. Según la predicción de维深XR, se espera que en 2026 las ventas de gafas AI y AR sean de 16 millones de unidades y 1.65 millones de unidades, respectivamente, lo que implica un aumento de 9.5 veces y un crecimiento de 2.3 veces respecto a 2024.

Figura 36：Envíos globales por tipo de gafas inteligentes

Fuente de datos：IDC, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Figura 37：Envíos de gafas inteligentes en China por tipo

Fuente de datos：IDC, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

El sistema óptico es una barrera clave para AR y la solución para romper el bloqueo. El sistema óptico incluye partes de óptica y de visualización; es el eslabón con mayor proporción en costos BOM de gafas AR (aprox. 40-50%) y con barreras tecnológicas más profundas. En el lado óptico, la solución de guía de ondas de luz acelera la sustitución de Birdbath hacia el estándar. Entre ellas, las guías de ondas de difracción, gracias a procesos de nivel semiconductor, tienen ventajas frente a arrays en producción a escala y en formas ultraligeras y ultrafinas. En el lado de visualización, la ruta tecnológica se organiza en “tres patas”: LCoS se apoya en una cadena industrial madura y un gran ángulo de campo, siendo favorecida por gigantes como Meta; Micro-OLED, respaldado por alto contraste y madurez, sostiene el mercado de stock de consumo; Micro-LED aún enfrenta cuellos de botella en coloración completa y transferencia masiva, pero se considera la solución definitiva para pantallas en exteriores. Mediante la combinación efectiva de óptica y visualización, se pueden satisfacer las necesidades de alta luminosidad y uso todo clima, resolviendo la contradicción de la industria de “peso, rendimiento y autonomía”.

Tabla 8：Solucciones ópticas de tipo guía de ondas para gafas AR

Fuente de datos：维深XR, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Tabla 9：Cinco tecnologías de microvisualización principales

Fuente de datos：Display之家, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

【Recomendaciones de inversión y avisos de riesgos】

Recomendaciones de inversión

Se recomienda prestar atención a：Zhong鑫科技、兆易创新等 para chips de almacenamiento；

Se recomienda prestar atención a：寒武纪、扬杰科技、捷捷微电、杰华特 para chips de semiconductores；

Se recomienda prestar atención a：SMIC、华虹公司、长电科技、汇成股份等 para fabricación de obleas y encapsulado/pruebas；

Se recomienda prestar atención a：芯碁微装、微导纳米、精测电子、精智达、芯源微等 para equipos de semiconductores；

Se recomienda prestar atención a：铜冠铜箔、菲利华、三环集团、风华高科、顺络电子等 para componentes electrónicos；

Se recomienda prestar atención a：中润光学、蓝特光学、天岳先进等 para electrónica de consumo。

Tabla 10：Situación de utilidades y valuación de las principales compañías, al 25 de febrero de 2026

Fuente de datos：wind, Instituto de Investigación de Valores de Shanxi

Aviso de riesgos

Riesgo de que el ciclo de actividad de la industria no cumpla las expectativas. Las fluctuaciones del entorno macro global pueden llevar a que la demanda de abajo para arriba, como servidores de IA, vehículos de nueva energía y electrónica de consumo, sea inferior a la prevista, afectando las órdenes y la liberación de capacidad de industrias como semiconductores y componentes electrónicos.

Riesgo de que el desarrollo tecnológico y la producción en masa no cumplan las expectativas. La dificultad en I+D de tecnologías centrales como procesos avanzados de semiconductores, HBM, encapsulado Chiplet, visualización óptica AR, es alta. Si los fabricantes nacionales se retrasan en eslabones como avances tecnológicos, rampa de rendimiento y producción en escala, podrían perderse oportunidades de desarrollo del sector.

Riesgo de reconfiguración de la cadena de suministro. Hay tensión de capacidad en fundición de obleas y encapsulado/pruebas; las fluctuaciones de precios de materias primas como metales preciosos, telas de fibra de vidrio y resinas, y el control de importación de equipos y consumibles pueden causar restricciones en la oferta de la cadena de la industria.

Riesgo de fricciones comerciales internacionales. Cambios en políticas comerciales de economías principales como China, EE.UU. y Europa, así como el endurecimiento del control de exportaciones de semiconductores, podrían causar impacto a la división global del trabajo de la cadena industrial, la cooperación tecnológica y la demanda del mercado.

Riesgo de que el progreso de sustitución nacional no cumpla las expectativas. Los problemas tipo “cuello de botella” en eslabones como equipos, materiales, EDA e IP no se pueden resolver a corto plazo, lo que limita expansión de capacidad y mejora de rendimiento de las fábricas de obleas. Los periodos de verificación de clientes downstream son largos, y el aumento de penetración de chips y componentes nacionales podría ir más lento de lo previsto.

Apoyo de políticas industriales menor de lo esperado. La inversión del Gran Fondo de Semiconductores tercera fase disminuye el ritmo de desembolso y se reducen los subsidios, afectando la expansión de capacidad y la inversión en I+D de las empresas. Las políticas de captación de inversiones de los gobiernos locales se ajustan a la baja, y el aterrizaje de proyectos y el apoyo de fondos podrían no cumplir expectativas.

Analista：傅盛盛

Código de registro de práctica：S0760523110003

Analista：李明阳

Código de registro de práctica：S0760525050002

Fecha de publicación del informe：24 de marzo de 2026

【Compromiso del analista】

Yo, ya registrado en la Asociación de la Industria de Valores de China como analista de valores, me comprometo a emitir de manera independiente y objetiva este informe, con una actitud profesional diligente. Asumo responsabilidad por el contenido y las opiniones del informe de investigación de valores, garantizando que las fuentes de información sean legales y compatibles, y que los métodos de investigación sean profesionales y prudentes, y que las conclusiones de análisis tengan base razonable. Este informe refleja clara y exactamente mis opiniones de investigación. No he recibido, no recibo, ni recibiré compensación de ninguna forma, directa o indirectamente, por recomendaciones u opiniones específicas contenidas en este informe. Me comprometo a no utilizar mi identidad, cargo o la información que obtenga durante mi ejercicio profesional para obtener beneficios indebidos para mí mismo o para otros.

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