Acabo de enterarme de que Navitas está lanzando su tecnología de MOSFET SiC de 5ª generación y, honestamente, la ingeniería aquí es bastante sólida. La llaman Trench-Assisted Planar (TAP) y está diseñada específicamente para el centro de datos de IA y la infraestructura de red eléctrica.

Esto es lo que me llamó la atención. La nueva línea de 1200V muestra una mejora del 35% en esa figura de mérito RDS,ON × QGD en comparación con la generación anterior. Ese tipo de ganancia en eficiencia realmente importa en aplicaciones de alta tensión porque se traduce directamente en menores pérdidas de conmutación y operación más fría. También alcanzan una mejora del 25% en la relación QGD/QGS, lo que básicamente significa conmutación más rápida y limpia con mejor inmunidad al ruido.

El ángulo de robustez también es interesante. Han especificado un voltaje de umbral alto (VGS,TH ≥ 3V) que protege contra el encendido parasitario, además de integrar lo que llaman un Diodo de Cuerpo Suave para minimizar EMI durante conmutaciones rápidas. Para quienes operan etapas de potencia de alta frecuencia, eso es un punto problemático que han resuelto.

En cuanto a fiabilidad, han realizado validaciones exhaustivas. Pruebas extendidas HTRB a 3 veces la duración, pruebas de polarización inversa dinámica, y afirman que los tiempos de fallo extrapolados del óxido de puerta superan los 1 millón de años en condiciones de operación. Ese tipo de hoja de especificaciones es importante para infraestructuras críticas.

Navitas posiciona esto como complementario a su línea existente de SiC de voltaje ultra alto de 2300V y 3300V, cubriendo prácticamente todo el espectro ahora. También tienen su cartera de MOSFET GaN en paralelo, lo que les da una buena cobertura en diferentes escenarios de conversión de potencia.

La calificación AEC-Plus también es destacable: significa que estas piezas están siendo probadas más allá de los estándares automotrices, que es lo que necesitas para aplicaciones en centros de datos y redes eléctricas donde la disponibilidad es todo.

Dicen que en los próximos meses lanzarán nuevos productos en esta plataforma, así que vale la pena estar atento si sigues los desarrollos en semiconductores de potencia. Las ganancias de eficiencia aquí podrían ser bastante significativas para quienes diseñan infraestructuras de energía de próxima generación.