CITIC Securities: Seguimos siendo optimistas con la tendencia de crecimiento en innovación en almacenamiento

El informe de investigación de China Merchants Securities afirma que en la era de la IA Agent, el almacenamiento es el núcleo de la capacidad (“power”), impulsando a la industria del almacenamiento a atravesar una transferencia de paradigma a largo plazo. En el lado de la oferta y la demanda, la inferencia de IA dispara de forma drástica el consumo de tokens; a su vez, la KV Cache aumenta de manera lineal. La explosión de la demanda y el desajuste con la ampliación de capacidad por parte de los fabricantes originales provocan que la escasez se normalice. Se espera que la situación de oferta insuficiente y exceso de demanda se mantenga hasta 2027, y que el aumento de precios recorra todo el año 2026. En el aspecto técnico, en un contexto de escasez extrema de HBM y DRAM y costos elevados, los fabricantes comparten soluciones innovadoras de NAND para repartir la presión sobre la demanda de capacidad de la memoria de video. China Merchants Securities mantiene una visión positiva continua sobre la tendencia de crecimiento del almacenamiento impulsado por innovaciones.

El texto completo es el siguiente

Almacenamiento｜De la Cumbre del mercado de memoria flash para observar las tendencias del desarrollo del almacenamiento

En la era de la IA Agent, el almacenamiento es el núcleo de la capacidad, impulsando una transferencia de paradigma a largo plazo en la industria del almacenamiento. En el lado de la oferta y la demanda, la inferencia de IA dispara de forma drástica el consumo de tokens; a su vez, la KV Cache aumenta de manera lineal. La explosión de la demanda y el desajuste con la ampliación de capacidad por parte de los fabricantes originales provocan que la escasez se normalice. Se espera que la situación de oferta insuficiente y exceso de demanda se mantenga hasta 2027, y que el aumento de precios recorra todo el año 2026. En el aspecto técnico, en un contexto de escasez extrema de HBM y DRAM y costos elevados, los fabricantes comparten soluciones innovadoras de NAND para repartir la presión sobre la demanda de capacidad de la memoria de video. Seguimos viendo con buenos ojos la tendencia de crecimiento del almacenamiento impulsado por innovaciones.

▍ La cumbre del mercado chino de memoria flash 2026 se llevará a cabo, con un enfoque en las oportunidades de innovación de almacenamiento en la era de la IA y en la actualización de la cadena industrial.

El 27 de marzo de 2026, la cumbre anual global de la industria de almacenamiento CFMS MemoryS 2026 se celebrará en Shenzhen. Como una cumbre de nivel “termómetro” de la industria, el tema central de esta edición es “Atravesar el ciclo, liberar valor”. La cumbre pone un foco profundo en la innovación tecnológica y en la coordinación de la cadena industrial, atrayendo a decenas de empresas líderes a nivel mundial, como Samsung Electronics, Hynix? (慧荣科技), Kioxia, Solidigm, Intel, Tencent Cloud, entre otras. La cobertura abarca todos los eslabones de la cadena industrial completa, incluyendo fabricantes originales de chips de almacenamiento, diseño de controladoras, fabricación de módulos y servicios en la nube. Mediante un modelo de doble vía —foros de alto nivel y exhibición tecnológica— la cumbre, a medida que avanza, incluye perspectivas de tendencias favorables, centrando la atención en el estallido de demanda de capacidad (“power”) provocado por el fuerte incremento de token/KV Cache en la era de la IA Agent. También se llevan a cabo discusiones de vanguardia sobre el desarrollo y avances tecnológicos de SSD PCIe 5.0/6.0, los breakthroughs en la tecnología QLC de capacidad ultra alta y otras transformaciones innovadoras de almacenamiento impulsadas por IA, mostrando simultáneamente más de cien productos innovadores.

▍ La inferencia de IA impulsa un estallido de la demanda de almacenamiento; el desajuste estructural se normaliza. Se espera que la situación de oferta insuficiente y exceso de demanda, al menos, continúe hasta 2027, y el aumento de precios abarque todo el año 2026.

Lado de la demanda: según los datos del mercado chino de memoria flash de CFM, la salida de servidores en 2026 crece interanualmente +15%. La proporción de servidores de IA dentro del total de envíos de servidores superará el 20%. Cuando los grandes modelos pasan de la fase de entrenamiento a la de inferencia, la explosión de aplicaciones Agent provoca un aumento drástico en el consumo de tokens. Cuando la longitud de la secuencia se incrementa de 1k a 128k tokens, el uso de KV Cache pasa de 0.5GB a 64GB (BF/FP16, por solicitud), y con la combinación de contextos de gran longitud + alta concurrencia, la demanda de almacenamiento crece de forma lineal y explosiva conforme al número de tokens y al volumen de concurrencia. CFM estima que la capacidad HBM en 2025/2026 tendrá incrementos interanuales de +90%/+35% o más respectivamente. Al mismo tiempo, el descenso de la KV Cache y la insuficiencia de oferta de HDD, junto con el desbordamiento de la demanda, impulsan a que eSSD se convierta en el mayor destino de NAND en 2026 (la cuota aumentará hasta el 37%).

Lado de la oferta: el desajuste entre ciclos de ampliación de capacidad hace que la escasez y el aumento de precios se mantengan durante mucho tiempo. Los fabricantes originales de almacenamiento, en general, adoptan estrategias para estabilizar los precios. La capacidad avanzada se destina primero a productos de almacenamiento de IA con mayor margen bruto. Según CFM, la proporción de capacidad de DRAM relativamente más avanzada, incluyendo HBM/DDR5/LP5X/6, pasa de menos del 50% en 2024 a 85%+ en 2026. Los procesos de fabricación maduros y las capacidades de nivel consumo se ven presionados de manera continua. El inventario de la industria pasa de 10~12 semanas en octubre~diciembre de 2023, a 8~10 semanas en agosto~octubre de 2024, y a 4 semanas en 2026, cayendo por debajo de la línea histórica de seguridad. Los ciclos de ampliación de capacidad del almacenamiento son de 18~24 meses; no es posible que aparezca un punto de inflexión en la oferta en el 2S26. Hynix? (慧荣科技) considera que 2027 es recién cuando ocurrirá el “momento más oscuro” de la escasez de almacenamiento. A partir de 2S25, los precios del almacenamiento entran en una subida épica. CFM prevé que el DRAM y NAND ASP mantendrán incrementos durante todo 2026. En la era de la inferencia de IA, el almacenamiento es la capacidad (“power”) central; el almacenamiento entra en una transferencia de paradigma de largo plazo. Para un crecimiento súper, no es un rebote de ciclo.

▍ La cadena de la industria del almacenamiento acelera la reconfiguración del valor.

En la reciente conferencia GTC, Nvidia puso énfasis en “Token factory economics”. Su significado central es reforzar la posición estratégica del almacenamiento dentro de la infraestructura de IA, lo que también implica que el techo de rentabilidad de la industria del almacenamiento se abrirá de forma sostenida a largo plazo. Según datos de CFM, el ASP de los productos eSSD alcanzó en el 1T26 más del doble del ASP de NAND de nivel consumo. Para los fabricantes originales de almacenamiento, lo clave radica en realizar una actualización de los medios y una reestructuración a nivel de arquitectura de sistemas. Esta presentación del foro se centró principalmente en el mercado empresarial; para los proveedores de soluciones de almacenamiento, la atención de la industria pasa de “ver quién es más barato” a “ver quién puede conseguir suministro”. Al mismo tiempo, empresas líderes como Asmedia (?) (群联电子) están acelerando la transición hacia módulos “a medida” de alto valor añadido habilitados con controladoras desarrolladas internamente, y extendiendo SSD de nivel empresarial, para redefinir el valor del almacenamiento y salir del modelo tradicional de depender de inventario de bajo costo.

▍ Tendencia del almacenamiento en la nube de IA (nivel empresarial): estallido de QLC de gran capacidad e iteración acelerada de interfaces, reconfigurando el motor de cómputo.

La IA está acelerando su transición desde la fase de “entrenamiento” a la fase de “inferencia”. En el futuro, se estima que la proporción entre servidores de inferencia y servidores de entrenamiento será tan alta como de 10:1 a 50:1. Actualmente, debido a las limitaciones del ancho de banda del almacenamiento, la disponibilidad de los clústeres de GPU (utilización) es de solo ~46% a 50%. La actualización de la memoria de video se convierte en la demanda principal. Además, en esta cumbre, varios fabricantes compartieron funciones de reasignación de tareas basadas en la coordinación entre cómputo y almacenamiento. El rol de eSSD está pasando de ser un “contenedor pasivo de datos” a un “motor de cómputo” central y a una “capa de memoria expandida”: en el lado de entrenamiento, con apoyo de Checkpoints almacenados en eSSD QLC de ultra gran capacidad, puede aumentar significativamente la eficiencia de ejecución de GPU; en el lado de inferencia, eSSD, mediante caché por capas de KV Cache, asume tareas como la gestión de estados de contexto enormes, consultas de bases de datos vectoriales y la carga de particiones del modelo. Los datos de pruebas reales muestran que, al descargar el KV cache en SSD y eliminar el cálculo de prellenado, el tiempo para generar el primer token (TTFT) puede reducirse 41 veces. El almacenamiento a nivel empresarial muestra las siguientes tendencias tecnológicas:

Ante la demanda de desbordamiento de grandes volúmenes de datos de IA y el almacenamiento en caché de KV Cache, QLC de alta densidad se convierte en el medio clave, y las soluciones QLC de capacidad ultra alta de nivel “cientos de TB” son la primera opción. Kioxia (245.76TB), Bigfoot Micro (?) (大普微) (245TB) y SanDisk (solución SN670 de hasta 256TB) también han presentado productos QLC de ultra gran capacidad de más de 200TB, optimizando enormemente la eficiencia del espacio y el TCO.

Las controladoras de chips avanzan hacia la “cooperación entre hardware y software”, llenando las brechas del medio. Para abordar la lectura/escritura aleatoria de alta frecuencia y la presión de ancho de banda que genera KV Cache en escenarios de inferencia, la controladora de chips se actualiza de manera activa. The Brand (?) “Ping Tou Ge Zhen Yue 510” (平头哥镇岳510) admite de forma nativa el protocolo ZNS y la coordinación a nivel de sistema, impulsando el uso comercial a escala de QLC; acumulando más de 500,000 unidades enviadas. Uniy? (联芸科技) introduce tecnologías como un motor de aceleración de KV y prefetching predictivo, haciendo que la controladora pase de ser un “transportador de datos” a un “orquestador inteligente de recursos” proactivo.

Iteración acelerada de interfaces e innovación en enfriamiento líquido, adaptándose a clústeres ultra grandes de 100,000 GPUs. Frente al reto del gran volumen de datos y el calentamiento de alta densidad para clústeres de miles de tarjetas, decenas de miles y hasta 100,000. Samsung mostró SSDs de 16 canales PCIe 6.0 PM1763, con un salto de rendimiento de entrada/salida de 2.0 veces; la controladora PCIe Gen6 “Lhotse” de FADU ya se ha tapeado; el rendimiento secuencial de lectura alcanzará 28.5GB/s.

▍ Tendencia del almacenamiento en dispositivos finales de IA (nivel consumo): aterrizaje acelerado de IA en el dispositivo, integración de cómputo y almacenamiento para romper el cuello de botella de uso de memoria.

El entorno en el dispositivo final es extremadamente exigente en cuanto al costo de BOM del hardware, el consumo de energía del sistema y la ocupación de memoria DRAM. Por ello, a través de la “integración de cómputo y almacenamiento”, la gestión inteligente de software/hardware y técnicas avanzadas de caché, desplazar la carga de inferencia desde la memoria (DRAM) hacia el almacenamiento flash (NAND) se ha convertido en un complemento importante para superar el cuello de botella en la implementación de grandes modelos en el dispositivo.

IA PC y grandes modelos locales: la tecnología Hybrid híbrida reduce la presión por el aumento explosivo de la necesidad de DRAM. Ejecutar en el dispositivo grandes modelos de decenas o cientos de miles de millones de parámetros es una prueba enorme para la memoria. Jiangbo Long (江波龙) presentó una unidad de procesamiento de almacenamiento con SPU de 5nm y un agente de almacenamiento iSA. En la verificación conjunta de optimización, se logró desplegar localmente el modelo 397B en el host de PC, y en escenarios de contexto de 256K se redujo la ocupación de DRAM en cerca de 40%; Phison (群联电子) presentó Phison Hybrid AI SSD y la tecnología aiDAPTIV+, y se espera que reduzca el uso de DRAM en más de 50%, logrando inferencia local con costos controlables y seguridad.

Autos inteligentes y computación de borde: hacia una arquitectura centralizada de “pooling” y una base unificada de plataforma. La inteligencia encarnada y las capacidades de conducción avanzada exigen requisitos de coordinación global de la arquitectura subyacente. Xiaopeng (小鹏汽车) indicó claramente que, con capacidades de cómputo de hasta 2250 TOPS, el ancho de banda de DRAM ya se ha convertido en el cuello de botella central de la latencia de inferencia; la era de los vehículos con LPDDR6 está por llegar, y el almacenamiento NAND a bordo pasa de islas por dominio a centralización de “pooling” y a software definido.

Smartphones y AIoT (Internet de las cosas): profundización del alto rendimiento de interfaces y tecnologías avanzadas de caché. En función de los requisitos de velocidad de respuesta y autonomía de móviles y dispositivos portátiles emergentes, Hynix? (慧荣科技) lanzará próximamente el nuevo controlador UFS 4.1 SM 2755 y acelerará la configuración para el mercado de AIoT como smartwatches y gafas inteligentes. SanDisk utiliza la tecnología de caché SmartSLC para lograr una operación de alto rendimiento de UFS 4.1 con un consumo de energía de solo ~2W. Jiangbo Long (江波龙) promueve la tecnología de caché avanzada HLC para llevarla a un entorno embebido y reducir el costo de BOM del terminal.

▍ Factores de riesgo:

Riesgo de una economía macroglobal deprimida; demanda aguas abajo por debajo de las expectativas; innovación por debajo de las expectativas; cambios en el entorno de la industria internacional y aumento de riesgos por fricciones comerciales; el progreso de la actualización de capacidad de cómputo por debajo de las expectativas; y que el gasto de capital de los proveedores de nube esté por debajo de las expectativas, etc.

▍ Estrategia de inversión:

Creemos que, con el aumento de la capacidad (“power”) de almacenamiento en la era de la IA Agent, se fortalecerán las tendencias de la industria de almacenamiento y cómputo. Con alta conveniencia para el cómputo cercano (near memory computing), también respaldamos la cadena industrial de HBM y CUBE. Al mismo tiempo, con la escasez de almacenamiento, todo el mercado principal y el de nicho de almacenamiento también se ve afectado por escasez y aumento de precios; varios fabricantes han informado que el aumento de 26Q2 con respecto al trimestre anterior es todavía similar. Esperamos que la situación de oferta insuficiente y exceso de demanda se mantenga al menos hasta finales de 2027. Recomendación central: empresas de módulos de almacenamiento, con fuerte capacidad de explosión de desempeño en el corto plazo; fabricantes originales de almacenamiento y empresas de diseño cercanas a fabricantes originales.

（Fuente: JieMian News）