¿El equipo de semiconductores hereda la "riqueza desbordante" del almacenamiento? La actualización de la tecnología de apilamiento de IA genera dividendos, mejorando la visibilidad de los pedidos en la industria

在AI时代，赚得盆满钵满的存储巨头们，正将行业景气度不断传递至其上游——半导体设备环节。

近日，SK海力士签署了一份高达815.6亿韩元的半导体设备供应合同，合作对象为韩国唯一刻蚀设备供应商VM公司。经测算，此次合同的价值相当于该公司2024全年合并营收的116%。

据媒体援引知情人士消息，VM公司今年来自SK海力士等存储厂商的相关订单累计已达2246亿韩元。按照市场分析师此前预测，VM公司今年收入将在2200亿至2300亿韩元之间。公司高管认为，2026年公司营收将创历史新高。他表示：“产能扩张正在进行，因此今年可能会有更多订单。”

VM公司订单快速起量并非个例，在最近一次摩根士丹利媒体会议上，美国半导体设备制造龙头Lam Research首席财务官Doug Bettinger表示：“自从3D NAND技术推出后，Lam Research的营收翻了一番。预计DRAM也将带来类似的营收增长机会。”

资料显示，Lam Research在3D NAND等先进存储技术领域具有一定优势，这类技术能通过垂直堆叠提高单位面积的存储密度。Doug Bettinger指出，如今半导体架构正朝着3D方向发展，除了NAND，DRAM也将从6F²过渡到4F²，并最终发展成为3D DRAM。

有券商分析称，在AI算力需求爆发背景下，HBM带动DRAM高阶制程升级，3D NAND向400层以上堆叠演进，使得单万片产能投资额同步提升。

东方证券指出，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备用量占比也将不断攀升。与2D NAND时代刻蚀仅作为光刻配套工序不同，3D NAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比；此外，DRAM未来也有望向3D堆叠方向发展，有望进一步推动刻蚀和薄膜沉积设备的需求量。

Lam Research预测，今年前道设备市场将增长23%。为满足客户需求，该公司正在扩大包括马来西亚工厂在内的多家工厂的产能。

▌设备工艺迎“升级潮”

除了需求量攀升，半导体设备工艺也有望随着存储技术的演进而水涨船高。

据报道，随着HBM封装堆叠高度不断增加，业界开始关注放宽半导体封装规格的可能性。日前，联合电子器件工程委员会（JEDEC）正考虑将HBM封装的高度标准从目前的约775微米提高到900微米。

在近日举行的全球半导体盛会SEMICON China 2026期间，韩美半导体宣布推出新一代HBM生产设备“宽尺寸TC键合机”。据介绍，这款设备能够随着HBM芯片面积的扩大，稳定增加TSV（硅通孔）和I/O（输入/输出接口）的数量。通过增加连接DRAM芯片和中介层的微凸点数量，能够确保内存容量和带宽，并提高能效。

与此同时，北方华创、中微公司等分别发布新一代刻蚀设备，并不约而同提到存储技术发展对行业产生的影响：

北方华创表示，全球算力与存储芯片需求的爆发，带动半导体设备市场持续增长。其设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，可满足更先进节点的芯片制造要求。

中微公司表示，随着先进存储芯片对高深宽比刻蚀的要求日益严苛，刻蚀设备面临着对刻蚀精度、均匀性、深宽比等多重挑战。

中信证券表示，考虑到本轮存储上行周期以及下游积极的逻辑需求，预计2026年全球半导体晶圆制造设备（WFE）市场规模将维持高个位数百分比同比增长，且存储占比有望进一步提升。

东吴证券认为，**存储端高层数3D堆叠对高深宽比刻蚀（HAR）、高选择比刻蚀（ALE）以及ALD等原子级沉积技术提出更高要求。**刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三，且随制程演进呈提升趋势。

该机构进一步强调，多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入，使设备数量与工艺复杂度同步提升，设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应，核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。

（文章来源：财联社）