Applied Materials y SK Hynix co-desarrollarán DRAM de próxima generación y HBM en la instalación de I+D $5bn Silicon Valley

Applied Materials y SK Hynix están colaborando para desarrollar DRAM de próxima generación y memoria de alta ancho de banda (HBM) en el Centro EPIC de Applied en Silicon Valley, con una inversión de 5 mil millones de dólares. Esta asociación tiene como objetivo mejorar el rendimiento y la manufacturabilidad de futuras arquitecturas de memoria, centrándose en la innovación de materiales, integración de procesos y empaquetado avanzado en 3D. La iniciativa responde a la creciente demanda de tecnologías de memoria energéticamente eficientes impulsadas por sistemas de IA y busca mitigar la actual escasez de chips de memoria.