NoMIS Power amplía su cartera de MOSFETs SiC de media tensión con nuevos dispositivos de 3.3 kV y 1.7 kV

PR Newswire

Mié, 25 de febrero de 2026 a las 22:56 GMT+9 4 min de lectura

ALBANY, N.Y., 25 de febrero de 2026 /PRNewswire/ – NoMIS Power Corporation, líder en tecnología avanzada de semiconductores de potencia de Carburo de Silicio (SiC), anunció hoy el lanzamiento comercial de dos MOSFETs SiC de media tensión: NoMIS N3PT035MP330K (3.3 kV, 35 mΩ, 88 A) y NoMIS N3PT100MP170K (1.7 kV, 100 mΩ, 24 A). Ambos dispositivos pueden ser muestreados como componentes empaquetados TO-247-4L o como chips desnudos.

Estos lanzamientos destacan la continua expansión de NoMIS Power hacia dispositivos SiC de mayor voltaje y corriente, y marcan la primera oferta de MOSFET SiC de 1.7 kV de NoMIS, con productos de pequeña resistencia y bajo tamaño que llegarán pronto. Ambos dispositivos están construidos sobre la plataforma de SiC de próxima generación de NoMIS, que utiliza estructuras de celda unitaria optimizadas para extender el rendimiento desde sus probados dispositivos de 1.2 kV hacia las clases de 1.7 kV y 3.3 kV. La plataforma está diseñada para permitir una mayor eficiencia, operación a frecuencias más altas para incrementar la densidad de potencia del convertidor, y una fiabilidad a largo plazo en entornos operativos adversos.

En línea con el enfoque de NoMIS Power en mercados de alto crecimiento de media y alta tensión, estos dispositivos están destinados a infraestructura energética y de red (BESS, energías renovables, interfaces HVDC, transformadores de estado sólido (SST)), protección DC de estado sólido (SSCBs), energía y misión en aeroespacial y defensa, electrificación del transporte (ferrocarril y vehículos pesados eléctricos), drives industriales y electrificación marina.

Resumen del producto

• N3PT035MP330K – MOSFET SiC de 3.3 kV: 35 mΩ, 88 A; dirigido a etapas de convertidores de media tensión que requieren conmutación de bajas pérdidas y alta densidad de potencia.
• N3PT100MP170K – MOSFET SiC de 1.7 kV: 100 mΩ, 24 A; dirigido a buses DC de aproximadamente 1.0 kV utilizados en auxiliares de tracción, subsistemas de carga y fuentes de alimentación industriales.

Beneficios clave para la conversión de potencia MV/HV

Ambos dispositivos combinan una resistencia de conducción específica ultra baja con un óxido de puerta más grueso que el estándar de la industria para ofrecer:

• Rendimiento estable hasta 175°C
• Voltaje de puerta de +18 V y +20 V para compatibilidad con sistemas heredados
• Mayor capacidad dv/dt habilitada por una plataforma de próxima generación y estructuras de celda unitaria optimizadas
• Mejora en eficiencia y robustez para condiciones exigentes de conmutación MV/HV
• Fuertes métricas de rendimiento (FOM): bajo [Ron*Coss] y [Ron*Crss] (y para 1.7 kV, bajo [Ron*Ciss])

Mercados objetivo para la adopción de SiC de media tensión

• Energía e infraestructura: BESS a escala de utilidad, inversores solares de alta potencia, convertidores renovables, transformadores de estado sólido (SST) e interfaces de red MV/HV.
• Protección DC: Interruptores de circuito de estado sólido DC (SSCBs) y etapas de protección/control rápidas para redes DC MV resilientes.
• Aeroespacial y defensa: subsistemas de aeronaves electrificadas, energía en tierra, etapas de potencia de radar/comunicaciones y electrónica de misión.
• Transporte y marina: tracción ferroviaria, autobuses y camiones, equipos fuera de carretera, propulsión marina y energía ship-to-shore.
• Drive industriales: variadores de frecuencia de media tensión (VFDs) y grandes accionamientos de motor donde menores pérdidas reducen requisitos de refrigeración y aumentan la densidad del inversor.

Cita del ejecutivo

“Estamos ampliando continuamente nuestra cartera hacia dispositivos SiC de mayor tensión y corriente, construidos sobre una plataforma de próxima generación que también sustenta nuestros MOSFETs de 1.2 kV probados”, dijo el Dr. Adam Morgan, cofundador y CEO de NoMIS Power. “Esta es nuestra primera oferta de 1.7 kV, un nodo transitorio importante que conecta los diseños establecidos de 1.2 kV con arquitecturas de 3.3 kV y permite etapas de potencia eficientes en buses DC de aproximadamente 1.0 kV en tracción, carga y sistemas industriales. La misma plataforma ofrece mayor capacidad dv/dt y una estructura de celda unitaria optimizada para un mejor equilibrio entre eficiencia y robustez, manteniendo métricas de rendimiento sólidas. Tras el éxito del lanzamiento comercial de nuestro primer dispositivo de 3.3 kV, 80 mΩ, presentaremos MOSFETs de 50 mΩ y 25 mΩ de 3.3 kV para completar la gama, junto con chips de alta resistencia para funciones IMD y SSR y diodos SiC de 3.3 kV para complementar la hoja de ruta.”

Disponibilidad y distribución

Ambos dispositivos están disponibles para pedido hoy, en muestras como componentes empaquetados y chips desnudos. NoMIS Power apoya evaluaciones y actividades de integración, incluyendo orientación para la transición desde plataformas heredadas basadas en IGBT. Otros tipos de empaquetado están disponibles bajo solicitud.

Para fortalecer el acceso de los clientes en mercados clave de media tensión y misión crítica—especialmente en aeroespacial y defensa—el Grupo Astute es un socio de distribución autorizado para NoMIS Power en Europa y otras regiones globales.

Presentación en APEC 2026

NoMIS Power estará presente en la Conferencia y Exposición de Electrónica de Potencia Aplicada IEEE (APEC 2026), del 22 al 26 de marzo de 2026, en el Henry B. Gonzalez Convention Center en San Antonio, Texas. Visite el Stand 2156 para discutir sus necesidades de aplicación y explorar cómo la cartera actual y futura de NoMIS Power, o soluciones personalizadas, pueden apoyar sus requisitos de sistema.

Acerca de NoMIS Power

NoMIS Power desarrolla semiconductores de potencia de Carburo de Silicio (SiC) y empaquetado desde 1200 V hasta 20 kV, apoyando a clientes en todo el mundo con opciones de suministro regional, personalización y licencias.

Contacto con medios:

Adam Morgan

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