Samsung Electronics presenta en la conferencia GTC de Nvidia muestras de chips HBM4E

En la conferencia anual de tecnología organizada por Nvidia, Samsung Electronics anunció su séptima generación de memoria de alta ancho de banda (HBM), conocida como HBM4E. Nvidia destacó en la reunión la relación de colaboración en constante expansión con este fabricante de chips surcoreano, más allá de los chips de memoria.

En la conferencia GTC 2026 de Nvidia, que comenzó el lunes en California, Samsung Electronics presentó los avances más recientes de su producto HBM4E y demostró su capacidad como proveedor integral de soluciones de memoria para la plataforma de inteligencia artificial Vera Rubin de Nvidia.

Esta fue la primera vez que Samsung Electronics mostró públicamente un chip HBM4E físico, con una velocidad de transferencia de un solo pin prevista de hasta 16 Gbps y un ancho de banda de 4.0 TB/s.

Este rendimiento supera al del HBM4, que tiene una velocidad de transferencia de 13 Gbps por pin y un ancho de banda de 3.3 TB/s.

En su discurso principal, el CEO de Nvidia, Jensen Huang, agradeció a Samsung Electronics por la producción de la unidad de procesamiento de lenguaje Groq 3 (LPU), que será utilizada en la plataforma de inteligencia artificial de Nvidia para mejorar su rendimiento.

“Quiero agradecer a Samsung, que produce los chips Groq 3 LPU para nosotros; están poniendo todo su esfuerzo. Realmente aprecio su trabajo”, dijo Huang, confirmando que el chip es fabricado por la división de foundry de Samsung Electronics.

Estas palabras de Huang indican que Samsung Electronics y Nvidia han ampliado su colaboración en el campo de la inteligencia artificial para incluir también la fabricación de chips.

El mes pasado, Samsung Electronics comenzó a distribuir en masa el chip de sexta generación HBM, conocido como HBM4, diseñado específicamente para la plataforma Vera Rubin de Nvidia, la cual Samsung afirma que puede ofrecer un rendimiento extremo para cálculos de inteligencia artificial.

Samsung también lanzó la tecnología de unión de cobre híbrido (HCB), que permite apilar más de 16 capas de cobre, reduciendo la resistencia térmica en un 20% en comparación con la unión por compresión térmica (TCB), demostrando su fortaleza en el empaquetado de próxima generación de HBM.

Este gigante tecnológico surcoreano afirmó: “Para impulsar la innovación en la industria de la inteligencia artificial, sistemas de IA potentes, como la plataforma Vera Rubin, son fundamentales”.

Samsung añadió: “La compañía planea seguir proporcionando soluciones de memoria de alto rendimiento para apoyar la plataforma Vera Rubin”.

Además, Samsung indicó que ambas empresas esperan aprovechar esta colaboración para liderar la transformación del paradigma de infraestructura de inteligencia artificial a nivel global.

Durante el evento, Samsung Electronics estableció un stand dividido en tres áreas: fábrica de inteligencia artificial, inteligencia artificial local y inteligencia artificial física, donde exhibió los chips de próxima generación diseñados para satisfacer las demandas de la industria de la inteligencia artificial.