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Samsung Electronics planea producción en masa de muestras de semiconductores de potencia SiC en el tercer trimestre
Samsung Electronics planea comenzar la producción en masa de muestras de semiconductores de potencia de SiC (carburo de silicio) en el tercer trimestre de este año, tras haber pedido recientemente materias primas y componentes. Se informa que la primera muestra que Samsung producirá en masa será un MOSFET de SiC plano. El MOSFET es un tipo de transistor utilizado para conmutar y amplificar señales electrónicas. (Diario de la Junta de Innovación Tecnológica)