据英特尔和 ASML 透露,英特尔在近期的一场行业会议上宣布参与下一代 12 英寸掩模版平台的开发。英特尔已将 High NA EUV 技术投入生产,目前已有超过 100 万片晶圆采用该工艺。三星也承诺参与这一倡议,计划在 2028 年前将 High NA EUV 引入 DRAM 量产,这将标志着 High NA EUV 首次应用于存储器制造。 英特尔正推进双轨战略:一方面利用现有的 6 英寸掩模版进行掩模版拼接,另一方面向下一代 6×12 英寸掩模版格式迈进。三星同时运营存储器和晶圆代工业务,预计将在掩模版转型中发挥关键作用,并与合作伙伴合作开发所需的掩模技术和基础设施。