Cấu trúc ba cực của HBM đã hình thành: SK Hynix, Samsung và Micron cạnh tranh như thế nào để giành quyền định giá bộ nhớ AI?

Năm 2026, ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu đang trải qua một cuộc cách mạng mang tính cấu trúc do AI sinh ra, trong đó chip lưu trữ băng thông cao (HBM) đứng ở trung tâm của cuộc cách mạng này. Dưới sự thúc đẩy kép của việc tăng tốc các nền tảng Blackwell và Rubin của Nvidia, cùng với việc các nhà sản xuất thiết bị gốc (CSP) tự nghiên cứu chip AI chuyên dụng quy mô lớn, thị trường HBM đang hình thành một cấu trúc độc quyền tập trung vào SK Hynix, Samsung Electronics và Micron. Khác với chu kỳ cung cầu theo chu kỳ của DRAM truyền thống, đợt mở rộng HBM này mang đặc điểm của việc nhanh chóng tiến bộ công nghệ qua các thế hệ, khả năng sản xuất cực kỳ khan hiếm và quyền định giá vượt trội liên tục được củng cố. Trong cuộc chiến này, làm thế nào để Micron, vị trí thứ ba lâu dài, từ một người theo sau trở thành một đối thủ cạnh tranh đáng kể, trở thành một chủ đề then chốt đáng để phân tích sâu.

Hình thành cấu trúc tam cực của HBM: Từ cạnh tranh độc quyền đến phân tầng kim tự tháp

Theo báo cáo khảo sát ngành DRAM mới nhất của tổ chức nghiên cứu thị trường TrendForce công bố tháng 6 năm 2026, trong quý 1 năm 2026, Samsung dẫn đầu với thị phần tổng hợp DRAM là 38,5%, doanh thu DRAM đạt 37,32 tỷ USD, tăng 93,4% so với quý trước. Trong đó, doanh thu DRAM dành cho máy chủ của Samsung đứng đầu ngành, mức tăng giá trung bình (ASP) tổng thể cũng dẫn đầu các đối thủ. Vị trí thứ hai là SK Hynix với thị phần tổng hợp DRAM là 28,8%, doanh thu quý đạt 27,98 tỷ USD, tăng 62,5% so với quý trước.

Tỷ lệ xuất xưởng bit HBM của SK Hynix cao nhất trong ba nhà sản xuất chính, tuy nhiên giá hợp đồng HBM năm 2026 đã có xu hướng giảm cấu trúc, hạn chế mức tăng giá tổng thể của các sản phẩm. Doanh thu DRAM của Micron đạt 21,75 tỷ USD, tăng 81,6% so với quý, giữ vững vị trí thứ ba với thị phần 22,4%.

Tập trung vào thị trường HBM, Counterpoint Research dự đoán rằng năm 2026, thị phần HBM4 của SK Hynix khoảng 54%, Samsung khoảng 28%, còn Micron khoảng 18%. TrendForce chỉ ra rằng, dựa trên nền tảng hợp tác HBM với Nvidia, SK Hynix sẽ duy trì lợi thế trong phân bổ bit cung cấp HBM, dự kiến thị phần HBM trong năm 2026 sẽ duy trì khoảng 50%; tiến trình xác nhận HBM4 của Samsung diễn ra nhanh nhất, dự kiến sau quý II sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt, thị phần HBM của Samsung khoảng 28% năm 2026; còn Micron khoảng 22%.

Điều này có nghĩa là thị trường HBM hiện tại đã hình thành một cấu trúc phân tầng rõ ràng của các nhà độc quyền. SK Hynix dựa vào lợi thế đi trước nằm trong nhóm đầu, Samsung dựa vào việc xây dựng năng lực sản xuất mạnh mẽ của DRAM 1c và khả năng tự nghiên cứu toàn bộ chuỗi, đẩy nhanh việc bắt kịp, còn Micron với phần thị phần hạn chế nhưng không thể thay thế, đang dần mở rộng vị thế, tạo thành một cấu trúc ổn định “tam cực”.

Con đường dẫn đầu của Samsung và SK Hynix: Công nghệ thế hệ mới và mở rộng năng lực sản xuất

Chiến lược cốt lõi của Samsung năm 2026 tập trung vào việc mở rộng quy mô công nghệ node DRAM 1c và thúc đẩy sản xuất hàng loạt HBM4. Samsung dự định đến cuối năm 2026, nâng cao năng lực sản xuất hàng tháng của DRAM 1c lên khoảng 150.000 viên, để phục vụ sản xuất hàng loạt HBM4. Ngoài ra, Samsung còn dự định xây dựng một dây chuyền sản xuất DRAM tiên tiến mới tại nhà máy P4 ở Pyeongtaek, mục tiêu đạt công suất khoảng 120.000 viên wafer DRAM mỗi tháng, gần bằng một phần năm công suất hiện tại của Samsung là 660.000 viên mỗi tháng, từ đó dự đoán tỷ lệ phần trăm năng lực liên quan đến HBM4 trong tổng năng lực DRAM của Samsung sẽ đạt khoảng 25%. Trong các thế hệ sản phẩm, HBM3E của Samsung đã được Nvidia xác nhận, HBM4 dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt sau khi được xác nhận vào tháng 2 năm 2026 và đã bắt đầu giao hàng cho khách hàng. Samsung còn dự kiến đến năm 2026, tổng sản lượng HBM sẽ tăng gấp ba lần so với năm 2025, trong đó hơn một nửa là HBM4.

Trong khi đó, SK Hynix đang tích cực thúc đẩy kế hoạch sản xuất hàng loạt HBM4 và HBM4E. Sản phẩm HBM4 chồng 16 lớp của SK Hynix có dung lượng đạt 48GB, băng thông tổng thể vượt 2TB/s, sử dụng công nghệ đóng gói tiên tiến MR-MUF và chip nền logic gia công bởi TSMC. Công ty còn dự định đẩy mạnh sản xuất hàng loạt HBM4 16-Hi, HBM4E (8/12/16-Hi) và các phiên bản tùy chỉnh của HBM4E trong khoảng thời gian từ 2026 đến 2028. Tập đoàn SK còn tuyên bố sẽ nhân đôi năng lực wafer trong 5 năm tới và nhấn mạnh rằng “thiếu hụt chip lưu trữ do AI mang lại sẽ kéo dài đến năm 2030”.

Về công nghệ tản nhiệt và đóng gói tiên tiến, Samsung đã trình diễn nguyên mẫu HBM5 tại Computex 2026, giới thiệu cấu trúc dẫn nhiệt dựa trên đồng tích hợp trong chip HPB, mục tiêu là bắt đầu sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2028; SK Hynix đã ra mắt công nghệ tản nhiệt iHBM, giảm trở nhiệt hơn 30%, dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm 2029-2030.

Con đường bắt kịp của Micron: Từ người đi sau đến đối thủ cạnh tranh

Đối với Micron, điểm chú ý của thị trường không phải là tỷ lệ phần trăm thị phần ngắn hạn, mà là khả năng chuyển đổi từ “thứ ba” thành “đối thủ cạnh tranh không thể thay thế” có thể hoàn thành hay không.

Về năng lực sản xuất, toàn bộ năng lực HBM của Micron năm 2026 đã bán hết, và công ty dự định ưu tiên sản xuất hàng loạt các dòng sản phẩm DRAM 1-gamma và HBM4. Ban lãnh đạo đã rõ ràng tại hội nghị nhà đầu tư của JPMorgan rằng tốc độ tăng trưởng sản xuất hàng loạt HBM4 khoảng gấp đôi so với HBM3E 12-Hi trước đó, cho thấy hiệu quả mở rộng năng lực của Micron đang được cải thiện rõ rệt. Ngoài ra, sản phẩm tiêu chuẩn HBM4 dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm 2027, kết hợp chip logic nền tảng tiên tiến do TSMC gia công, nhằm tiếp cận thị trường tăng tốc AI thế hệ tiếp theo.

Về mặt công nghệ, sản phẩm HBM4 của Micron sử dụng quy trình 1-beta (1β) và chip nền CMOS tự phát triển, đã bước vào giai đoạn giao hàng hàng loạt, trong đó phiên bản 36GB 12 lớp HBM4 dành riêng cho nền tảng AI Nvidia Vera Rubin đã bắt đầu giao hàng số lượng lớn trong hội nghị GTC 2026. Theo dự đoán của thị trường, giá trung bình của HBM của Micron sẽ tăng khoảng 22% trong năm 2026, cao nhất trong ba nhà sản xuất chính. Tỷ lệ tăng giá ASP cao cho thấy các sản phẩm của họ đang được thị trường công nhận về con đường phân biệt.

Ngoài ra, Micron đã điều chỉnh ưu tiên chiến lược — dừng đầu tư vào các sản phẩm thương mại tiêu dùng Crucial vào cuối năm 2025, chuyển toàn bộ nhân lực sang các giải pháp bộ nhớ doanh nghiệp AI có lợi nhuận cao, trong đó HBM trở thành động lực tăng trưởng cốt lõi. Quyết định này đồng nghĩa với việc Micron đang thực hiện một cuộc tái cấu trúc căn bản về danh mục kinh doanh của mình, từ mô hình truyền thống dựa trên DRAM tiêu dùng lớn sang tập trung vào các sản phẩm bộ nhớ AI như HBM cho máy chủ.

Áp lực cung ứng và cuộc chơi định giá

Điểm đặc biệt của ngành HBM là quyền định giá không chỉ phụ thuộc vào tốc độ bùng nổ của nhu cầu, mà còn dựa trên giới hạn cấu trúc của cung.

Theo nghiên cứu của TrendForce, tỷ lệ phần trăm sản lượng wafer HBM trong tổng sản lượng wafer DRAM sẽ từ khoảng 18% vào cuối năm 2025 tăng lên khoảng 22% vào cuối năm 2026, và dự kiến đạt khoảng 30% vào năm 2027. Đồng thời, mỗi đơn vị bit HBM tiêu thụ lượng wafer gấp ba lần so với DDR5 tiêu chuẩn, hiệu ứng “tiêu thụ năng lực” này có nghĩa là ngay cả khi ba nhà sản xuất chính tăng tốc độ phân bổ wafer HBM, khả năng cung ứng vẫn bị hạn chế nghiêm trọng.

Trong khi đó, ba nhà sản xuất chính đang sử dụng khả năng độc quyền của mình để kiểm soát giá HBM trong phạm vi có thể. Quý 1 năm 2026, giá trị wafer của HBM đã bị vượt mặt bởi DDR5 RDIMM 64GB, biên lợi nhuận của HBM lần đầu tiên thấp hơn so với bộ nhớ máy chủ DDR5 cao cấp trong quý này. Ba nhà sản xuất đang đàm phán giá hợp đồng dài hạn HBM4 cho năm 2027, TrendForce cho rằng, dựa trên tình trạng cung cấp DRAM chung căng thẳng, độ khó sản xuất của hai thế hệ HBM mới cũ, cùng với chi phí đơn vị cao, các nhà sản xuất chính sẽ tăng mạnh giá HBM vào năm 2027, giành quyền định giá rõ ràng trong đàm phán giá hàng năm của HBM.

Về phía khách hàng, Nvidia vẫn chiếm khoảng 60% tổng cầu HBM năm 2026, nhưng dự kiến tỷ lệ này sẽ giảm xuống còn 48% vào năm 2027, trong khi các CSP như Google, AWS, Microsoft sẽ nhanh chóng tăng tỷ lệ tự nghiên cứu chip AI của riêng họ. Nhu cầu HBM tùy biến tăng lên tạo điều kiện cho các nhà sản xuất chính định giá sản phẩm khác biệt, độ tập trung khách hàng đang được điều chỉnh lại, nhưng bất kể bên nào, đều khó thoát khỏi khả năng cung cấp của các nhà sản xuất chính, quyền định giá HBM đang chuyển dần từ phía cầu sang phía cung.

Rủi ro tiềm ẩn: Động lực tăng trưởng chậm lại và trì hoãn xác thực khách hàng

Dù triển vọng dài hạn tích cực, thị trường HBM hiện tại vẫn đối mặt với nhiều bất định. Trước hết, trong báo cáo ngành HBM quý 1 năm 2026, TrendForce chỉ ra rằng, mặc dù thị trường HBM tiếp tục tăng trưởng, nhưng do trì hoãn nâng cấp chip và tích trữ tồn kho, tốc độ tăng trưởng chung năm 2026 có thể chậm lại, cung cầu sẽ dần cân bằng từ mức cao. Thứ hai, tỷ lệ thành công của DRAM 1c HBM4 của Samsung hiện chỉ khoảng 50%, khả năng cải thiện tỷ lệ thành công trong nửa đầu năm để mở rộng quy mô giao hàng thực tế vẫn còn là một yếu tố chưa rõ. Về phía Micron, mặc dù năng lực đã bán hết, nhưng DRAM 1-gamma của họ sử dụng công nghệ EUV, cũng cần thời gian để nâng cao tỷ lệ thành công, việc đạt được sản lượng lớn và ổn định vẫn còn cần thời gian xác nhận.

Hơn nữa, nếu việc mở rộng toàn diện HBM4 hiệu suất cao bị trì hoãn do chậm tiến độ thiết kế chip và sản xuất hàng loạt của khách hàng, doanh thu của các nhà sản xuất chính có thể sẽ bị điều chỉnh giảm trong ngắn hạn. Cuối cùng, quyền định giá là một cuộc chơi động: nếu tốc độ tăng trưởng chi tiêu vốn cho hạ tầng AI giảm bớt vào năm 2027, lợi thế định giá vượt trội của HBM có thể bị thu hẹp trong một khoảng thời gian nhất định.

Kết luận

Nhìn chung, thị trường HBM toàn cầu năm 2026 vẫn là một “cấu trúc tam cực” do SK Hynix, Samsung Electronics và Micron Technology xây dựng. SK Hynix dựa vào vị thế đi trước gắn bó sâu với Nvidia và các công nghệ đóng gói như MR-MUF, duy trì vị thế dẫn đầu trong thị trường HBM4; Samsung dựa vào tích lũy công nghệ và năng lực sản xuất lâu dài trong lĩnh vực DRAM, cùng khả năng cung ứng toàn diện từ DRAM, chip logic đến đóng gói 3D, đang phát động cuộc phản công mạnh mẽ về thế hệ mới; còn Micron từ vị trí “người thứ ba” chu kỳ ngành DRAM trước đây, đang chuyển đổi toàn diện sang vị trí nhà cung cấp thứ hai không thể bỏ qua trong lĩnh vực bộ nhớ AI, với các sản phẩm HBM phân biệt, năng lực mở rộng HBM4 hiệu quả và dòng sản phẩm bộ nhớ AI toàn diện là những điểm mạnh hỗ trợ mạnh mẽ cho quá trình bắt kịp của họ.

Dù giá HBM dự kiến vẫn vững chắc và quyền định giá đang chuyển mạnh sang phía cung, nhưng các yếu tố bất định như hạn chế năng lực sản xuất, rủi ro tỷ lệ thành công, trì hoãn nâng cấp chip và tốc độ tăng trưởng chung của HBM năm 2026 vẫn cần theo dõi sát sao. Đối với các nhà tham gia ngành, việc nhìn nhận vượt ra khỏi cuộc chơi cung cầu ngắn hạn để xem xét mối quan hệ giữa chuyển đổi công nghệ thế hệ mới và khan hiếm năng lực sản xuất có thể là con đường tiếp cận hợp lý hơn để hiểu các chiến lược cạnh tranh trung và dài hạn.