DRAM lập đỉnh mới trong lịch sử: ETF bộ nhớ hoàn toàn đầu tiên trên thế giới đạt gần 150% mức tăng trong năm?

Ngày 2 tháng 4 năm 2026, quỹ giao dịch trao đổi đầu tiên trên thế giới dựa hoàn toàn vào chip bộ nhớ nội bộ làm chủ đề đầu tư — Roundhill Memory ETF (mã giao dịch: DRAM) chính thức niêm yết tại Sở Giao dịch Cboe BZX. Chỉ sau hai tháng ra mắt, giá của ETF này đã tăng từ khoảng 28 USD khi phát hành lên trên 50 USD, mức tăng tích lũy gần 150%, quy mô quản lý tài sản vượt qua 10 tỷ USD, trở thành một trong những ETF tăng trưởng nhanh nhất trong lịch sử. Tính đến ngày 2 tháng 6 năm 2026, giá giao dịch mới nhất của DRAM là 68 USD, mức tăng trong 24 giờ là 7.6%.

Sự tăng trưởng bùng nổ của ETF này không phải là một sự kiện đơn lẻ, mà là phản ánh tập trung của làn sóng mở rộng hạ tầng AI toàn cầu trên thị trường vốn. Các chip bộ nhớ mà nó theo dõi đang ở trong giai đoạn quan trọng nhất của việc mở rộng năng lực tính toán AI, là điểm nghẽn then chốt.

Tại sao một ETF mới chỉ ra mắt hai tháng lại có thể trở thành sản phẩm tăng trưởng nhanh nhất toàn cầu?

Hai tháng hoàn thành chặng đường của mười năm — Cột mốc tăng trưởng của DRAM ETF

DRAM đã hoàn thành chặng đường tăng trưởng quy mô mà phải mất nhiều năm của các ETF truyền thống chỉ trong khoảng hai tháng. Sức bật của nó không chỉ đến từ việc giá trên thị trường thứ cấp tăng — từ 28 USD lên trên 50 USD, mức tăng đã rất hấp dẫn — mà còn đến từ tốc độ dòng vốn chảy vào nhanh hơn dự kiến rất nhiều.

Theo dữ liệu công khai, sau 10 ngày niêm yết, DRAM đã vượt mốc 1 tỷ USD quy mô quản lý tài sản, sau 25 ngày vượt qua 50 tỷ USD. Tốc độ này phá vỡ các kỷ lục trước đó, biến nó thành sản phẩm có thời gian ngắn nhất để đạt 100 tỷ USD AUM trong lịch sử ETF. Tính đến cuối tháng 5 năm 2026, quy mô AUM của quỹ đã ổn định ở khoảng 103 tỷ USD, dòng vốn chảy vào hàng tuần vẫn duy trì tích cực.

Sự chú ý mạnh mẽ của dòng vốn này phản ánh sự công nhận của thị trường đối với hướng đầu tư “chủ đề bộ nhớ nội bộ” mang tính khác biệt. So với các ETF bán dẫn truyền thống như SOXX hay SMH, bao phủ rộng các thành phần như chip logic, thiết bị sản xuất, DRAM giới hạn phạm vi đầu tư trong lĩnh vực chip bộ nhớ và lưu trữ, cung cấp một cách tiếp cận tập trung và thuần túy hơn vào hạ tầng AI.

Tại sao chip bộ nhớ lại trở thành điểm nghẽn then chốt trong quá trình mở rộng năng lực tính toán AI hiện nay?

Để hiểu rõ về diễn biến giá của DRAM, trước tiên cần trả lời một câu hỏi cốt lõi: vai trò của chip bộ nhớ trong hệ thống năng lực tính toán AI là gì?

Việc nâng cao năng lực tính toán AI không chỉ dựa vào sự tiến bộ liên tục của các chip tính toán như GPU — mà còn bị giới hạn bởi hiệu quả truyền dữ liệu giữa bộ xử lý và bộ nhớ. Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là thành phần chính của các card tăng tốc AI, còn DRAM và NAND Flash đảm nhận chức năng hỗ trợ vận hành hệ thống máy chủ và truy cập dữ liệu quy mô lớn.

Hiện tại, tình trạng thiếu cung HBM, DRAM và NAND Flash dự kiến sẽ kéo dài đến sau năm 2026, với động lực chính đến từ nhu cầu bùng nổ về bộ nhớ hiệu suất cao trong các ứng dụng AI, trong khi nguồn cung bị hạn chế bởi nhiều rào cản kỹ thuật khiến việc mở rộng sản xuất nhanh gặp khó khăn. Cụ thể, quy trình chế tạo HBM mới có kích thước chip ngày càng lớn, dẫn đến giảm số lượng chip có thể cắt ra từ một wafer; quá trình khắc tia cực tím cực tím (EUV) trong các quy trình tiên tiến của DRAM còn hạn chế tốc độ tăng năng lực sản xuất.

Điểm yếu của năng lực tính toán AI — Cấu hình cung cầu chip bộ nhớ đang căng thẳng

Trong khi nguồn cung bị hạn chế, nhu cầu mở rộng vẫn tiếp tục tăng tốc. Ngân hàng JP Morgan trong báo cáo nghiên cứu mới nhất đã nâng dự báo quy mô thị trường lưu trữ toàn cầu từ 2026 đến 2028 lên đáng kể, dự kiến đến năm 2028 tổng quy mô sẽ đạt 1,7 nghìn tỷ USD. Micron đã xác nhận toàn bộ năng lực sản xuất HBM của năm 2026 đã được đặt hàng hết, khả năng định giá do đó cũng tăng rõ rệt. SK Hynix chiếm khoảng 60% thị phần HBM, trở thành đối tác chủ chốt trong hệ sinh thái AI của Nvidia.

Đặc điểm danh mục ETF chủ đề bộ nhớ nội bộ: mức độ tập trung và phân bổ rủi ro như thế nào?

Sự tập trung cao của DRAM không phải là một nhược điểm thiết kế, mà là kết quả tất yếu của định hướng chủ đề này. Hiện tại, ETF này nắm giữ khoảng 20 chứng khoán thành phần, trong đó ba vị trí lớn nhất là SK Hynix (khoảng 28%), Samsung Electronics (khoảng 21%) và Micron Technology (gồm cổ phiếu chính và các sản phẩm phái sinh, tổng cộng khoảng 26%), chiếm gần 70% tổng tỷ trọng của quỹ.

Ba ông lớn và phân bổ địa lý — Tổng quan về mức độ tập trung của danh mục DRAM ETF

Tổng tỷ trọng của các công ty Hàn Quốc trong ETF này khoảng 52%–55% (chủ yếu từ SK Hynix và Samsung Electronics), các công ty Mỹ khoảng 32%–35% (chủ yếu từ Micron Technology), phần còn lại phân bổ tại Đài Loan (khoảng 7%–8%), Nhật Bản (khoảng 3%–4%) và các khu vực khác. Tổng cộng, ba nhóm này chiếm gần 100%. Mức độ tập trung địa lý này cũng phản ánh đặc điểm phân bổ năng lực sản xuất chip bộ nhớ toàn cầu: các doanh nghiệp Hàn Quốc chiếm ưu thế trong lĩnh vực HBM và DRAM, Micron của Mỹ cũng giữ vị trí quan trọng trong DRAM và NAND, còn Đài Loan có các công ty như Nanya Technology và Winbond Electronics như các thành phần bổ sung trong danh mục.

Từ HBM đến DDR5: Quá trình mở rộng nhu cầu bộ nhớ đang trải qua những biến đổi về cấu trúc như thế nào?

Trong hai năm qua, sự chú ý của thị trường đối với bộ nhớ chủ yếu tập trung vào HBM, vì đây là thành phần trực tiếp của các chip huấn luyện AI. Tuy nhiên, khi các ứng dụng AI tiến từ giai đoạn huấn luyện sang giai đoạn suy luận và thời đại trí tuệ nhân tạo tự hành, cấu trúc nhu cầu về bộ nhớ đang có những thay đổi sâu sắc.

Từ HBM đến DDR5 — Sự biến đổi trong cấu trúc nhu cầu bộ nhớ AI

Trong báo cáo mới nhất, UBS chỉ ra rằng, cấu trúc nhu cầu nền tảng của ngành AI đã bắt đầu chuyển đổi. Trước năm 2023, nhu cầu về các mô hình lớn chủ yếu đến từ giai đoạn huấn luyện; từ 2024 đến 2025, trọng tâm thị trường dần chuyển sang suy luận; bắt đầu từ 2026, ngành đang nhanh chóng bước vào thời đại trí tuệ nhân tạo tự hành — AI không chỉ trả lời câu hỏi mà còn tự lập kế hoạch, thực thi nhiệm vụ và gọi các công cụ, điều này đồng nghĩa với việc tiêu thụ tài nguyên lưu trữ sẽ tăng theo cấp số nhân.

Trong khung mới này, vai trò của DDR5 đang nổi bật. AI tự hành cần nhiều CPU tham gia vào việc điều phối nhiệm vụ, quản lý trạng thái, gọi công cụ, và bộ nhớ hỗ trợ chính của CPU chính là DDR5. UBS dự báo, trong vài năm tới, nhu cầu tăng lớn nhất có thể đến từ DDR5 chứ không phải HBM. Dự báo của JP Morgan cũng ủng hộ nhận định này, họ nâng dự báo nhu cầu bộ nhớ máy chủ từ 2026 đến 2028 lên 5% đến 22%, trong đó hơn 60% đến từ tăng trưởng của các máy chủ AI.

Điều này có nghĩa là cấu trúc nhu cầu của danh mục DRAM ETF đang chuyển từ “một loại” sang “đa điểm nở rộ” — HBM vẫn duy trì mạnh mẽ, DDR5 tăng tốc theo sau, SSD doanh nghiệp cũng mở rộng nhanh chóng dưới tác động của nhu cầu suy luận AI. JP Morgan dự đoán, quy mô thị trường SSD doanh nghiệp sẽ vượt quá 500 exabyte vào năm 2026, chiếm hơn 43% tổng nhu cầu NAND.

Các ông lớn trong ngành bộ nhớ có thể duy trì đà tăng trưởng như thế nào để hỗ trợ giá trị danh mục ETF?

Tại sao danh mục DRAM lại có thể duy trì sự chú ý của thị trường? Nguyên nhân chính là do các công ty thành phần trong danh mục đã thoát khỏi mô hình “biến động theo chu kỳ” truyền thống, bước vào một kênh tăng trưởng dựa trên nhu cầu mang tính cấu trúc.

Động lực chính — Tổng quan về hiệu suất của ba ông lớn trong ngành bộ nhớ

Báo cáo mới nhất của SK Hynix cho thấy doanh thu của họ tăng 198% so với cùng kỳ năm trước, lợi nhuận ròng tăng 165%, đồng thời ban lãnh đạo đã nâng dự báo hiệu suất dài hạn. Doanh thu quý của Micron từ khoảng 8 tỷ USD của cùng kỳ năm trước đã tăng lên hơn 23 tỷ USD. Samsung Electronics cũng nhờ lợi thế về năng lực sản xuất HBM và DDR5, đã tăng hơn 160% trong năm.

Điều đáng chú ý là, giá trị vốn hóa của ba công ty này đều đã vượt qua mốc 1 nghìn tỷ USD, trở thành các mục tiêu hạ tầng AI được thị trường toàn cầu quan tâm nhất. Dữ liệu của Bloomberg cho thấy, lợi nhuận ròng của Micron dự kiến sẽ tăng từ 8.5 tỷ USD năm 2025 lên 66.8 tỷ USD năm 2026, và có thể đạt khoảng 120 tỷ USD vào năm 2027. Nếu các dự báo này dần trở thành hiện thực, lợi nhuận của danh mục DRAM sẽ có khả năng tăng trưởng rõ rệt.

Tuy nhiên, xét về định giá, kỳ vọng tích cực của thị trường đã khá đầy đủ. Hiện tại, tỷ lệ P/E dự kiến của Micron và SanDisk lần lượt khoảng 10 lần, dựa trên cơ sở lợi nhuận liên tục tăng trưởng. Các số liệu lịch sử cho thấy, trong các đỉnh chu kỳ, P/E của Micron từng đạt tới 46 lần, còn SanDisk là 58 lần, cho thấy mức định giá hiện tại phản ánh nhiều hơn kỳ vọng về tăng trưởng lợi nhuận chứ không phải là bong bóng định giá.

Làm thế nào để xác nhận tính bền vững của chu kỳ siêu dài hạn? Cần chú ý đến những rủi ro nào?

Bất kỳ tài sản nào sau đợt tăng trưởng bùng nổ ngắn hạn đều phải trả lời câu hỏi cốt lõi: liệu đà tăng này có thể duy trì? Đối với DRAM, ba yếu tố sau đây sẽ quyết định xu hướng trung hạn.

Tính bền vững của chi tiêu vốn. Bốn công ty đám mây và nền tảng lớn — Amazon, Meta, Alphabet và Microsoft — dự kiến sẽ chi tiêu tới 725 tỷ USD cho hạ tầng AI vào năm 2026. Một số công ty đang dựa vào việc vay nợ để duy trì tốc độ này; nếu tốc độ chi tiêu vốn chậm lại, triển vọng lợi nhuận của các nhà sản xuất chip và giá cổ phiếu sẽ bị ảnh hưởng trực tiếp.

Rủi ro về điểm xoay vòng của giá chip bộ nhớ. Mặc dù giá hợp đồng của DRAM và NAND hiện vẫn đang trong xu hướng tăng, ngành công nghiệp bộ nhớ vốn có tính chu kỳ mạnh. TrendForce dự báo, giá hợp đồng DRAM truyền thống trong quý I năm 2026 có thể tăng 55% đến 60% so với quý trước, mức tăng này đã phản ánh độ nhạy cảm cao của giá cả đối với cung cầu. Một khi tốc độ tăng trưởng nhu cầu chậm lại hoặc năng lực sản xuất bắt đầu dỡ bỏ, giá cao sẽ giảm, gây áp lực rõ rệt lên lợi nhuận của các công ty phụ thuộc nhiều vào cơ chế định giá này.

Hiệu ứng hai mặt của sự tập trung danh mục. Khoảng 70% tỷ trọng của DRAM tập trung vào ba công ty, điều này có nghĩa là bất kỳ tin xấu nào về các cổ phiếu thành phần đều có thể ảnh hưởng đáng kể đến giá trị ròng của ETF. Ngược lại, sự phụ thuộc lớn vào thị trường Hàn Quốc cũng mang lại rủi ro về tỷ giá hối đoái và chính sách.

Trong báo cáo, JP Morgan thừa nhận rằng, các cổ phiếu lưu trữ hiện vẫn đang được giao dịch ở mức định giá thấp hơn so với lợi nhuận, chủ yếu do thị trường còn hoài nghi về khả năng duy trì phần chia lợi nhuận của ngành. Tuy nhiên, tổ chức này cho rằng, AI đã mang lại một cấu trúc nhu cầu mới, và mô hình định giá theo chu kỳ truyền thống đã không còn phù hợp nữa. Đây là một vấn đề cần thời gian kiểm chứng: giữa “điểm ngoặt cấu trúc” và “đỉnh chu kỳ”, cơ chế đánh giá của thị trường vẫn chưa hình thành sự đồng thuận.

Tóm tắt

Chuyến đỉnh cao mới của DRAM phản ánh rõ ràng sự tập trung của làn sóng đầu tư vào hạ tầng AI trong thị trường vốn. Quỹ ETF này, nhờ vào định hướng khác biệt “chủ đề bộ nhớ nội bộ” và sự hỗ trợ từ hiệu suất của các thành phần, đã hoàn thành việc mở rộng quy mô nhanh chóng trong thời gian ngắn. Nguyên nhân chính nằm ở logic cấu trúc của chip bộ nhớ như điểm nghẽn chính trong năng lực AI — HBM đang trong tình trạng cung không đủ cầu, nhu cầu DDR5 tăng nhanh, SSD doanh nghiệp liên tục mở rộng — tạo thành một hệ thống nhu cầu đa tầng.

Tuy nhiên, các rủi ro về mức độ tập trung, điểm xoay vòng giá cả và tính bền vững của định giá vẫn còn tồn tại. Mức độ lạc quan trong giá hiện tại sẽ quyết định hình thái hoạt động của ETF này trong các môi trường thị trường tiếp theo. Đối với các nhà đầu tư, việc hiểu rõ logic cấu trúc của DRAM và các giới hạn chu kỳ là chìa khóa để đánh giá giá trị của công cụ đầu tư mới này.

Các câu hỏi thường gặp

DRAM ETF là loại quỹ nào, chủ đề đầu tư của nó là gì?

DRAM là quỹ ETF chủ đề nội bộ chip bộ nhớ đầu tiên do Roundhill Investments phát hành, chính thức niêm yết tại Sở Giao dịch Cboe BZX của Mỹ vào ngày 2 tháng 4 năm 2026. Quỹ này sẽ dành ít nhất 80% giá trị ròng để đầu tư vào các công ty chip bộ nhớ và lưu trữ, tập trung vào các loại HBM, DRAM, NAND Flash, nhằm phân biệt với các ETF bán dẫn truyền thống có phạm vi rộng hơn.

Các cổ phiếu chủ yếu trong danh mục DRAM là gì, mức độ tập trung ra sao?

Hiện tại, DRAM nắm giữ khoảng 20 chứng khoán thành phần, trong đó ba vị trí lớn nhất là SK Hynix (khoảng 28%), Samsung Electronics (khoảng 21%) và Micron Technology (khoảng 26%, gồm cổ phiếu chính và phái sinh), chiếm tổng cộng khoảng 70% đến 75% tỷ trọng quỹ.

Chỉ số tăng gần 150% của DRAM chủ yếu do yếu tố nào thúc đẩy?

Yếu tố chính là nhu cầu cấu trúc của ngành AI đối với chip bộ nhớ. Trong đó, HBM là thành phần then chốt của các card tăng tốc AI, hiện đang trong tình trạng cung không đủ cầu và bị hạn chế mở rộng năng lực sản xuất; đồng thời, nhu cầu DDR5 và SSD doanh nghiệp cũng tăng nhanh khi ứng dụng AI mở rộng từ huấn luyện sang suy luận và tự hành, cùng nhau thúc đẩy kỳ vọng lợi nhuận và định giá cổ phiếu của các công ty bộ nhớ.

Những rủi ro nào cần chú ý khi đầu tư vào ETF DRAM?

Các rủi ro chính gồm: (1) tỷ lệ tập trung cao vào ba công ty, biến động của cổ phiếu thành phần sẽ ảnh hưởng trực tiếp đến giá trị ròng của ETF; (2) ngành chip bộ nhớ có tính chu kỳ mạnh, điểm xoay vòng giá hợp đồng có thể gây áp lực lợi nhuận; (3) nếu chi tiêu vốn AI chậm lại, nhu cầu bộ nhớ cao cấp sẽ giảm, ảnh hưởng tiêu cực đến lợi nhuận; (4) sự phụ thuộc lớn vào thị trường Hàn Quốc mang lại rủi ro về tỷ giá và chính sách.

Phí quản lý của ETF này là bao nhiêu và cách quản lý ra sao?

DRAM là ETF quản lý chủ động, với tỷ lệ phí là 0.65%. Nhóm quản lý sẽ thực hiện cân bằng lại danh mục mỗi quý, dựa trên sự biến động của thị phần và doanh thu của các công ty trong lĩnh vực bộ nhớ và lưu trữ, đồng thời giới hạn tỷ trọng của một cổ phiếu không quá 25%.