AI переформатовує цикл DRAM: сплеск HBM, розширення виробництва Samsung і повномасштабний старт ери гострої нестачі чипів пам’яті до 2028 року

2026 年 7 月 15 日，三星電子被曝計劃在京畿道器興園區新建月產能 10 萬片晶圓的 DRAM 工廠，總投資達數十萬億韓元。人工智慧正在從根本上重塑全球存儲晶片的供需結構與定價邏輯。

DRAM（動態隨機存取存儲器）作為 AI 基礎設施的核心組成部分，正經歷一場由需求結構突變驅動的週期重構。這場重構與傳統存儲週期截然不同：它並非由消費電子換機潮推動，而是由 AI 訓練與推理對高帶寬記憶體的爆發式需求所引發。理解這一輪 DRAM 週期的演進邏輯，對於把握半導體產業走向與數字資產市場底層基礎設施的變化，具有重要的參照意義。

供需缺口擴大至近 15 年峰值

截至 2026 年 7 月，全球存儲晶片漲價已進入連續第三個季度。瑞銀在 7 月初發布的報告中大幅上調存儲價格預期，預計第三季度 DDR 合約價格環比上漲 32%，第四季度環比上漲 18%。該行認為，DRAM 行業供需緊張將至少持續至 2028 年上半年。

這一判斷得到了多組數據的交叉驗證。TrendForce 集邦諮詢顯示，2026 年第三季度整體 DRAM 格局持續極度緊缺，合約價預計環比上漲 13% 至 18%。摩根士丹利在 7 月 7 日的報告中將 PC DRAM 混合平均售價環比漲幅預期從此前的 3%-8% 大幅上調至 15%-20%，伺服器 DRAM 上調至 13%-18%。

供需失衡的深度正在逼近歷史極值。瑞銀分析指出，若不考慮下游客戶庫存回補的緩衝效應，2027 年實際供需缺口將從 2026 年的 -8.1% 進一步擴大至 -13.6%，失衡程度達到過去 30 年來罕見水準。高盛研報判斷，當前全球存儲供需失衡已達到近 15 年峰值。KB 證券分析師金東元更預測，2027 年將是存儲器半導體產業 70 年歷史中供給最緊缺的時期。

價格上行已從上游原廠傳導至全產業鏈。三星電子計劃將 2026 年第三季度通用 DRAM 平均售價環比上調 20%，LPDDR 移動端記憶體漲幅同樣超過 20%。據第一財經報道，已有消費電子終端廠商收到三星關於 DRAM 提價的口頭通知。

HBM 成為 DRAM 週期的結構性變量

理解這一輪 DRAM 週期的關鍵，在於 HBM（高帶寬記憶體）這一品類的崛起。HBM 透過將多個 DRAM 晶片垂直堆疊實現超高帶寬，是 AI GPU 不可或缺的記憶體解決方案。

需求端的爆發力驚人。SEMI 中國總裁馮莉明確指出，2026 年 HBM 市場規模預計增長 58% 至 546 億美元，佔 DRAM 市場近四成。儘管三星、SK 海力士、美光三大原廠已將 70% 的新增產能向 HBM 傾斜，整體產能缺口仍高達 50% 至 60%。Omdia 數據顯示，2026 年全球 HBM 產量預計同比增長 103%，實現翻倍以上增長。

HBM 對 DRAM 產能的「擠出效應」是供需失衡的核心機制。据業界數據，HBM 在 DRAM 晶圓產能中的占比已從 2020 年的 2% 攀升至 2026 年預估的 25%。一片 HBM 晶圓消耗的產能約相當於三片 DDR5。單顆 HBM 晶片的尺寸比普通 DRAM 晶片大兩倍以上，在相同存儲容量下，HBM 消耗的晶圓面積和潔淨室空間至少是普通 DRAM 的三倍。

產能傾斜的直接後果是通用 DRAM 供給的結構性收縮。KB 證券預計，全球 DRAM 晶圓產量中 HBM 的占比將從 2026 年的 15% 擴大至 2027 年的 34%。這意味著多數新增產能將集中在 HBM，通用型 DRAM 的供給擴張實質上受到有效限制。

AI 伺服器已成為 DRAM 最大應用市場，伺服器需求占整體 DRAM 需求比重突破 50%。AI 伺服器 DRAM 單台用量為普通伺服器的 8 至 10 倍。單台伺服器的平均 DRAM 裝載量預計將從 2025 年的 1,032 GB 增至 2026 年的 1,432 GB，增幅約 39%。TrendForce 估計，2026 年全球約七成高階記憶體產能流向 AI 數據中心。

三大巨頭的產能競賽與份額博弈

在 HBM 驅動的新週期中，SK 海力士、三星電子與美光三大巨頭的戰略選擇正在重塑產業格局。

SK 海力士是目前 HBM 市場的絕對領先者。Counterpoint Research 數據顯示，2026 年第一季度全球 HBM 市場按營收計算，SK 海力士以 58% 的份額穩居第一，三星電子與美光各占 21%。法人預測，SK 海力士 2026 年 HBM 营收可達 59.5 億美元。公司 2026 年全年 HBM 產能已被雲廠商長期協議全額鎖定。

但領先優勢正面臨挑戰。韓國投資證券 7 月 13 日報告預測，SK 海力士第二季度營收為 80.9 兆韓元（同比增長 264%），營業利润 60.4 兆韓元（同比增長 556%），但較市場共識的 65 兆韓元低約 8%。主要原因是 HBM 銷售份額高於競爭對手，導致平均售價漲幅低於市場平均水準。分析師預計，從第三季度 HBM4 開始全面量產後，平均售價漲幅將回歸市場均值。

三星電子正全力追趕。公司計劃 2026 年在設備投資與研發上投入超過 110 萬億韓元（約合 733 億美元），較上年增長約 22%。7 月 15 日最新消息顯示，三星計劃在器興園區新建月產能 10 萬片晶圓的 DRAM 工廠，最快可能於 2026 年第三季度動工。

在 HBM4 產品上，三星已率先實現全球首次量產出貨。TrendForce 在 6 月報告中指出，三大 HBM4 原廠驗證進度已出現顯著分歧，三星在驗證中處於領先地位。三星預計 2026 年 HBM 銷售額將較上年增長三倍以上。

美光雖然在三家廠商中 HBM 產能最小，但增長勢頭最為迅猛。公司 2026 財年第三財季（截至 5 月）營收達 414.6 億美元，同比暴增 346%。DRAM 業務貢獻營收 313 億美元，占總營收 76%。毛利率達 84.9%，反超英偉達。

更令市場矚目的是第四財季指引：營收預計約 500 億美元，毛利率約 86%，每股收益約 31 美元。美光 2026 年全年 HBM 產能已在固定價格合約下售罄。公司設備投資計劃較上年大幅增長超過 90%。

從週期到結構：DRAM 的長期邏輯切換

本輪 DRAM 行情與此前所有週期最本質的差別在於驅動力的結構性轉變。

IDC 預計 2026 年全球 DRAM 市場營收達 4,186 億美元，同比增長 177%。NAND 市場營收達 1,741 億美元，同比增長 138.5%。存儲產業全年總產值突破 5,500 億美元，伺服器存儲取代手機成為第一大需求場景。瑞銀認為價格上漲將帶動記憶體產業在 2026 年實現 9,920 億美元營收。

這一輪增長並非簡單的週期性復甦。IDC 明確指出，這不是傳統存儲器漲跌週期中的又一次上行，而是產業的結構性變革。超大規模數據中心客戶正在購買一類完全不同的、更昂貴的存儲晶片，並願意為確保供應支付溢價。

供給端的約束同樣具有結構性特徵。2025 年產業深度虧損後，原廠普遍採取控產保價策略。半導體先進製程研發、晶圓廠建設週期漫長，疊加人才、能源、審批等多重壁壘，新增產能無法快速落地。美光高管判斷，產業供給緊張格局將持續至 2027 年後，2028 年才會迎來供給端逐步改善。

長期協議（LTA）的普及正在改變產業的定價與盈利模式。SK 海力士、三星、美光均以長期供應協議方式向英偉達等主要客戶鎖定未來 1 至 2 年的供貨量與價格。美光已簽署 16 份覆蓋數據中心、消費電子、汽車領域的長期供貨協議，僅已簽約協議的保底最低收入就高達 1,000 億美元。韓國投資證券指出，隨著存儲器產業轉向 3 至 5 年的長期協議結構，企業的價值取決於高盈利能力能持續多久，而非季度平均售價增長率。

結語

AI 伺服器需求正在將 DRAM 產業推入一個前所未有的新週期。這個週期的核心特徵並非簡單的價格上漲，而是需求結構、產能分配、定價模式與產業格局的系統性重構。

HBM 的崛起改變了 DRAM 的產品矩陣，三大巨頭的產能傾斜造成了通用 DRAM 的結構性短缺，長期協議的普及正在平滑行業的週期性波動。瑞銀預計 DRAM 供需緊張至少持續至 2028 年上半年，KB 證券預測 2027 年將是產業 70 年歷史中最緊缺的時期——這些判斷指向同一個結論：本輪 DRAM 週期的持續時間與強度，可能遠超市場最初的預期。

對於投資者而言，理解 DRAM 從「週期品」向「戰略資產」的轉變，或許比預測下一個季度的價格漲幅更具長期價值。當存儲晶片成為 AI 時代的核心基礎設施，其供需邏輯與定價權分配，將深刻影響從半導體到數字資產的整個科技產業鏈。

FAQ

問：AI 伺服器對 DRAM 的需求量比普通伺服器高多少？

AI 伺服器 DRAM 單台用量為普通伺服器的 8 至 10 倍。單台伺服器平均 DRAM 裝載量預計從 2025 年的 1,032 GB 增至 2026 年的 1,432 GB。大模型推理與 AI 代理規模化將進一步推動存儲需求高速增長。

問：HBM 與傳統 DRAM 在生產成本上有何差異？

HBM 由多個 DRAM 晶片垂直堆疊而成，單顆晶片尺寸比普通 DRAM 大兩倍以上，在相同存儲容量下消耗的晶圓面積和潔淨室空間至少是普通 DRAM 的三倍。一片 HBM 晶圓消耗的產能約相當於三片 DDR5。高生產成本也對應高毛利——單顆 HBM 毛利率達 60%-70%，是普通 DRAM 的 4 倍。

問：DRAM 供需緊張預計何時緩解？

瑞銀認為 DRAM 行業供需緊張將至少持續至 2028 年上半年。KB 證券預測供給短缺很可能至少持續至 2028 年。美光高管判斷行業供給緊張格局將持續至 2027 年後，2028 年才會迎來供給端逐步改善。三大機構的核心分歧不在「是否緊張」，而在「緊張多久」。

問：HBM 市場三巨頭的份額格局如何？

2026 年第一季度，SK 海力士以 58% 的營收份額穩居第一，三星電子與美光各占 21%。法人預測全年出貨市佔率方面，SK 海力士約 52%，三星約 39%，美光約 8%。在 HBM4 領域，Counterpoint Research 預計 SK 海力士 2026 年市占率約 54%，三星約 28%，美光約 18%。三星在 HBM4 驗證進度上處於領先地位。

問：DRAM 漲價對消費電子終端價格有何影響？

DRAM 漲價已從上游原廠傳導至消費電子終端。據行業分析，PC 與智慧型手機品牌預計將陸續調漲產品售價 15% 至 20%。華強北等分銷市場出現「一天三價」現象，經銷商建議非剛需暫緩採購。汽車製造商也開始重新評估部分智慧駕駛功能配置以控制零組件成本。