За повідомленням корейських ЗМІ, китайська компанія ChangXin Memory Technologies (CXMT) наразі тестує в Хефеї експериментальну лінію з виробництва зв’язаної DRAM (bonded DRAM) з метою досягнення високої продуктивності без використання літографії EUV.

Так звана зв’язана DRAM — це технологія, за якої масив комірок пам’яті та периферійні схеми виготовляються окремо на різних пластинах, а потім дві пластини з’єднуються разом. Таким чином можна виробляти надщільну DRAM лише за допомогою DUV-літографії в глибокому ультрафіолеті з використанням процесів мультиплексування, що дозволяє обійтися без обладнання EUV.

Samsung Electronics розробляє власну зв’язану DRAM у рамках проєкту «B1b», а SK Hynix також просуває подібну технологію. Однак корейські ЗМІ попереджають, що наразі є оцінки, згідно з якими CXMT може випереджати корейських конкурентів як у самій технології, так і в швидкості її розробки.