Intel розглядає можливість використання двосторонньої архітектури живлення в 1,4-нм техпроцесі, щоб наздогнати TSMC і Samsung.

BlockBeats повідомляє, що 5 липня компанія Intel розглядає можливість впровадження архітектури, яка одночасно використовує переднє та заднє живлення у надтонкому процесі 1,4-нанометрового рівня, щоб наздогнати конкурентів. Галузеві джерела повідомляють, що спочатку Intel планувала використовувати спеціалізовану технологію заднього живлення PowerDirect у базовому процесі 14A 1,4-нанометрового рівня, але в наступному процесі 14A2 розглядає можливість впровадження двосторонньої архітектури Dual side, яка використовує як переднє, так і заднє живлення.

Раніше Intel оприлюднила плани, згідно з якими технологічний процес 14A має забезпечити в 1,3 раза більшу щільність транзисторів порівняно з 18A; цільовий крок M0 для процесу 14A становить близько 28 нанометрів, тоді як процес 14A2, можливо, завдяки напіввузловим удосконаленням, просуне крок M0 до 21 нанометра. Intel, зберігаючи мережу заднього живлення як основну, частково перерозподілить передню металеву розводку для допоміжного живлення та сигналів Clock, щоб компенсувати недостатній запас потужності через мініатюризацію та обмеження експозиції.

Процес Intel 14A планується запустити у ризикове виробництво у 2028 році, а в масове виробництво — у 2029 році. Intel має випустити версію 0.9 комплекту технологічного проектування для процесу 14A зовнішнім клієнтам у жовтні цього року, а протягом наступних 18 місяців отримати тверді замовлення від великих безфабричних клієнтів. Для порівняння, TSMC вже планує постачати справжні готові вироби за технологією A14 з рівнем 1,4 нм у 2028 році, а Samsung Electronics також планує комерціалізувати вдосконалений 2-нанометровий процес SF2Z з технологією заднього живлення у 2027 році.