🚨Корейські медіа повідомляють, що китайська компанія CXMT наразі тестує пілотну виробничу лінію для зв'язаної DRAM (bonded DRAM) у Хефеї, маючи на меті досягти високопродуктивної DRAM без використання EUV-літографії.

Зв'язана DRAM — це технологія, за якої масив комірок пам'яті та периферійні схеми виготовляються на окремих пластинах, а потім з'єднуються. Такий підхід дозволяє виробляти надщільну DRAM, використовуючи лише глибоку ультрафіолетову (DUV) літографію з множинним малюванням, що усуває потребу в EUV-обладнанні.
Samsung Electronics розробляє власну зв'язану DRAM у межах проєкту «B1b», тоді як SK hynix впроваджує подібну технологію. Однак корейські медіа попереджають, що існують оцінки, згідно з якими CXMT може наразі мати перевагу над своїми корейськими конкурентами як у самій технології, так і в швидкості розробки.