2655 трильйонів вон, 2200 трильйонів вон! Samsung та SK Hynix оголосили про інвестиційні плани.

Два найбільші технологічні конгломерати Південної Кореї в один день оголосили безпрецедентні за масштабом плани внутрішніх інвестицій, що знаменує новий етап глобальної конкуренції в галузі ШІ та напівпровідників.

29 червня групи Samsung та SK відповідно представили інвестиційні плани на «Національній звітній зустрічі трьох мегапроєктів Великого стрибка Республіки Корея», яку вів президент Лі Чжон Мін. Samsung оголосив про загальний обсяг інвестицій у 2655 трильйонів вон (близько 11,68 трильйона юанів), а група SK планує протягом наступних 10 років щорічно інвестувати в Південній Кореї понад 100 трильйонів вон, причому два проєкти — дата-центри ШІ та розширення виробництва напівпровідників — разом становлять близько 2200 трильйонів вон (близько 9,68 трильйона юанів). Загальний обсяг обіцяних інвестицій двох груп перевищує 4800 трильйонів вон.

Того ж дня уряд Південної Кореї оголосив найбільший в історії план інвестицій у напівпровідникову та штучний інтелект галузі, визначивши напівпровідники, фізичний ШІ та дата-центри ШІ як «трикутні стовпи» модернізації промисловості країни, з метою подвоїти виробничі потужності DRAM протягом п'яти років і вивести Південну Корею в ряди «країн-лідерів революції ШІ».

Samsung: 2655 трильйонів вон охоплюють напівпровідники, ШІ та нову енергетику

Як повідомляє Yonhap News, інвестиційний план групи Samsung зосереджений на напівпровідникових кластерах Пхьонтхек та Йонгін, а також передбачає масштабне розширення в регіонах.

Щодо основних напівпровідникових кластерів, Samsung планує інвестувати 2030 трильйонів вон у комплекси Пхьонтхек та національний промисловий комплекс Йонгін, що становить основну частину загального плану.

Стосовно регіональних інвестицій, Samsung оголосив про вкладення 425 трильйонів вон у регіон Хонам (Чолла), з яких 400 трильйонів вон — у напівпровідникову сферу. Samsung Electronics побудує новий завод з виробництва напівпровідникових пластин у Кванджу та створить інноваційний хаб цифрових двійників; Samsung SDS побудує дата-центр ШІ в Соласіадо (Хайнам) для розвитку суверенної інфраструктури ШІ; Samsung C&T інвестує в сонячні електростанції, виробництво водню з атомної енергії та дослідницько-демонстраційний центр зеленого водню в регіоні Хонам.

У регіоні Чхунчхон Samsung планує інвестувати 140 трильйонів вон, основні напрямки включають заводи HBM, дисплеї нового покоління, акумулятори наступного покоління та підкладки для упаковки серверів ШІ. Зокрема, Samsung Electronics інвестує 56 трильйонів вон у будівництво найсучасніших заводів HBM у Чхонані та Оняні; Samsung Display створить виробничу базу для дисплеїв нового покоління, таких як складні екрани для смартфонів, та надвисокороздільних мікродисплеїв у Асані; Samsung SDI створить глобальний материнський завод акумуляторів наступного покоління в Чхонані; Samsung Electro-Mechanics побудує лінію з виробництва найсучасніших підкладок для упаковки серверів ШІ в Седжоні.

У регіоні Йоннам Samsung планує інвестувати 60 трильйонів вон для інтеграції основних виробничих потужностей з технологіями ШІ та робототехніки. Samsung Electronics побудує інноваційний хаб глобального виробництва смартфонів та лінію масового виробництва гуманоїдних роботів у Кумі, а Samsung SDS одночасно побудує дата-центр ШІ; Samsung Electro-Mechanics розширить потужності з виробництва MLCC та підкладок для упаковки в Пусані; Samsung SDI збільшить інвестиції в твердотільні акумулятори та системи накопичення енергії в Ульсані; Samsung Heavy Industries побудує базу для будівництва високовартісних суден у Кодже.

SK Hynix: 2200 трильйонів вон на дата-центри ШІ та розширення виробництва напівпровідників

Голова групи SK Чхве Тхе Вон на звітній зустрічі заявив, що група планує інвестувати близько 1000 трильйонів вон у проєкт дата-центрів ШІ та близько 1100 трильйонів вон у проєкт розширення виробництва напівпровідників. «Протягом наступних 10 років SK продовжуватиме щорічно інвестувати в Південній Кореї понад 100 трильйонів вон».

У сфері дата-центрів ШІ група SK на чолі з SK Telecom планує створити мережу дата-центрів ШІ загальною потужністю 15 ГВт. Перший етап передбачає будівництво центру потужністю 5 ГВт з розподілом по всій країні блоками по 0,5-1 ГВт; на другому етапі, з урахуванням умов електропостачання, землі та водних ресурсів, потужність поступово збільшать до 10 ГВт. Чхве Тхе Вон заявив, що мета групи — «експортувати інтелект, а не продукти, і створити всередині країни «ринок інтелекту»».

Щодо розширення виробництва напівпровідників, SK Hynix значно прискорить початковий графік будівництва потужностей. Чхве Тхе Вон оголосив, що кластер у Йонгін, який планувалося завершити до 2045 року, буде введено в експлуатацію на 12 років раніше; для розширення виробничих потужностей DRAM у Йонгін буде достроково інвестовано близько 600 трильйонів вон; для розширення потужностей NAND у Чхонджу буде достроково інвестовано близько 100 трильйонів вон.

Крім того, для подолання постійного дефіциту пам'яті SK планує створити нову виробничу базу в південно-західному регіоні з обсягом інвестицій близько 400 трильйонів вон. Вважається, що цей регіон здатен задовольнити комплексні вимоги щодо великих земельних ділянок, електроенергії, водних ресурсів та робочої сили.

Попередження про ризики та відмова від відповідальності

        Ринок пов'язаний з ризиками, інвестиції потребують обережності. Ця стаття не є індивідуальною інвестиційною рекомендацією і не враховує особливі інвестиційні цілі, фінансовий стан або потреби окремих користувачів. Користувачі повинні самостійно оцінити, чи відповідають будь-які думки, поради або висновки, наведені в статті, їхнім конкретним обставинам. Інвестиції, зроблені на основі цього матеріалу, здійснюються на власний ризик.