#0成本拿2股SK海力士 Короткостроковий тренд (1–3 місяці, Q3 2026 року): високий рівень широкого коливання, спочатку перетравлення прибуткових позицій, потім ривок на каталізаторах

Загальна оцінка

Спочатку відкат для накопичення сили (повторне тестування зони підтримки 2,2–2,4 млн вон), потім завдяки звіту Q2 та лістингу ADR на американських біржах у липні відбудеться друге зростання, загалом сильний підйом і невеликі відкати, висока волатильність (денні ±5%–12% є нормою).

1. Причини відкату
Попереднє десятикратне зростання за один рік накопичило величезну кількість прибуткових позицій, загальний спад настроїв на світових технологічних акціях, короткострокові фонди фіксують прибуток і виходять; короткострокові очікування підвищення цін на пам'ять вже частково враховані (price-in), бракує миттєвих нових позитивних каталізаторів.

2. Основні каталізатори зростання (визначають висоту відскоку)

◦ Офіційний лістинг ADR на американських біржах у липні: HSBC прогнозує 20% премію до оцінки, масове розміщення американських пасивних ETF та суверенних фондів, порівняно з Micron компенсує довгостроковий дисконт оцінки;

◦ Звіт Q2: одностайні очікування установ щодо рекордної виручки та прибутку від HBM, спотові ціни на DRAM/NAND продовжують значно зростати в квартальному обчисленні (Nomura підвищив прогноз квартального зростання цін на DRAM у Q3 до 24%), реалізація результатів знову покращує настрої;

◦ Реалізація програми викупу акцій на сотні мільярдів вон та дивідендів, що підтримує ціну акцій знизу .

3. Короткостроковий цільовий діапазон інституційних інвесторів
Після висхідних коливань очікується штурм рівня 3,6–4,0 млн вон (ціль HSBC 4,0 млн, Daiwa 3,6 млн), ймовірність успішного прориву попереднього максимуму 2,987 млн вон є високою, але важко очікувати безперервне зростання без відкатів.