Японські силові напівпровідники, що втратили свою славу

2026年3月, японська галузь силових напівпровідників за кілька днів двічі повідомила про важливі новини, здатні змінити її структуру.

2 березня «Щоденна промислова газета» повідомила, що Mitsubishi Electric веде переговори з Toshiba щодо реорганізації бізнесу силових напівпровідників; лише через чотири дні «Японські економічні новини» опублікували ще один важливий матеріал: гігант автозапчастин DENSO офіційно зробив пропозицію про повне поглинання виробника напівпровідників ROHM, сума угоди може сягнути до 13 трильйонів ієн (близько 83 мільярдів доларів), що є найбільшим злиттям у японській напівпровідниковій індустрії за останні роки.

Після цієї новини ринок швидко розділився. Одні вважають, що це може ознаменувати початок епохи консолідації японської галузі силових напівпровідників; інші ж ставлять під сумнів: чи це довгострокова стратегія електросистеми DENSO, чи просто висока ціна за «гарячу картоплю»?

Якою б не була оцінка, обидві події вказують на одне — структурні протиріччя японської галузі силових напівпровідників, що накопичувалися десятиліттями, зараз одночасно вибухають. Колись домінуюча технологічна країна, сьогодні вона змушена шукати нові шляхи виходу під тиском внутрішніх проблем і зовнішньої конкуренції.

Колись могутній: славні роки японських силових напівпровідників

Якщо повернутися на двадцять років назад, це був час найбільшого підйому японської галузі силових напівпровідників.

На відміну від логічних або пам’яті чіпів, силові напівпровідники не так часто з’являються у публічному просторі, але вони є незамінною частиною індустріальної цивілізації — це електричні ключі. Від моторів на фабриках до систем високошвидкісного руху, від побутових кондиціонерів до модулів перетворення енергії у нових електромобілях — скрізь, де потрібно керувати або трансформувати електроенергію, без силових напівпровідників не обійтися.

Для островної країни Японія, яка залежить від імпорту енергії на 90%, ці невидимі герої мають стратегічне значення — вони підвищують ефективність використання енергії і впливають на конкурентоспроможність галузі.

За даними глобального рейтингу Omdia 2021 року, п’ять японських компаній — Mitsubishi Electric (4 місце), Fuji Electric (5), Toshiba (6), Renesas Electronics (9), ROHM (10) — увійшли до топ-10 світових виробників, разом займаючи понад 20% світового ринку.

За цими цифрами стоїть понад півстоліття технологічних напрацювань і впливу на ланцюги постачання. Ці п’ять компаній заклали міцні технологічні бар’єри у таких ключових компонентах, як IGBT та MOSFET, завдяки високій якості та індивідуальному підходу до клієнтів, здобувши довіру світової промисловості та автопрому.

Уряд Японії також має амбітні плани: у 2024 році стратегічний проект передбачає збільшення частки японських компаній на світовому ринку з 20% до 40% до 2030 року, зробивши силові напівпровідники новим драйвером зростання японського виробництва. Міністерство економіки, торгівлі та промисловості (METI) надає значні субсидії — Fuji Electric та DENSO отримують по 70,5 мільярдів ієн, ROHM і Toshiba — 129,4 мільярдів ієн, що свідчить про серйозність намірів.

Проте, коли амбіції досягли піку, реальність почала швидко змінюватися у несприятливому напрямку.

Вплив Китаю: подвійний тиск на ринок і ланцюги постачання

Проблеми японських силових напівпровідників не можна зрозуміти без урахування ролі Китаю. За останні п’ять років Китай двічі вдарив по японській галузі — з одного боку, зменшенням внутрішнього ринку, з іншого — швидким розвитком власних виробників напівпровідників.

Щодо кінцевого ринку. Електромобілі — найважливіше застосування силових напівпровідників, особливо з карбіду кремнію (SiC). Японські компанії сподівалися на стрімке зростання попиту у глобальній електрифікації, але реальність виявилася гіршою: частка японських електромобілів у внутрішньому ринку досі менша 10%, тоді як у Китаї вже понад 60%.

ROHM, Mitsubishi Electric і Fuji Electric, що тісно співпрацюють з японськими автоконцернами, будували свої плани розширення потужностей карбіду кремнію на основі передбачення швидкої електрифікації японського автопрому. Але коли ці прогнози не справдилися, терміни окупності інвестицій значно відсунулися.

Щодо ланцюгів постачання.

Перш за все, це стосується таких компонентів, як IGBT і MOSFET. IGBT — один із найважливіших елементів силових напівпровідників, незамінний у системах електромобілів: двигун, електроніка управління, батареї. Це високорентабельна продукція, якою японські компанії довго пишалися, маючи значну частку на світовому ринку.

Глобальний бум у сферах нових енергетичних технологій і фотогальваніки суттєво змінив конкуренцію у цій галузі. Китайські виробники швидко зросли, зумівши задовольнити попит у двох ключових сегментах: автомобільних систем і відновлюваної енергетики. Вони створили цілісну модель «компонент + модуль + готовий пристрій», наприклад, BYD Semiconductor, що виробляє IGBT-чіпи, потужні модулі та системи електроприводів, — і цим конкурує з японськими гігантами.

Китайські компанії також активно розвивають «інтегровану» модель — виробляють і компоненти, і готові системи, що дозволяє їм швидко захоплювати ринок. Водночас японські компанії через повільне зростання промислового сегменту і консервативний підхід до електромобілів відстають у розширенні виробництва, маючи високі витрати і обмежену гнучкість.

Щодо MOSFET і IGBT у низьковольтних застосуваннях — у споживчій електроніці, промислових перетворювачах, побутовій техніці — китайські виробники вже випередили японські, маючи кращий контроль витрат і більший попит. Вони зайняли частину ринку, раніше належну японцям.

Можна сказати, що японські компанії у цій галузі вже перейшли від оборони до залежності від високотехнологічних модулів і спеціалізованих систем.

Щодо карбіду кремнію (SiC). Це один із найперспективніших сегментів силових напівпровідників. Виробництво базується на двох етапах: підкладки (субстрату) і виробництві пристроїв. Японські компанії традиційно мають перевагу у виробництві пристроїв, зокрема ROHM, що демонструє найвищий рівень вертикальної інтеграції у світі.

Але підкладки — це ключова точка всього ланцюга. Вартість виробництва SiC-підкладок становить 30–40% від загальної, і тут Китай має значну перевагу завдяки низьким цінам на електроенергію. У 2022–2025 роках компанії TianYue Advanced і TianKe HeDa швидко піднялися з аутсайдерів до лідерів ринку.

Зараз глобальний ринок SiC-підкладок кардинально змінився: TianKe HeDa має близько 17,3% світового ринку, TianYue Advanced — 17,1%, разом вони вже понад третина світового ринку. Виробничі потужності TianYue Advanced у Шанхаї досягають 300 тисяч підкладок на рік, а планується — 960 тисяч; TianKe HeDa має виробничі майданчики у Пекіні, Цзянсу і Шеньчжені, де вже у 2024 році виробництво підкладок і епітаксіонних пластин становитиме 250 тисяч.

Вартість виробництва внутрішніх SiC-підкладок у Китаї вже приблизно на 60% нижча за імпортні аналоги: наприклад, 6-дюймові SiC-підкладки коштують близько 18 тисяч ієн (120 доларів), тоді як японські — близько 40 тисяч ієн (270 доларів). Це створює серйозний бар’єр для японських виробників, які залежні від імпорту.

Якщо Китай вже лідирує у підкладках, то й у виробництві SiC-елементів темп зростання не менший. Виробництво SiC-елементів — дуже складний процес, що вимагає високої точності: особливо етапи травлення, іонної імплантації і окислення. За оцінками, у 2021 році технологічний розрив між Китаєм і Японією/Європою у цій галузі становив 3–5 років, але сьогодні китайські компанії вже наблизилися до японських у деяких сегментах до 2–3 років.

Обсяг ринку SiC-елементів у Китаї у 2024 році становитиме близько 20 мільярдів юанів (приблизно 3 мільярди доларів), зростаючи на 50% щороку, а до 2028 року перевищить 40 мільярдів юанів. Частка китайських виробників у глобальному ринку зросла з 7,1% у 2022 до приблизно 13,4% у 2024.

Для японських компаній головна проблема — не лише швидке просування китайських виробників у сегменті пристроїв, а й внутрішня конкуренція у вертикальній моделі бізнесу. Вони традиційно дотримуються IDM (інтегрованого виробництва), контролюючи весь ланцюг — від підкладки до упаковки. Це давало їм конкурентну перевагу, але зараз, коли китайські компанії зосереджуються на спеціалізації і низьких витратах, високі фіксовані витрати і амортизація стають обтяжливими.

Наприклад, у 2025 фінансовому році ROHM зазнала чистого збитку у 50 мільярдів ієн, з яких лише 30 мільярдів — це знецінення обладнання через надмірне розширення виробництва і зниження попиту. Виробничий рівень знизився до менше 30%, а собівартість кожної пластини зросла, що ускладнює вихід на беззбитковість.

Внутрішні рани: фрагментація і імітація співпраці

Зовнішній тиск сильний, але справжня слабкість японських силових напівпровідників — у внутрішній фрагментації. Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Toshiba, ROHM і DENSO — п’ять гігантів, кожен зі своїми інтересами, і жодна з компаній не має більш ніж 5% ринку, але всі вважають один одного конкурентами. Вони говорять про співпрацю, але на ділі дуже обережні.

Прикладом є випадок ROHM і Toshiba. У 2023 році ROHM інвестувала 3000 мільярдів ієн у приватизацію Toshiba, що багато вважають початком стратегічного союзу: поєднання технологій ROHM у електромобільних чіпах і досвіду Toshiba у промислових компонентах могло б створити сильного конкурента європейським гігантам.

Вони почали спільне виробництво і оголосили про глибоку співпрацю у дослідженнях, продажах і закупівлях. Але за два роки ця співпраця зазнала застою, і, за повідомленнями, ROHM відмовилася від подальших спільних проектів, окрім переговорів.

Причини — у високій залежності компаній від індивідуальних замовлень і захисту власних технологій, що є природною рисою японського бізнесу. Відсутність довіри і відсутність лідера — головні перешкоди для глибшої інтеграції. Вони не хочуть бути поглинутими або поступатися.

Ця «війна за статус» — не унікальна для силових напівпровідників. Наприклад, нещодавній провал злиття Honda і Nissan, що мали створити третю за величиною автоконцерн світу, закінчився розривом через суперечки щодо контролю і оцінки.

Зовсім недавно угода Toshiba і TianYue Advanced щодо постачання чипів для виробництва показала, що японські компанії все ще діють незалежно, і їхні стратегії швидше схожі на політичні декларації, ніж на реальні дії.

Крім того, ринок у 2024–2025 роках стрімко падає, що ще більше ускладнює злиття. ROHM у 2025 році зазнала чистого збитку у 50 мільярдів ієн — вперше за 12 років. План розширення виробництва карбіду кремнію на 2800 мільярдів ієн був скоригований до 1500 мільярдів, зменшивши капітальні витрати на 36%.

Ще гірше у Renesas Electronics: компанія передплатила 2 мільярди доларів за поставки Wolfspeed, але той збанкрутував, і у 2025 році її збитки сягнули 175 мільярдів ієн — найвищі за весь період.

Mitsubishi Electric також призупинила розширення фабрики у Кумамото, а заплановані інвестиції у 3000 мільярдів ієн на п’ять років були значно скориговані.

Стратегія DENSO: ризикована ставка чи вимушений крок?

У таких умовах пропозиція DENSO щодо поглинання ROHM стала несподіванкою. Від підписання базової угоди у 2025 році до збільшення пакету до 5% і до офіційної пропозиції про купівлю у 2026 — компанія не вважає ROHM просто фінансовим активом, а стратегічним кроком у перетворенні у системного провайдера напівпровідників.

Мотивація DENSO — у тому, щоб стати ключовим гравцем у галузі системних рішень для електромобілів, і для цього потрібно контролювати весь ланцюг: від дизайну і виробництва до інтеграції. Це відповідає стратегії Toyota, яка вже анонсувала запуск нових автомобілів з високопродуктивними чипами до 2029 року.

ROHM — ідеальний кандидат для цієї мети. Вона є однією з небагатьох компаній, що мають вертикальну інтеграцію у SiC, з часткою ринку близько 14%, і володіє ключовими технологіями для SiC MOSFET у електромобілях. Придбання ROHM дозволить DENSO закрити прогалини у логічних і аналогових чипах, створити повну систему постачання і зменшити ризики, пов’язані з збоєм ланцюгів.

Однак ринок реагує скептично. Після новини про поглинання акції DENSO впали майже на 5.6%. Інвестори ставлять питання: чи зможе DENSO, яка має 12-річний збиток і низьку завантаженість виробництв, повернути ROHM до прибутковості? А клієнтська база ROHM — у автопрому — може змінитися, якщо вона перейде під контроль DENSO, і конкуренти можуть втратити частину клієнтів.

Ще складніше — якщо DENSO купить ROHM, як воно вирішить питання з партнерством з Fuji Electric і Toshiba? 13 трильйонів ієн — це не просто цифра, а складна дилема інтересів.

SiC і GaN: битва третього покоління напівпровідників

Об’єднання DENSO і ROHM — це переформатування позицій у битві третього покоління напівпровідників. Водночас, карбід кремнію (SiC) — не єдина сфера конкуренції: на арені з’являється і галузь галлієвого нитиду (GaN).

Конкуренція між SiC і GaN має свої особливості. GaN підходить для напруги до 1000 В, тоді як SiC — для вище 650 В. Вони конкурують у зарядних пристроях для електромобілів, системах високовольтних інверторів. За характеристиками, GaN у 3 рази менший за площу при схожій продуктивності, що знижує вартість.

Китайські компанії у цій галузі — особливо InnoGaN — зробили прорив, запустивши масове виробництво 8-дюймових GaN-елементів. Це перша компанія у світі, що здолала цю складність і почала масштабне виробництво.

До кінця 2024 року InnoGaN планує збільшити потужності до 70 тисяч пластин на місяць. Вона є єдиним постачальником GaN для широкого спектру напруг — від 15 В до 1200 В — і її продукція охоплює швидке заряджання, дата-центри, електромобілі.

Чому Японія відстає? У 2015–2018 роках японські компанії зосередилися на розширенні SiC і захисті своїх позицій у IGBT і MOSFET. GaN тоді був менш популярний через обмежені застосування у швидкому заряджанні і базових станціях.

Але ситуація змінилася. GaN швидко поширюється у швидких зарядках, системах живлення для дата-центрів, автомобільних системах і навіть у радарних системах. У 2025 році NVIDIA оголосила про інтеграцію GaN у свої системи високої напруги, залучивши InnoGaN, Infineon, Texas Instruments.

Японські компанії — Sumitomo Chemical, ROHM, Mitsubishi Chemical — намагаються наздогнати, але поки що відставання суттєве. Виробництво GaN — це не лише технологія, а й екосистема: хто має широку клієнтську базу і масштаб, той і виграє.

Загалом, у третьому поколінні напівпровідників Японія ще має технологічний потенціал, але відставання від Китаю і США зростає. Вона вже не може дозволити собі довго зволікати з об’єднанням і стратегічною мобілізацією.

Четверте покоління: новий фронт — чи останній шанс?

Якщо вважати японську історію падіння у третій галузі, то у четвертому поколінні вона може знайти новий шанс. Це матеріали з надширокою забороненою зоною: оксид галію (Ga₂O₃), алмаз, алюмінієвий нітрид (AlN), а також надзвичайно вузькозаборонені — антімоніди галію і індію.

Ці матеріали мають унікальні властивості: Ga₂O₃ має у 3 рази вищий пробивний напір ніж карбід кремнію, а алмаз — у 13 разів кращий за теплопровідністю. Теоретично, вони здатні витримувати мільйони ватів на міліметр квадратний.

Японські компанії мають у цій галузі значний досвід. Novel Crystal Technology з 2012 року виробляє Ga₂O₃ підкладки і вже має потужності для 20 тисяч 4-дюймових пластин на рік. Flosfia створила унікальні технології для виготовлення найменших за опіром діодів на основі Ga₂O₃.

Очікується, що до 2030 року глобальний ринок Ga₂O₃ досягне 1.5 мільярда доларів, що становитиме 40% від ринку карбіду кремнію. Водночас, у галузі алмазних напівпровідників японські компанії теж мають свої напрацювання, зокрема універсальні високопродуктивні пристрої.

Китайські дослідницькі центри і компанії активно працюють у цій сфері. У 2025 році китайські вчені створили перший у світі 8-дюймовий Ga₂O₃-елемент, а університети і лабораторії — розробляють нові технології для масового виробництва.

Звичайно, відставання ще є, але швидкість його зменшення вражає. TianYue Advanced і Huanghe Whirlwind вже працюють у цій галузі. Чи зможе Китай у найближчі роки повторити успіх у четвертому поколінні — питання відкриті, але японські компанії вже не мають багато часу.

Від втрати логіки до проблем силових напівпровідників

Ситуація з японськими силовими напівпровідниками нагадує більш ранні втрати у логічних чіпах у 1990-х. Тоді, коли світ перейшов до масового виробництва за моделлю TSMC, японські гіганти — Fujitsu, NEC, Hitachi — через консерватизм і захист старих моделей втратили лідерство і поступово вийшли з передової.

Зараз ситуація схожа: конкуренція з Китаєм і США зменшує технологічний гандикап Японії. Вона має сильні позиції у високотехнологічних компонентах, таких як високовольтні модулі, автомобільна електроніка і матеріали, що є її опорою.

Підсумок: злиття — початок, а не кінцева точка

Якщо DENSO і ROHM зможуть об’єднатися, це стане першим у японській історії повністю вертикально інтегрованим гігантом у силових напівпровідниках, здатним конкурувати з Китаєм.

Переговори Mitsubishi і Toshiba — ще один шлях реорганізації, але його успіх залежить від політичних і економічних факторів.

Водночас, у галузі четвертого покоління вже йде боротьба за першість. Матеріали, такі як Ga₂O₃ і алмаз, ще далекі від масового застосування, але саме у цей період, коли технології ще не довершені, найсильніші гравці закладають довгострокові переваги.

Японія має ще значний потенціал, але час працює проти неї. Вона вже не може довго зволікати з об’єднаннями і стратегічними рішеннями. Це — не просто попередження, а початок відліку кінця.

Джерело: Semiconductor Industry Watch

Ризики та відмови від відповідальності

Ринок ризикований, інвестиції — під ризиком. Цей матеріал не є інвестиційною рекомендацією і не враховує індивідуальні цілі чи фінансовий стан користувача. Користувачі мають самостійно оцінювати відповідність інформації своїй ситуації.