SatoshiNotNakamoto

vip
Idade 4.6 Ano
Nível máximo 4
Auto-intitulado como um firme maximalista de Bitcoin, na verdade, joga secretamente com várias altcoins. Gosta de ensinar os outros a manter moedas durante a corrida de touros, mas desaparece durante o mercado em baixa.
Por trás do crescimento de 7 vezes em um ano da KIOXIA, superando a Toyota e se tornando a maior acionista do Japão, também há um investidor dedicado e persistente.
Em 2018, a Bain Capital liderou um consórcio que adquiriu a fabricante de chips de armazenamento Kioxia (anteriormente Toshiba Memory) por cerca de 18 bilhões de dólares.
2018–2020: De Toshiba Memory a “Kioxia”
Após a aquisição, em 2019, a empresa foi oficialmente renomeada para “Kioxia”, completando sua independência de marca e corporativa.
A Toshiba manteve aproximadamente 40% de participação acionária, enquanto o consórcio lider
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Há uma edição de podcast muito interessante neste fim de semana, com Chen Liwu participando do No Priors. Este também é o primeiro podcast dele após assumir a Intel.
Há vários pontos importantes que merecem atenção:
1️⃣ Transformações na ciência dos materiais:
Ele mencionou que está direcionando o foco para tecnologias de empacotamento avançado EMIB, substratos de vidro, bem como novos materiais como nitreto de gálio (GaN), carbeto de silício (SiC), fosfeto de índio (InP) e diamantes sintéticos.
2️⃣ Forte recuperação na demanda por CPUs
A proporção de CPUs para GPUs nos servidores de
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SK海力士 Não há necessidade de palavras, a melhor escolha em memória.
Ainda lembro que o preço da primeira compra foi de apenas 700.000, naquela época o primeiro objetivo era atingir 1M, e em um piscar de olhos já quase chegamos a 3M.
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还有一个其实也相关的新闻“SK 海力士将于今年底实现 375 层 NAND 的量产,并导入钼材料”。
用钼(Mo)代替钨,讨论一直有,SK的量产也代表一种趋势。
这次的产品原本是400 层级,后来修正为 375 层。NAND 闪存通过垂直堆叠数百层存储单元及其控制字线来提升容量;在 375 层产品中,SK 海力士决定在金属栅电极(即字线)中,将部分钨替换为钼。
在高层堆叠 NAND 结构中,钼被视为可以克服钨限制的材料。随着层数上升,线宽变窄,钨在超细结构中的电阻随尺寸缩小而上升,导致信号传输变慢。钼在细线字线结构中的电阻低于钨,有利于加快信号传输,从而提升写入和擦除速度。
此外,钨在沉积前需要先形成阻挡衬里层,每增加一层都会带来有效厚度的损失;而钼可以在无需该辅助层的情况下直接沉积,有助于实现更高密度结构。
不过,引入钼的工艺本身技术难度不低。钼前驱体在室温下为固体,需要通过加热并稳定供给的技术,才能以稳定的流量和用量进行供应。
三星电子则已在其第九代 286 层 3D NAND(于 2024 年 4 月进入量产)中导入钼金属布线。其下一代第十代 3D NAND(层数超过 400 层)计划在今年下半年实现商品化,且三星正在扩大采用钼的工艺步骤数。
用于 3D NAND 的钼材料需求预计将快速增长。业界估计,三星在去年采购或将采购约 4 吨钼,今年约 10 吨;到 2027 年预计
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一场钨的出口限制将引发WF6的缺乏。
两家日本厂(关东电化+中央硝子)合计 WF₆ 产能约 2000–2200 吨/年,占全球供应约 25%。而他们因为缺少原材料,从6月底开始停产WF6。
六氟化钨是 CVD/WCVD 工艺沉积金属钨的核心前驱体,用于接触孔填充(via fill)、金属互连、DRAM 电容和 3D NAND/HBM 结构中的钨层。
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可以共情以前大家去日本代购纸尿裤了。
怎么中国产的纸尿裤都危险☢️
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好的股票,别做那么多垃圾波段,拿住就好了。引以为戒。
忍不住想交易的时候就去多读点书看看研报做做重训。
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