A IA está remodelando o ciclo de DRAM: aceleração da HBM, aumento de capacidade da Samsung e uma era de escassez abrangente de chips de memória em 2028 já começou

15 de julho de 2026, a Samsung Electronics foi acusada de planejar construir uma fábrica de DRAM na Nova Zona Industrial de Gyeonggi-do, com capacidade mensal de 100 mil wafers de DRAM, com investimento total de dezenas de trilhões de won sul-coreano. A inteligência artificial está remodelando, de forma fundamental, a estrutura de oferta e demanda e a lógica de precificação dos chips globais de armazenamento.

A DRAM (memória dinâmica de acesso aleatório), como uma das peças centrais da infraestrutura de IA, está passando por uma reconfiguração de ciclo impulsionada por uma ruptura na estrutura da demanda. Essa reestruturação é completamente diferente dos ciclos tradicionais de armazenamento: ela não é empurrada pela onda de troca de aparelhos de eletrônicos de consumo, e sim provocada pela demanda explosiva por memória de alta largura de banda gerada pelo treinamento e pela inferência de IA. Entender a lógica de evolução desse novo ciclo de DRAM é uma referência importante para compreender para onde caminha a indústria de semicondutores e as mudanças na infraestrutura subjacente do mercado de ativos digitais.

A lacuna de oferta e demanda se amplia para o pico de quase 15 anos

Em julho de 2026, o aumento do preço dos chips de armazenamento globais já entrou no terceiro trimestre consecutivo de alta. O relatório divulgado no início de julho pela UBS elevou de forma expressiva as projeções de preços de armazenamento, prevendo alta de 32% no trimestre (QoQ) para contratos DDR no terceiro trimestre e alta de 18% no quarto trimestre. A instituição acredita que a tensão entre oferta e demanda no setor de DRAM deve persistir pelo menos até o primeiro semestre de 2028.

Essa avaliação foi validada por várias séries de dados. Os dados da TrendForce mostram que, no terceiro trimestre de 2026, a estrutura geral de DRAM continua extremamente apertada, com expectativa de alta de 13% a 18% no preço dos contratos no trimestre. Em um relatório de 7 de julho, a Morgan Stanley elevou a projeção de variação QoQ do preço médio misto do PC DRAM, antes de 3%-8%, para 15%-20%; para server DRAM, a alta foi ajustada para 13%-18%.

A profundidade do desequilíbrio de oferta e demanda está se aproximando de um máximo histórico. A UBS apontou que, se não forem considerados os efeitos de amortecimento da recomposição de estoques pelos clientes downstream, a lacuna real de oferta e demanda em 2027 se ampliará de -8,1% em 2026 para -13,6%, atingindo um nível de desequilíbrio raro nos últimos 30 anos. Um relatório de pesquisa do Goldman Sachs afirmou que o desequilíbrio atual de oferta e demanda de armazenamento global atingiu o pico de quase 15 anos. O analista da KB Securities, Kim Dong-won, prevê ainda que 2027 será o período em que o fornecimento estará mais escasso na 70 anos de histórico do setor de semicondutores de memória.

A alta de preços já saiu dos fabricantes upstream e se espalhou por toda a cadeia da indústria. A Samsung planeja elevar em 20% a média do preço de venda de DRAM genérica no trimestre do terceiro trimestre de 2026; a alta das memórias LPDDR para dispositivos móveis também deve exceder 20%. Segundo a primeira finanças, alguns fabricantes de terminais de eletrônicos de consumo já receberam um aviso verbal da Samsung sobre reajuste de preços de DRAM.

HBM se torna a variável estrutural do ciclo de DRAM

A chave para entender a dinâmica deste ciclo de DRAM está no avanço da categoria HBM (memória de alta largura de banda). O HBM alcança largura de banda extremamente alta empilhando verticalmente vários chips de DRAM, sendo uma solução de memória indispensável para GPUs de IA.

O impulso da demanda é impressionante. O presidente da SEMI China, Feng Li, destacou claramente que, em 2026, o tamanho do mercado de HBM deve crescer 58% para US$ 5,46 bilhões, representando cerca de quatro décimos do mercado de DRAM. Embora os três grandes fabricantes — Samsung, SK hynix e Micron — já tenham direcionado 70% das novas capacidades de produção para HBM, a lacuna geral de capacidade ainda é de 50% a 60%. Os dados da Omdia mostram que a produção global de HBM em 2026 deve crescer 103% ano contra ano, dobrando ou mais.

O efeito de “expulsão” do HBM sobre a capacidade de DRAM é o mecanismo central do desequilíbrio entre oferta e demanda. De acordo com dados do setor, a participação do HBM na capacidade de wafers de DRAM aumentou de 2% em 2020 para uma estimativa de 25% em 2026. A capacidade consumida por um wafer de HBM equivale a cerca de três wafers de DDR5. O tamanho de um chip de HBM é mais de duas vezes maior do que o de um chip de DRAM comum; em capacidade de armazenamento equivalente, a área de wafer e o espaço em sala limpa consumidos pelo HBM são pelo menos três vezes os da DRAM convencional.

A consequência direta da inclinação de capacidade é a contração estrutural da oferta de DRAM genérica. A KB Securities estima que a participação do HBM no volume global de wafers de DRAM aumentará de 15% em 2026 para 34% em 2027. Isso significa que a maior parte das novas capacidades se concentrará em HBM, e a expansão da oferta de DRAM genérica fica efetivamente limitada.

Servidores de IA viraram o maior mercado de aplicação para DRAM, com a demanda por servidores ultrapassando 50% da demanda total de DRAM. O consumo de DRAM por servidor de IA é de 8 a 10 vezes o de um servidor comum. A quantidade média de DRAM instalada por servidor deve subir de 1.032 GB em 2025 para 1.432 GB em 2026, um aumento de aproximadamente 39%. A TrendForce estima que cerca de 70% da capacidade de memória avançada global em 2026 deve ser direcionada a data centers de IA.

Corrida de capacidade entre os três gigantes e disputa de participação

No novo ciclo impulsionado por HBM, as escolhas estratégicas dos três grandes — SK hynix, Samsung Electronics e Micron — estão remodelando o cenário da indústria.

SK hynix é a líder absoluta no mercado de HBM. Dados da Counterpoint Research indicam que, no primeiro trimestre de 2026, no mercado global de HBM em termos de receita, a SK hynix ficou em primeiro lugar com 58% de participação, enquanto Samsung Electronics e Micron ficaram com 21% cada. A previsão de analistas indica que a receita de HBM da SK hynix em 2026 pode chegar a US$ 5,95 bilhões. A capacidade total de HBM da empresa ao longo de 2026 já foi integralmente travada por acordos de longo prazo com empresas de nuvem.

Mas a vantagem de liderança enfrenta desafios. O relatório de 13 de julho da Korea Investment & Securities previu que a receita da SK hynix no segundo trimestre seria de 80,9 trilhões de won sul-coreanos (crescimento de 264% ano contra ano), com lucro operacional de 60,4 trilhões de won (crescimento de 556% ano contra ano), porém ainda cerca de 8% abaixo do consenso do mercado, de 65 trilhões de won. A principal razão é que a participação de vendas de HBM está acima da dos concorrentes, levando a uma alta do preço médio abaixo do nível médio do mercado. Analistas preveem que, a partir do início da produção em escala total do HBM4 no terceiro trimestre, a alta do preço médio deve retornar ao valor médio do mercado.

Samsung Electronics está correndo para alcançar. A empresa planeja investir mais de 110 trilhões de won sul-coreanos (cerca de US$ 73,3 bilhões) em investimentos de equipamentos e P&D em 2026, cerca de 22% acima do ano anterior. A notícia mais recente de 15 de julho aponta que a Samsung planeja construir uma fábrica de DRAM na Zona Industrial de Giheung, com capacidade mensal de 100 mil wafers, com início do trabalho mais rápido possível no terceiro trimestre de 2026.

No produto HBM4, a Samsung já conseguiu, em primeiro lugar no mundo, a produção em massa e o envio. A TrendForce, em seu relatório de junho, afirmou que houve divergência significativa no progresso de validação entre os três principais fabricantes de HBM4, com a Samsung em posição de liderança na validação. A Samsung espera que as vendas de HBM em 2026 cresçam mais de três vezes em relação ao ano anterior.

Micron tem a menor capacidade de HBM entre as três empresas, mas o ímpeto de crescimento é o mais forte. No terceiro trimestre fiscal de 2026 (até maio), a receita atingiu US$ 41,46 bilhões, um salto de 346% ano contra ano. A divisão de DRAM contribuiu com US$ 31,3 bilhões, representando 76% da receita total. A margem bruta chegou a 84,9%, superando a Nvidia.

O que chama ainda mais atenção do mercado é a orientação para o quarto trimestre fiscal: a receita deve ficar em cerca de US$ 50 bilhões, com margem bruta de aproximadamente 86% e lucro por ação de cerca de US$ 31. A capacidade de HBM ao longo de 2026 da Micron já está esgotada sob contratos a preço fixo. O plano de investimento em equipamentos da empresa aumentou de forma significativa mais de 90% em relação ao ano anterior.

Da dinâmica de ciclo à lógica estrutural: a troca de fundamentos de longo prazo da DRAM

A diferença mais essencial entre este mercado de DRAM e todos os ciclos anteriores está na mudança estrutural dos motores.

A IDC estima que a receita do mercado global de DRAM em 2026 chegue a US$ 418,6 bilhões, crescimento de 177%. A receita do mercado NAND deve atingir US$ 174,1 bilhões, crescimento de 138,5%. O valor de produção total anual da indústria de armazenamento ultrapassará US$ 550 bilhões. Servidores de armazenamento substituirão celulares como o principal cenário de demanda. A UBS acredita que o aumento de preços impulsionará uma receita de US$ 992 bilhões para o setor de memória em 2026.

Esse crescimento não é uma simples recuperação cíclica. A IDC deixa claro que não se trata de mais uma alta dentro do ciclo tradicional de oscilação de memórias, e sim de uma mudança estrutural no setor. Clientes de mega data centers estão comprando uma categoria totalmente diferente de chips de armazenamento, mais caros, e estão dispostos a pagar um prêmio para garantir o fornecimento.

As restrições no lado da oferta também têm características estruturais. Após perdas profundas do setor em 2025, os fabricantes adotaram, em geral, uma estratégia de controle de produção e manutenção de preços. O desenvolvimento de processos avançados de semicondutores e o ciclo de construção de fábricas de wafers são longos; além disso, barreiras múltiplas como talentos, energia e aprovações dificultam a entrada rápida de capacidade nova. Um executivo da Micron avaliou que o cenário de aperto na oferta do setor continuará além de 2027, com uma melhora gradual do lado da oferta acontecendo apenas em 2028.

A disseminação de acordos de longo prazo (LTA) está mudando a precificação e o modelo de rentabilidade do setor. SK hynix, Samsung e Micron usam acordos de fornecimento de longo prazo para travar volumes e preços de 1 a 2 anos futuros com principais clientes como a Nvidia. A Micron já assinou 16 contratos de fornecimento de longo prazo que abrangem data centers, eletrônicos de consumo e o setor automotivo. Apenas a receita mínima garantida pelos contratos já assinados chega a US$ 100 bilhões. A Korea Investment & Securities apontou que, à medida que a indústria de memória migra para uma estrutura de acordos de longo prazo de 3 a 5 anos, o valor das empresas depende de por quanto tempo a alta capacidade de lucro pode continuar, e não da taxa de crescimento da média de preço de um trimestre.

Conclusão

A demanda por servidores de IA está empurrando o setor de DRAM para um novo ciclo sem precedentes. A característica central desse ciclo não é apenas o aumento de preços, mas uma reconstrução sistêmica da estrutura de demanda, da alocação de capacidade, dos modelos de precificação e do cenário da indústria.

A ascensão do HBM mudou a matriz de produtos de DRAM. A inclinação de capacidade dos três gigantes criou uma escassez estrutural de DRAM genérica. A disseminação dos acordos de longo prazo está suavizando a volatilidade cíclica do setor. A UBS prevê que o aperto entre oferta e demanda de DRAM deve persistir pelo menos até o primeiro semestre de 2028. A KB Securities prevê que 2027 será o período mais escasso na história de 70 anos do setor — e esses entendimentos apontam para uma mesma conclusão: a duração e a intensidade do ciclo de DRAM desta vez podem superar em muito as expectativas iniciais do mercado.

Para investidores, entender a transformação da DRAM de “produto cíclico” para “ativo estratégico” talvez tenha mais valor de longo prazo do que prever o aumento de preços no próximo trimestre. Quando os chips de armazenamento se tornam a infraestrutura central da era de IA, a lógica de oferta e demanda e a divisão do poder de precificação vão impactar profundamente toda a cadeia da indústria de tecnologia — de semicondutores a ativos digitais.

FAQ

P: Em quanto a demanda de DRAM para servidores de IA é maior do que para servidores comuns?

A DRAM consumida por servidor de IA equivale a 8 a 10 vezes a de um servidor comum. A quantidade média de DRAM instalada por servidor deve subir de 1.032 GB em 2025 para 1.432 GB em 2026. A inferência de grandes modelos e a escala de agentes de IA continuarão a impulsionar o crescimento acelerado da demanda por armazenamento.

P: Quais são as diferenças de custo de produção entre HBM e DRAM tradicional?

O HBM é formado por múltiplos chips de DRAM empilhados verticalmente; o tamanho de um único chip é mais de duas vezes o de uma DRAM comum. Com capacidade de armazenamento equivalente, a área de wafer e o espaço em sala limpa consumidos são pelo menos três vezes os da DRAM comum. Um wafer de HBM consome capacidade equivalente a cerca de três wafers de DDR5. Custos de produção mais altos também se refletem em margens brutas mais altas — a margem bruta por chip HBM é de 60% a 70%, 4 vezes a de DRAM comum.

P: Quando o aperto de oferta e demanda de DRAM deve começar a aliviar?

A UBS acredita que o aperto entre oferta e demanda no setor de DRAM deve durar pelo menos até o primeiro semestre de 2028. A KB Securities prevê que a escassez de oferta provavelmente continuará até pelo menos 2028. Um executivo da Micron avalia que o aperto de oferta deve persistir até depois de 2027, com uma melhora gradual do lado da oferta acontecendo apenas em 2028. A principal divergência entre as três instituições não está em “se está apertado”, mas em “por quanto tempo”.

P: Como está o cenário de participação das três gigantes no mercado de HBM?

No primeiro trimestre de 2026, a SK hynix ficou em primeiro lugar com 58% de participação na receita, enquanto Samsung Electronics e Micron ficaram com 21% cada. Na previsão de analistas sobre participação de envios ao longo do ano, a SK hynix ficou em cerca de 52%, a Samsung em cerca de 39% e a Micron em cerca de 8%. Na área de HBM4, a Counterpoint Research estima que a participação da SK hynix em 2026 será de cerca de 54%, a da Samsung de cerca de 28% e a da Micron de cerca de 18%. A Samsung está em posição de liderança no progresso de validação do HBM4.

P: Qual é o impacto do aumento de preço da DRAM sobre os preços dos terminais de eletrônicos de consumo?

O aumento de preço da DRAM foi repassado dos fabricantes upstream até os terminais de eletrônicos de consumo. De acordo com análises do setor, marcas de PC e de smartphones devem reajustar os preços de seus produtos gradualmente em 15% a 20%. No mercado de distribuição, como o de Huaqiangbei, aparece o fenômeno de “três preços em um dia”, e revendedores recomendam adiar compras que não sejam urgentes. Fabricantes de automóveis também começaram a reavaliar configurações de parte da condução inteligente para controlar custos de componentes.