中金：核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

火星财经消息，中金指出，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为，SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。(财联社)

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Notícias da Mars Finance, a CICC aponta que, após a computação de IA avançar em direção a alta densidade, carga contínua e impacto transitório forte, a arquitetura de alta tensão é a direção determinante para o desenvolvimento dos sistemas de fornecimento de energia de data centers. Impulsionada pelo progresso tecnológico de hardware, 2026 será o primeiro ano de implementação da arquitetura de alta tensão em data centers. A CICC acredita que dispositivos semicondutores de terceira geração, como SiC/GaN, deverão continuar se beneficiando da atualização dos sistemas elétricos dos data centers. O SiC deverá liderar as aplicações do lado da sala de servidores (zona cinza), enquanto o GaN deverá ter uma penetração em larga escala nos racks (zona branca), formando um padrão de mercado de "SiC à esquerda, GaN à direita" a partir da linha divisória entre zonas cinza e branca, ambos se beneficiando da iteração das soluções de energia dos data centers. (Caixinha da Fortuna)