HBM: A "memória de ouro" sob o gargalo de poder computacional de IA, aumento de 58% no tamanho do mercado e lógica de investimento para 2026

2026年6月22日，韩国资本市场迎来历史性一刻——SK海力士（000660.KS）盘中股价涨至295万韩元，市值触及208.1万亿韩元，首次超越三星电子（005930.KS）的207.3万亿韩元，打破了三星连续26年稳坐韩国市值头把交椅的纪录。这一里程碑的背后，是一场由生成式AI驱动的存储芯片产业权力重构。而这场重构的核心主角，正是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）。

Em 22 de junho de 2026, o mercado de capitais sul-coreano viveu um momento histórico — as ações da SK Hynix (000660.KS) subiram para 2,95 milhões de won sul-coreanos durante o pregão, com valor de mercado atingindo 208,1 trilhões de won, ultrapassando pela primeira vez os 207,3 trilhões de won da Samsung Electronics (005930.KS), quebrando o recorde de 26 anos consecutivos da Samsung como a maior empresa em valor de mercado na Coreia do Sul. Por trás desse marco, está uma reestruturação do poder na indústria de chips de memória impulsionada pela IA generativa. E o protagonista central dessa reestruturação é o HBM (High Bandwidth Memory).

过去两年间，几乎所有关于AI算力的讨论都围绕着GPU展开。英伟达的芯片供不应求、台积电的先进制程产能满载，这些故事已被反复讲述。但在GPU的光环之下，一个更为隐蔽、也更为关键的瓶颈正在悄然收紧——HBM。没有足够的高带宽内存，再强大的算力芯片也只能空转。

Nos últimos dois anos, quase todas as discussões sobre poder computacional de IA giraram em torno das GPUs. Os chips da Nvidia estão em falta, a capacidade de produção avançada da TSMC está cheia — essas histórias já foram contadas repetidamente. Mas, sob o brilho das GPUs, um gargalo mais oculto e crítico está se apertando silenciosamente — o HBM. Sem memória de alta largura de banda suficiente, até mesmo os chips de computação mais poderosos ficam ociosos.

2026年，HBM正从半导体产业的一个细分品类，跃升为决定AI基础设施扩张速度的战略性稀缺资源。本文将从技术原理、市场逻辑、竞争格局与投资标的四个维度，系统拆解HBM为何成为AI时代的“黄金内存”。

Em 2026, o HBM está passando de uma categoria de nicho da indústria de semicondutores para um recurso estratégico escasso que determina a velocidade de expansão da infraestrutura de IA. Este artigo irá dissecar sistematicamente por que o HBM se tornou a "memória de ouro" da era da IA a partir de quatro dimensões: princípios técnicos, lógica de mercado, cenário competitivo e alvos de investimento.

HBM技术原理：破解“内存墙”的3D堆叠革命

Princípios técnicos do HBM: A revolução de empilhamento 3D que quebra o "Memory Wall"

要理解HBM为何如此重要，首先需要回到一个基础问题：现代计算架构中，处理器与存储器之间的速度差距正在不断拉大。CPU或GPU的计算速度每18至24个月翻一番，但内存的带宽提升速度却远远跟不上。这一矛盾被称为“内存墙”（Memory Wall）——算力再强，如果数据无法及时送达，芯片只能空转等待。

Para entender por que o HBM é tão importante, primeiro precisamos voltar a uma questão fundamental: na arquitetura moderna de computação, a lacuna de velocidade entre processadores e memória está aumentando constantemente. A velocidade de computação de CPUs ou GPUs dobra a cada 18 a 24 meses, mas o aumento da largura de banda da memória fica muito atrás. Essa contradição é chamada de "Memory Wall" — não importa quão poderoso seja o poder computacional, se os dados não puderem ser entregues a tempo, o chip fica ocioso esperando.

HBM正是为解决这一瓶颈而生。它是一种高性能内存架构，通过垂直堆叠多个DRAM芯片，并使用穿透硅通孔（TSV）技术实现芯片之间的高速互联。简单来说，传统内存是将DRAM芯片平铺在电路板上，数据通过有限的引脚传输；而HBM将DRAM芯片像“叠罗汉”一样垂直封装，再通过数千条微细通道同时传输数据，带宽远超传统DDR内存。

O HBM surgiu exatamente para resolver esse gargalo. É uma arquitetura de memória de alto desempenho que empilha verticalmente vários chips DRAM e usa a tecnologia Through Silicon Via (TSV) para interconexão de alta velocidade entre os chips. Simplificando, a memória tradicional coloca chips DRAM planos em uma placa de circuito, com dados transmitidos através de pinos limitados; enquanto o HBM empacota os chips DRAM verticalmente como "pilha humana", transmitindo dados simultaneamente através de milhares de microcanais, com largura de banda muito superior à da memória DDR tradicional.

HBM的独特设计使其拥有前所未有的带宽密度。以最新的HBM4为例，JEDEC于2025年4月发布的官方规范显示，HBM4的接口宽度翻倍至2,048位，单堆栈带宽可达每秒2 TB。三星量产的HBM4采用12层堆叠方案，单颗堆栈基础容量36 GB，引脚传输速率13 Gbps，单堆栈总带宽可达3.3 TB/s。

O design único do HBM lhe confere uma densidade de largura de banda sem precedentes. Tomando o mais recente HBM4 como exemplo, as especificações oficiais divulgadas pela JEDEC em abril de 2025 mostram que a largura da interface do HBM4 dobrou para 2.048 bits, com largura de banda de pilha única atingindo 2 TB por segundo. O HBM4 de produção em massa da Samsung adota um esquema de empilhamento de 12 camadas, com capacidade base de pilha única de 36 GB, taxa de transferência de pino de 13 Gbps e largura de banda total de pilha única de até 3,3 TB/s.

正是这种“高带宽+低功耗”的特性，使HBM成为AI训练与推理场景中不可替代的核心组件。大语言模型动辄数千亿参数，每一次前向与反向传播都需要在处理器与内存之间交换海量数据——只有HBM能够提供足够的带宽来支撑这一过程。

É exatamente essa característica de "alta largura de banda + baixo consumo de energia" que torna o HBM um componente central insubstituível em cenários de treinamento e inferência de IA. Modelos de linguagem grandes têm centenas de bilhões de parâmetros, e cada propagação direta e reversa requer a troca de enormes quantidades de dados entre o processador e a memória — apenas o HBM pode fornecer largura de banda suficiente para suportar esse processo.

市场爆发：从134亿到546亿美元的跳跃

Explosão de mercado: Salto de 13,4 bilhões para 54,6 bilhões de dólares

HBM市场的扩张速度，正在重新定义整个存储芯片行业的增长曲线。

A velocidade de expansão do mercado de HBM está redefinindo a curva de crescimento de toda a indústria de chips de memória.

根据Stratistics MRC的数据，2026年全球HBM市场规模预计将达到134亿美元，并在预测期内以34.1%的复合年增长率成长，到2034年有望达到1,410亿美元。而另一组来自SEMI的数据更为激进——SEMI中国总裁冯莉在SEMICON China 2026上指出，2026年HBM市场规模将增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成份额。

De acordo com dados da Stratistics MRC, o tamanho do mercado global de HBM em 2026 deve atingir 13,4 bilhões de dólares, crescendo a uma taxa de crescimento anual composta de 34,1% durante o período de previsão, podendo chegar a 141 bilhões de dólares até 2034. Outro conjunto de dados da SEMI é ainda mais agressivo — Feng Li, presidente da SEMI China, apontou no SEMICON China 2026 que o mercado de HBM em 2026 crescerá 58% para 54,6 bilhões de dólares, representando quase 40% da participação do mercado de DRAM.

两组数据口径不同，但指向同一个结论：HBM正以远超传统半导体品类的速度扩张。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2026年全球半导体市场总规模将达到9,750亿美元。而存储器2026年同比增长约250%，市场规模突破8,000亿美元。HBM正是存储器板块中增长最快、利润率最高的细分赛道。

Os dois conjuntos de dados têm metodologias diferentes, mas apontam para a mesma conclusão: o HBM está se expandindo a uma velocidade muito superior à das categorias tradicionais de semicondutores. A Organização Mundial de Estatísticas de Comércio de Semicondutores (WSTS) prevê que o tamanho total do mercado global de semicondutores em 2026 atingirá 975 bilhões de dólares. Já a memória crescerá cerca de 250% em 2026 em relação ao ano anterior, com o tamanho do mercado ultrapassando 800 bilhões de dólares. O HBM é o segmento de crescimento mais rápido e de maior margem de lucro dentro do setor de memória.

这一增长的核心驱动力来自AI基础设施的持续扩张。2026年全球AI基础设施支出将达到4,500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%。AI模型正从训练阶段向推理和代理式AI演进，这意味着对高性能存储的需求不仅没有放缓，反而在持续扩大。

O principal impulsionador desse crescimento vem da expansão contínua da infraestrutura de IA. Em 2026, os gastos globais com infraestrutura de IA atingirão 450 bilhões de dólares, com o poder computacional de inferência representando mais de 70% pela primeira vez. Os modelos de IA estão evoluindo da fase de treinamento para inferência e IA agêntica, o que significa que a demanda por armazenamento de alto desempenho não está diminuindo, mas sim se expandindo continuamente.

供需失衡：产能售罄与结构性缺口

Desequilíbrio entre oferta e demanda: Capacidade esgotada e lacunas estruturais

与市场规模同步攀升的，是日益严峻的供需失衡。

Junto com o aumento do tamanho do mercado, o desequilíbrio entre oferta e demanda está se tornando cada vez mais grave.

尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增或可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍高达50%至60%。2025年HBM缺口率达45%，2026年依旧维持43.5%的高位。机构测算显示，2026年全球DRAM供需缺口约7%、HBM缺口约6%，且紧缺态势持续加剧，2027年DRAM与HBM缺口将扩大至9%。

Embora as três principais fabricantes — Samsung, SK Hynix e Micron — tenham direcionado 70% de sua capacidade nova ou realocável para o HBM, a lacuna de capacidade do HBM ainda é de 50% a 60%. Em 2025, a taxa de lacuna do HBM foi de 45%, e em 2026 ainda permanece em um alto nível de 43,5%. Cálculos de instituições mostram que em 2026, a lacuna global de oferta e demanda de DRAM é de cerca de 7%, e a do HBM é de cerca de 6%, com a escassez se intensificando. Em 2027, as lacunas de DRAM e HBM se expandirão para 9%.

更值得关注的是，三大原厂2026年的全部HBM产能早已经被下游客户全年锁定，不少核心客户甚至已将产能锁定至2028年。美光管理层在2026财年第三季度财报中公开确认，公司仅能满足客户实际需求的约50%至66%。高盛预计，存储市场供应短缺情况将持续至2028年。

Mais notável é que toda a capacidade de HBM das três principais fabricantes para 2026 já foi totalmente bloqueada por clientes downstream para o ano inteiro, com muitos clientes principais bloqueando capacidade até 2028. A administração da Micron confirmou publicamente no relatório de resultados do terceiro trimestre do ano fiscal de 2026 que a empresa só pode atender cerca de 50% a 66% da demanda real dos clientes. O Goldman Sachs prevê que a escassez de oferta no mercado de memória continuará até 2028.

这种供需失衡并非短期脉冲，而是由多重结构性力量共同驱动的结果。需求端，AI模型的参数规模持续膨胀、推理需求的崛起构成了刚性支撑；供给端，TSV工艺的复杂性、先进封装的良率爬坡、以及设备交付周期等物理约束，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。国际投行普遍认为，HBM供不应求是至少三年级别的产业趋势。

Esse desequilíbrio entre oferta e demanda não é um pulso de curto prazo, mas o resultado de múltiplas forças estruturais atuando juntas. Do lado da demanda, a escala de parâmetros dos modelos de IA continua a inflar e o surgimento da demanda por inferência fornece suporte rígido; do lado da oferta, a complexidade do processo TSV, a curva de aprendizado de rendimento da embalagem avançada e as restrições físicas como o ciclo de entrega de equipamentos fazem com que a liberação de nova capacidade leve pelo menos até 2028-2029. Os bancos de investimento internacionais geralmente acreditam que a demanda superando a oferta de HBM é uma tendência da indústria de pelo menos três anos.

三巨头争霸：SK海力士、三星与美光的权力游戏

A disputa dos três gigantes: O jogo de poder entre SK Hynix, Samsung e Micron

HBM市场的竞争格局，正形成以SK海力士、三星电子与美光科技为核心的寡头结构。

O cenário competitivo do mercado de HBM está formando uma estrutura oligopolista centrada na SK Hynix, Samsung Electronics e Micron Technology.

SK海力士是目前HBM市场的绝对领先者。TrendForce数据显示，在2026年全球HBM生产位元占比中，SK海力士约占50%，三星约占28%，美光约占22%。Counterpoint Research的预测则更为细化，预计SK海力士2026年在HBM4市场的占有率约为54%，三星为28%，美光约为18%。这一领先地位直接反映在资本市场——SK海力士2026年第一季度营收达52.58万亿韩元，同比增长198%、环比增长60%，单季营收首次突破50万亿韩元。瑞银预测SK海力士2026年总营收为355.1万亿韩元，经营利润达286万亿韩元。

A SK Hynix é atualmente a líder absoluta no mercado de HBM. De acordo com dados da TrendForce, na participação de bits de produção global de HBM em 2026, a SK Hynix representa cerca de 50%, a Samsung cerca de 28% e a Micron cerca de 22%. As previsões da Counterpoint Research são mais detalhadas, estimando que a SK Hynix terá cerca de 54% de participação no mercado de HBM4 em 2026, a Samsung 28% e a Micron cerca de 18%. Essa liderança se reflete diretamente no mercado de capitais — a receita da SK Hynix no primeiro trimestre de 2026 foi de 52,58 trilhões de won, um aumento de 198% em relação ao ano anterior e 60% em relação ao trimestre anterior, ultrapassando 50 trilhões de won pela primeira vez em um único trimestre. O UBS prevê que a receita total da SK Hynix em 2026 será de 355,1 trilhões de won, com lucro operacional de 286 trilhões de won.

三星则在经历HBM3E认证和供货节奏的波折后，正借助HBM4实现强势反攻。2026年2月12日，三星在韩国忠南天安园区完成HBM4的全球首发并启动大规模量产出货，仅约四个月后累计销售额便突破10亿美元，成为全球存储行业内首家达成这一里程碑的厂商。若以6月底为统计节点，HBM4累计销售额预计将超过12亿美元。三星计划在2026年底前将1c DRAM工艺节点月产能提升至约15万片，用于HBM4的量产。

Após os contratempos na certificação do HBM3E e no ritmo de fornecimento, a Samsung está montando um contra-ataque forte com o HBM4. Em 12 de fevereiro de 2026, a Samsung realizou o lançamento global do HBM4 em seu campus de Cheonan, na província de Chungcheong do Sul, e iniciou a produção em massa e o envio. Em apenas cerca de quatro meses, as vendas acumuladas ultrapassaram 1 bilhão de dólares, tornando-se a primeira fabricante global de memória a atingir esse marco. Considerando o final de junho como ponto de referência, as vendas acumuladas de HBM4 devem ultrapassar 1,2 bilhão de dólares. A Samsung planeja aumentar a capacidade mensal do nó de processo DRAM 1c para cerca de 150.000 wafers até o final de 2026, para produção em massa de HBM4.

美光虽然份额相对较小，但增速惊人。2026财年第三季度（截至5月31日），美光营收达414.6亿美元，同比增长346%，毛利率84.9%，调整后每股收益25.11美元，同比增长1,215%。美光HBM4 12层产品量产爬坡速度达到HBM3E 12层版本的两倍，公司已累计交付超过10亿美元的HBM4收入。美光管理层判断，HBM供需紧张将持续至2027年以后。

Embora a participação da Micron seja relativamente menor, sua taxa de crescimento é impressionante. No terceiro trimestre do ano fiscal de 2026 (encerrado em 31 de maio), a receita da Micron atingiu 41,46 bilhões de dólares, um aumento de 346% em relação ao ano anterior, com margem bruta de 84,9% e lucro por ação ajustado de 25,11 dólares, um aumento de 1.215% em relação ao ano anterior. A rampa de produção do produto HBM4 de 12 camadas da Micron é duas vezes mais rápida que a versão HBM3E de 12 camadas, e a empresa já acumulou mais de 1 bilhão de dólares em receita de HBM4. A administração da Micron avalia que a tensão entre oferta e demanda de HBM continuará além de 2027.

整体DRAM市场方面，三星仍保持着综合优势。2026年第一季度，三星DRAM营收达373.2亿美元，环比增长93.4%，市占率38.5%排名第一；SK海力士营收279.8亿美元，环比增长62.5%，市占率28.8%。这一对比清晰地表明：SK海力士的市值超越并非建立在整体DRAM市场的全面压倒之上，而是源于HBM这一高利润细分市场的绝对统治力所带来的估值溢价。

No mercado geral de DRAM, a Samsung ainda mantém uma vantagem abrangente. No primeiro trimestre de 2026, a receita de DRAM da Samsung atingiu 37,32 bilhões de dólares, um aumento de 93,4% em relação ao trimestre anterior, com participação de mercado de 38,5%, classificando-se em primeiro lugar; a receita da SK Hynix foi de 27,98 bilhões de dólares, um aumento de 62,5% em relação ao trimestre anterior, com participação de 28,8%. Essa comparação mostra claramente que o valor de mercado superior da SK Hynix não é baseado em uma dominância geral no mercado de DRAM, mas sim no prêmio de avaliação decorrente de seu domínio absoluto no segmento de alto lucro do HBM.

HBM产业链上的投资机会

Oportunidades de investimento na cadeia da indústria de HBM

HBM的超级周期正在沿产业链自上而下传导，为不同环节的投资标的创造了差异化机会。

O superciclo do HBM está se propagando de cima para baixo ao longo da cadeia da indústria, criando oportunidades diferenciadas para alvos de investimento em diferentes estágios.

第一梯队：三大存储原厂。 SK海力士、三星电子与美光科技凭借技术垄断和产能稀缺，赚取了产业链中的绝大部分超额利润，毛利率突破70%甚至80%。这三家公司是HBM行情最直接、最核心的受益者。

Primeiro escalão: As três principais fabricantes de memória. SK Hynix, Samsung Electronics e Micron Technology, com seu monopólio tecnológico e escassez de capacidade, ganham a grande maioria dos lucros excedentes na cadeia da indústria, com margens brutas ultrapassando 70% ou até 80%. Essas três empresas são os beneficiários mais diretos e centrais do boom do HBM.

第二梯队：先进封装与封测。 HBM产能扩张直接拉动了先进封装需求。A股市场中，长电科技、通富微电、华天科技等封测龙头被市场资金聚焦。此外，半导体设备企业如北方华创、中微公司也受益于全球存储扩产带来的资本开支上行。

Segundo escalão: Embalagem avançada e teste de embalagem. A expansão da capacidade de HBM impulsionou diretamente a demanda por embalagem avançada. No mercado de ações A, líderes de teste de embalagem como JCET, TongFu Microelectronics e Hua Tian Technology estão no foco do capital de mercado. Além disso, empresas de equipamentos semicondutores como a NAURA Technology Group e a AMEC também se beneficiam do aumento nos gastos de capital trazido pela expansão global de memória.

第三梯队：国内存储芯片与材料企业。 在全球DRAM与NAND供应持续紧张的背景下，国内存储芯片厂商迎来了国产替代的窗口期，兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份等受到市场关注。6月以来，A股算力硬件概念股平均上涨19.05%。

Terceiro escalão: Empresas nacionais de chips de memória e materiais. Em meio à contínua tensão no fornecimento global de DRAM e NAND, os fabricantes domésticos de chips de memória estão aproveitando uma janela para substituição nacional. Empresas como GigaDevice, Ingenic Semiconductor, Dongxin Co., Ltd. e Puya Semiconductor estão recebendo atenção do mercado. Desde junho, as ações do conceito de hardware de poder computacional no mercado A subiram em média 19,05%.

第四梯队：HBM设备与材料。 包括HBM设备（万润、弘塑）、封测（力成、京元电）以及AI服务器（广达、纬创、纬颖）等细分环节。

Quarto escalão: Equipamentos e materiais de HBM. Inclui segmentos de nicho como equipamentos de HBM (Wanrun, Hongsu), teste de embalagem (Powertech Technology, KYEC) e servidores de IA (Quanta, Wistron, Wiwynn).

加密行业的映射：HBM与数字资产的间接关联

Mapeamento da indústria de criptomoedas: A correlação indireta entre HBM e ativos digitais

对于加密行业从业者与投资者而言，HBM的景气周期同样值得关注——虽然HBM与加密资产分属不同赛道，但两者之间存在清晰的逻辑传导链条。

Para profissionais e investidores da indústria de criptomoedas, o ciclo de prosperidade do HBM também merece atenção — embora o HBM e os ativos cripto pertençam a trilhas diferentes, existe uma cadeia clara de transmissão lógica entre eles.

首先，AI算力基础设施的扩张直接推动了对GPU的需求，而GPU正是HBM的最大采购方。英伟达作为全球最大的HBM采购方，其芯片的产能与出货节奏直接影响着HBM的供需平衡。加密 mining 行业作为GPU的重要下游市场之一，同样受到这一供应链动态的间接影响——当AI算力需求挤占GPU产能时，加密 mining 硬件的获取成本与难度随之上升。

Em primeiro lugar, a expansão da infraestrutura de computação de IA impulsiona diretamente a demanda por GPUs, e as GPUs são os maiores compradores de HBM. A Nvidia, como a maior compradora global de HBM, tem sua capacidade de chips e ritmo de remessa impactando diretamente o equilíbrio entre oferta e demanda de HBM. A indústria de mineração de criptomoedas, como um dos principais mercados downstream de GPUs, também é indiretamente afetada por essa dinâmica da cadeia de suprimentos — quando a demanda por computação de IA ocupa a capacidade de GPU, o custo e a dificuldade de aquisição de hardware de mineração de criptomoedas aumentam.

其次，HBM三巨头的股价表现已成为衡量AI基础设施投资热度的风向标。2026年6月，Gate正式上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT在平台内交易美光、三星电子、SK海力士等主流证券市场的股票与ETF资产。这意味着加密投资者可以通过这一通道，直接参与HBM超级周期的投资机会。

Em segundo lugar, o desempenho das ações dos três gigantes do HBM se tornou um indicador do entusiasmo de investimento em infraestrutura de IA. Em junho de 2026, a Gate lançou oficialmente um recurso de negociação de ações reais, permitindo que os usuários negociem ações e ativos ETF de mercados de valores mobiliários mainstream, como Micron, Samsung Electronics e SK Hynix, diretamente usando USDT na plataforma. Isso significa que os investidores em criptomoedas podem participar diretamente das oportunidades de investimento do superciclo do HBM através desse canal.

截至2026年6月26日，比特币报价约59,592美元，较2025年10月的历史高点126,223美元已下跌超过52%。以太坊同步走弱至1,510美元附近。在加密市场整体承压的背景下，HBM产业链的独立景气周期为投资者提供了跨资产类别的配置视角——传统半导体硬件的结构性短缺与超额利润，与加密资产的周期波动形成了某种程度的对冲关系。

Até 26 de junho de 2026, o Bitcoin estava cotado a aproximadamente 59.592 dólares, uma queda de mais de 52% em relação à sua máxima histórica de 126.223 dólares em outubro de 2025. O Ethereum também enfraqueceu para perto de 1.510 dólares. Em meio à pressão geral no mercado de criptomoedas, o ciclo independente de prosperidade da cadeia da indústria de HBM oferece aos investidores uma perspectiva de alocação entre classes de ativos — a escassez estrutural e os lucros excedentes do hardware semicondutor tradicional formam um certo grau de hedge contra as flutuações cíclicas dos ativos cripto.

结语：HBM不是泡沫，是物理定律

Conclusão: HBM não é uma bolha, é uma lei da física

HBM的火热并非资本市场凭空制造的题材。它的底层逻辑建立在三个不可回避的物理与产业现实之上：AI模型参数量的指数级增长对内存带宽提出了刚性需求；TSV 3D堆叠工艺的复杂性使得产能释放天然缓慢；而全球具备HBM量产能力的企业仅有SK海力士、三星与美光三家。

O entusiasmo pelo HBM não é um tema fabricado do nada pelo mercado de capitais. Sua lógica subjacente está enraizada em três realidades físicas e industriais inevitáveis: o crescimento exponencial do número de parâmetros dos modelos de IA cria uma demanda rígida por largura de banda de memória; a complexidade do processo de empilhamento 3D TSV torna a liberação de capacidade naturalmente lenta; e existem apenas três empresas no mundo com capacidade de produção em massa de HBM — SK Hynix, Samsung e Micron.

这不是一个可以无限复制的故事。生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍。一座2nm晶圆厂的建设成本已超250亿美元。这些数字背后是实实在在的物理约束与资本门槛——它们构成了HBM供给端最坚固的护城河，也决定了这一轮“内存黄金时代”的持续时间不会短暂。

Esta não é uma história que pode ser replicada infinitamente. A capacidade de wafer necessária para produzir HBM é cerca de 3 a 4 vezes maior que a do DRAM tradicional. O custo de construção de uma fábrica de wafers de 2nm já ultrapassou 25 bilhões de dólares. Por trás desses números estão restrições físicas reais e barreiras de capital — elas formam o fosso mais sólido do lado da oferta do HBM e determinam que a duração desta "era de ouro da memória" não será curta.

高盛等多家投行给出的结论高度一致：这场“内存荒”绝非短期脉冲，HBM供不应求的结构性短缺至少将持续到2028年。对于投资者而言，理解HBM不仅是为了把握一个投资赛道，更是为了理解AI时代底层基础设施的运行逻辑——在算力的金字塔尖，最稀缺的往往不是算力本身，而是喂饱算力的那条“数据管道”。

A conclusão de vários bancos de investimento, como o Goldman Sachs, é altamente consistente: esta "escassez de memória" não é um pulso de curto prazo, e a escassez estrutural de HBM com demanda superando a oferta continuará pelo menos até 2028. Para os investidores, entender o HBM não é apenas para aproveitar uma trilha de investimento, mas também para entender a lógica operacional da infraestrutura subjacente da era da IA — no topo da pirâmide de poder computacional, o mais escasso muitas vezes não é o próprio poder computacional, mas sim o "duto de dados" que alimenta esse poder.

FAQ

FAQ

1. HBM和传统内存有什么区别？

1. Qual é a diferença entre HBM e memória tradicional?

HBM通过TSV硅通孔技术将多个DRAM芯片垂直堆叠，实现远超传统DDR内存的带宽密度。传统内存为平面布局，数据传输通道有限；HBM的接口宽度可达2,048位，单堆栈带宽突破2 TB/s。HBM主要面向AI训练、高性能计算等带宽密集型场景，而传统内存更适用于通用计算与消费电子。

O HBM empilha verticalmente vários chips DRAM usando a tecnologia TSV, alcançando uma densidade de largura de banda muito superior à da memória DDR tradicional. A memória tradicional tem um layout plano com canais de transferência de dados limitados; a largura da interface do HBM pode chegar a 2.048 bits, com largura de banda de pilha única ultrapassando 2 TB/s. O HBM é voltado principalmente para cenários intensivos em largura de banda, como treinamento de IA e computação de alto desempenho, enquanto a memória tradicional é mais adequada para computação geral e eletrônicos de consumo.

2. 为什么HBM产能这么紧张？

2. Por que a capacidade de HBM é tão apertada?

三大原因：第一，生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍；第二，TSV工艺与先进封装的良率爬坡缓慢，设备交付周期长；第三，全球仅三家厂商具备量产能力，2026年产能已全部售罄。三重约束叠加，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。

Três razões principais: Primeiro, a capacidade de wafer necessária para produzir HBM é cerca de 3 a 4 vezes maior que a do DRAM tradicional; segundo, a curva de rendimento do processo TSV e da embalagem avançada é lenta, e o ciclo de entrega de equipamentos é longo; terceiro, apenas três fabricantes no mundo têm capacidade de produção em massa, e toda a capacidade de 2026 já foi vendida. A combinação dessas três restrições significa que a liberação de nova capacidade levará pelo menos até 2028-2029.

3. HBM相关股票有哪些？

3. Quais são as ações relacionadas ao HBM?

三大存储原厂：SK海力士（000660.KS）、三星电子（005930.KS）、美光科技（MU.O）。A股HBM概念涵盖先进封装（长电科技、通富微电、华天科技）、半导体设备（北方华创、中微公司）、存储芯片（兆易创新、北京君正）等环节。

As três principais fabricantes de memória: SK Hynix (000660.KS), Samsung Electronics (005930.KS), Micron Technology (MU.O). Os conceitos de HBM no mercado A incluem embalagem avançada (JCET, TongFu Microelectronics, Hua Tian Technology), equipamentos semicondutores (NAURA Technology Group, AMEC), chips de memória (GigaDevice, Ingenic Semiconductor), entre outros.

4. HBM的高毛利能持续多久？

4. Quanto tempo pode durar a alta margem bruta do HBM?

三大原厂毛利率已突破70%甚至80%。美光管理层判断HBM供需紧张将持续至2027年以后。高盛预计供应短缺将持续至2028年。只要AI基础设施资本开支不减速，HBM的高毛利周期就有望延续。

As margens brutas das três principais fabricantes já ultrapassaram 70% ou até 80%. A administração da Micron avalia que a tensão entre oferta e demanda de HBM continuará além de 2027. O Goldman Sachs prevê que a escassez de oferta continuará até 2028. Enquanto os gastos de capital com infraestrutura de IA não desacelerarem, o ciclo de alta margem bruta do HBM deve continuar.

5. 加密投资者如何参与HBM行情？

5. Como os investidores em criptomoedas podem participar do boom do HBM?

Gate已上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT交易美光、三星电子、SK海力士等股票与ETF资产。此外，HBM的供需变化将沿GPU产业链传导至加密资产挖矿设备领域，为跨资产配置提供间接的参考信号。

A Gate já lançou um recurso de negociação de ações reais, permitindo que os usuários negociem ações e ativos ETF, como Micron, Samsung Electronics e SK Hynix, diretamente usando USDT. Além disso, as mudanças na oferta e demanda de HBM se propagarão ao longo da cadeia da indústria de GPU para o campo de equipamentos de mineração de ativos cripto, fornecendo sinais de referência indiretos para alocação entre ativos.