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SanDisk revela patente de arquitetura de armazenamento e processamento 3D: colaboração hierárquica entre HBM e NAND
O HBM é responsável pelo acesso de alta largura de banda e baixa latência, enquanto a camada NAND assume tarefas de leitura/gravação de grande capacidade e armazenamento.
Este design visa aliviar o problema de capacidade limitada do HBM (aproximadamente 32–64GB por empilhamento).
Anteriormente, a SanDisk propôs a arquitetura HBF, empilhando verticalmente NAND via TSV, com capacidade de até 4TB, aumentando de 8 a 16 vezes em relação ao HBM, mas ainda enfrentando desafios de latência e complexidade de integração do sistema.
Em comparação com o DRAM, o NAND possui maior capacidade e menor custo, mas acesso mais lento.
A nova arquitetura, por meio de empilhamento 3D, realiza uma complementaridade perfeita entre ambos. (Titan Garage)