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A nova memória NAND flash possui resistência à radiação 30 vezes maior do que a memória flash tradicional
A nova memória NAND utiliza a ferroelectricidade do material óxido de hafnium compatível com processos de silício, ou seja, o material gera polarização espontânea dentro de uma certa faixa de temperatura, e a direção da polarização pode ser invertida sob a ação de um campo elétrico externo.
Essa característica faz com que materiais ferroeletros tenham potencial de aplicação em armazenamento de informações, sensores, inteligência artificial e na próxima geração de chips de baixo consumo de energia.
Os resultados dos testes mostram que essa memória ferroeletro pode suportar radiações de até 1 milhão de rad (dose de absorção de radiação), equivalente a 100 milhões de exposições a raios X, sendo 30 vezes mais resistente à radiação do que os dispositivos de armazenamento tradicionais.
(Tech Daily)