#长鑫今日上市Gate合约抢占交易先机 长鑫科技的技术优势：
1、策略 de "pular etapas" no desenvolvimento — em vez de seguir a rota convencional de evolução gradual por gerações, a longa鑫 adota uma estratégia agressiva de pesquisa e desenvolvimento com salto de geração: sai diretamente da plataforma de processo da primeira geração (18nm/1Xnm) para a quarta geração (cerca de 13-14nm/1αnm), pulando o processo de transição intermediário de 1Ynm (16-17nm). A estratégia é semelhante ao que a Samsung fez na época, ao sair de 64K direto para 4M/16M com P&D síncronos em paralelo e, com isso, superar de uma vez o caminho do Japão — não segue o ritmo de perseguir por etapas, mas mira diretamente em nós de ponta, comprimindo o tempo de acompanhamento. Atualmente, já concluiu a cobertura de linha completa de produtos e iterações de DDR4 e LPDDR4X até DDR5 e LPDDR5/5X; a plataforma de processo da quinta geração também já entrou na fase de desenvolvimento.
2、DRAM com ligação (Bonded DRAM) — contornando a rota disruptiva do EUV, esta é a principal quebra de barreira em tecnologia que a longa鑫 tem recebido maior atenção. Divulgado em julho de 2026, a longa鑫 está realizando testes secretos em uma linha-piloto de produção de DRAM com ligação em Hefei:
Ideia central: dividir a matriz de células de armazenamento e os circuitos de controle periféricos em diferentes wafers, fabricando separadamente, e então realizar o alinhamento e a fusão precisa das duas lâminas por meio de "ligação híbrida wafer com wafer" (W2W Hybrid Bonding)
Quebra principal: produzir DRAM de alta densidade usando apenas litografia DUV de ultravioleta profundo combinada com múltiplas exposições, sem depender das máquinas de litografia EUV de ultravioleta extremo, que estão proibidas de exportação e venda pelos EUA
Vantagens de desempenho: eliminar os microbumps tradicionais, encurtar o comprimento dos condutores, reduzir resistência parasita e consumo de energia, aumentar a velocidade de transmissão, e ao mesmo tempo não aumentar o tamanho do wafer para elevar a densidade de armazenamento
Andamento: a mídia coreana reporta que, na velocidade de desenvolvimento da tecnologia de DRAM com ligação, a longa鑫 pode já ter ultrapassado Samsung e SK海力士
3、Integração vertical IDM — design, fabricação e encapsulamento/teste em uma cadeia completa com auto-controle; ao contrário da maioria das empresas chinesas de semicondutores, que se dedica apenas ao design de chips, a longa鑫 é a 🇨🇳 única empresa de DRAM que adota o modelo IDM (integração de design-fabricação-encapsulamento/teste), com configuração totalmente idêntica à Samsung, SK海力士 e Micron.
Isso significa:
Do wafer ao chip e ao módulo, controlar toda a cadeia de forma autônoma, sem existir o problema de desconexão entre design e foundry (produção sob encomenda)
Responder rapidamente a necessidades de customização de clientes (como soluções de memória dedicada para servidores desenvolvidas em conjunto com a Alibaba Cloud e a Tencent)
Problemas de taxa de rendimento das linhas de produção podem ser iterados em loop fechado internamente, encurtando o ciclo de melhoria 4、Trincheira de patentes — herdar a partir da Qimonda + acumular de forma autônoma
No início de sua criação, a longa鑫 obteve uma grande quantidade de patentes de base por meio da aquisição de uma empresa alemã de DRAM falida, a **Qimonda (奇梦达)**, evitando a primeira onda de bloqueio das três gigantes contra patentes. Depois disso, continuou acumulando de forma autônoma; até o fim de 2025, o total de patentes em todas as categorias somava 6.972, sendo 3.165 patentes de invenção no país e 3.043 no exterior, formando seu próprio sistema de defesa por patentes, o que lança uma base para os futuros produtos saírem do mercado doméstico.
5、Cooperação de equipamentos nacionais — autonomia da cadeia impulsionada por "validação para produção em massa"
As linhas de produção em massa da longa鑫 fornecem uma plataforma-chave de validação de linha para equipamentos semicondutores nacionais:
Atualmente, a participação dos equipamentos nacionais nas linhas de produção em massa está em torno de 40-50%; para a nova plataforma, a taxa de nacionalização deve superar 40%
P&D em conjunto e profundo com a 北方华创（etching/ deposição de filmes finos）、中微公司（etching com altíssima razão de aspecto）、拓荆科技（PECVD/ALD）、华海清科（CMP） etc.
O aumento da taxa de nacionalização impulsiona diretamente a queda de custos: em 2023-2025, o preço unitário de compra de wafers caiu cerca de 30%, alvos caíram 22%, peças de reposição caíram 47% e químicos caíram 26% Essa modalidade de pacote de "长鑫 + cadeia de suprimentos local" não só reduz custos e riscos de fornecimento, como também forma um ciclo fechado de substituição de equipamentos nacionais — expansão da longa鑫 → validação de equipamentos nacionais → iteração tecnológica do fornecedor de equipamentos → maior taxa de nacionalização da próxima geração de linhas da longa鑫.
6、Planejamento prospectivo de HBM — avanço rumo a uma via de alto valor agregado
Embora a longa鑫 tenha uma defasagem de cerca de 3 anos em relação à Samsung/SK海力士 no campo de HBM, já vem se posicionando ativamente:
Desenvolvendo simultaneamente produtos de ponta como a próxima geração de memória CXL
A tecnologia de DRAM com ligação é, por si só, a base da DRAM empilhada em 3D; e os processos de ligação de wafers do HBM têm alta semelhança, permitindo reutilização bidirecional do acúmulo tecnológico
7、Alto investimento em P&D — usando "densidade de pesquisa" para compensar "início tardio"
Em 2023-2025, a longa鑫 acumulou 20,6 bilhões de yuans em investimentos em P&D em 3 anos (dados ainda mais antigos indicavam 18,8 bilhões em 3 anos e meio); equipe de P&D de 6.259 pessoas (32,43% do total de funcionários), com investimento em P&D representando mais de 20% da receita, bem acima do patamar de 10%-15% das grandes empresas no exterior. Esse nível intenso de P&D reproduz as características do projeto japonês VLSI e do período de ultrapassagem da Samsung na Coreia — usando densidade de P&D acima do esperado para comprimir a diferença tecnológica.
8、Demanda local com previsibilidade — "vantagem de campo" formando uma muralha comercial
A vantagem tecnológica, ao fim, precisa de cenários comerciais para validação e iteração. A longa鑫 conta com as costas da 🇨🇳 maior plataforma global de eletrônicos de consumo e computação em nuvem:
Marcas de smartphones domésticas como Xiaomi, OPPO, vivo, Honor etc.; a proporção de LPDDR usada já superou 30%
Para fornecedores de nuvem como Alibaba Cloud, ByteDance e Tencent, a parcela de receita da linha DDR subiu de 13% para 28% Com acordos de fornecimento de longo prazo com os clientes, a expansão de capacidade se baseia em "participação de substituição concretamente adquirida", e não em flutuação de preço de disponibilidade global
Essa "demanda local com previsibilidade" faz com que as iterações tecnológicas da longa鑫 tenham validação real de volume de embarque, e não fiquem apenas no campo do desenvolvimento em papel.
Em resumo, a vantagem tecnológica da longa鑫 não é um avanço isolado, e sim um conjunto de estratégia sistemática de ultrapassagem: pular etapas no desenvolvimento para comprimir tempo; DRAM com ligação contornando o bloqueio do EUV; modelo IDM garantindo autonomia em toda a cadeia; muralha de patentes para defesa contra bloqueios; cooperação com equipamentos nacionais formando um ciclo de cadeia de suprimentos; alto investimento em P&D usando densidade para ganhar velocidade; e demanda local fornecendo cenários de validação. Sua lógica central, sob as restrições de controle de exportações dos EUA, é usar um "ultrapassar por rota alternativa" em vez de "perseguir em linha reta", reduzindo gradualmente a diferença em relação às três gigantes. $CXMT
1、策略 de "pular etapas" no desenvolvimento — em vez de seguir a rota convencional de evolução gradual por gerações, a longa鑫 adota uma estratégia agressiva de pesquisa e desenvolvimento com salto de geração: sai diretamente da plataforma de processo da primeira geração (18nm/1Xnm) para a quarta geração (cerca de 13-14nm/1αnm), pulando o processo de transição intermediário de 1Ynm (16-17nm). A estratégia é semelhante ao que a Samsung fez na época, ao sair de 64K direto para 4M/16M com P&D síncronos em paralelo e, com isso, superar de uma vez o caminho do Japão — não segue o ritmo de perseguir por etapas, mas mira diretamente em nós de ponta, comprimindo o tempo de acompanhamento. Atualmente, já concluiu a cobertura de linha completa de produtos e iterações de DDR4 e LPDDR4X até DDR5 e LPDDR5/5X; a plataforma de processo da quinta geração também já entrou na fase de desenvolvimento.
2、DRAM com ligação (Bonded DRAM) — contornando a rota disruptiva do EUV, esta é a principal quebra de barreira em tecnologia que a longa鑫 tem recebido maior atenção. Divulgado em julho de 2026, a longa鑫 está realizando testes secretos em uma linha-piloto de produção de DRAM com ligação em Hefei:
Ideia central: dividir a matriz de células de armazenamento e os circuitos de controle periféricos em diferentes wafers, fabricando separadamente, e então realizar o alinhamento e a fusão precisa das duas lâminas por meio de "ligação híbrida wafer com wafer" (W2W Hybrid Bonding)
Quebra principal: produzir DRAM de alta densidade usando apenas litografia DUV de ultravioleta profundo combinada com múltiplas exposições, sem depender das máquinas de litografia EUV de ultravioleta extremo, que estão proibidas de exportação e venda pelos EUA
Vantagens de desempenho: eliminar os microbumps tradicionais, encurtar o comprimento dos condutores, reduzir resistência parasita e consumo de energia, aumentar a velocidade de transmissão, e ao mesmo tempo não aumentar o tamanho do wafer para elevar a densidade de armazenamento
Andamento: a mídia coreana reporta que, na velocidade de desenvolvimento da tecnologia de DRAM com ligação, a longa鑫 pode já ter ultrapassado Samsung e SK海力士
3、Integração vertical IDM — design, fabricação e encapsulamento/teste em uma cadeia completa com auto-controle; ao contrário da maioria das empresas chinesas de semicondutores, que se dedica apenas ao design de chips, a longa鑫 é a 🇨🇳 única empresa de DRAM que adota o modelo IDM (integração de design-fabricação-encapsulamento/teste), com configuração totalmente idêntica à Samsung, SK海力士 e Micron.
Isso significa:
Do wafer ao chip e ao módulo, controlar toda a cadeia de forma autônoma, sem existir o problema de desconexão entre design e foundry (produção sob encomenda)
Responder rapidamente a necessidades de customização de clientes (como soluções de memória dedicada para servidores desenvolvidas em conjunto com a Alibaba Cloud e a Tencent)
Problemas de taxa de rendimento das linhas de produção podem ser iterados em loop fechado internamente, encurtando o ciclo de melhoria 4、Trincheira de patentes — herdar a partir da Qimonda + acumular de forma autônoma
No início de sua criação, a longa鑫 obteve uma grande quantidade de patentes de base por meio da aquisição de uma empresa alemã de DRAM falida, a **Qimonda (奇梦达)**, evitando a primeira onda de bloqueio das três gigantes contra patentes. Depois disso, continuou acumulando de forma autônoma; até o fim de 2025, o total de patentes em todas as categorias somava 6.972, sendo 3.165 patentes de invenção no país e 3.043 no exterior, formando seu próprio sistema de defesa por patentes, o que lança uma base para os futuros produtos saírem do mercado doméstico.
5、Cooperação de equipamentos nacionais — autonomia da cadeia impulsionada por "validação para produção em massa"
As linhas de produção em massa da longa鑫 fornecem uma plataforma-chave de validação de linha para equipamentos semicondutores nacionais:
Atualmente, a participação dos equipamentos nacionais nas linhas de produção em massa está em torno de 40-50%; para a nova plataforma, a taxa de nacionalização deve superar 40%
P&D em conjunto e profundo com a 北方华创（etching/ deposição de filmes finos）、中微公司（etching com altíssima razão de aspecto）、拓荆科技（PECVD/ALD）、华海清科（CMP） etc.
O aumento da taxa de nacionalização impulsiona diretamente a queda de custos: em 2023-2025, o preço unitário de compra de wafers caiu cerca de 30%, alvos caíram 22%, peças de reposição caíram 47% e químicos caíram 26% Essa modalidade de pacote de "长鑫 + cadeia de suprimentos local" não só reduz custos e riscos de fornecimento, como também forma um ciclo fechado de substituição de equipamentos nacionais — expansão da longa鑫 → validação de equipamentos nacionais → iteração tecnológica do fornecedor de equipamentos → maior taxa de nacionalização da próxima geração de linhas da longa鑫.
6、Planejamento prospectivo de HBM — avanço rumo a uma via de alto valor agregado
Embora a longa鑫 tenha uma defasagem de cerca de 3 anos em relação à Samsung/SK海力士 no campo de HBM, já vem se posicionando ativamente:
Desenvolvendo simultaneamente produtos de ponta como a próxima geração de memória CXL
A tecnologia de DRAM com ligação é, por si só, a base da DRAM empilhada em 3D; e os processos de ligação de wafers do HBM têm alta semelhança, permitindo reutilização bidirecional do acúmulo tecnológico
7、Alto investimento em P&D — usando "densidade de pesquisa" para compensar "início tardio"
Em 2023-2025, a longa鑫 acumulou 20,6 bilhões de yuans em investimentos em P&D em 3 anos (dados ainda mais antigos indicavam 18,8 bilhões em 3 anos e meio); equipe de P&D de 6.259 pessoas (32,43% do total de funcionários), com investimento em P&D representando mais de 20% da receita, bem acima do patamar de 10%-15% das grandes empresas no exterior. Esse nível intenso de P&D reproduz as características do projeto japonês VLSI e do período de ultrapassagem da Samsung na Coreia — usando densidade de P&D acima do esperado para comprimir a diferença tecnológica.
8、Demanda local com previsibilidade — "vantagem de campo" formando uma muralha comercial
A vantagem tecnológica, ao fim, precisa de cenários comerciais para validação e iteração. A longa鑫 conta com as costas da 🇨🇳 maior plataforma global de eletrônicos de consumo e computação em nuvem:
Marcas de smartphones domésticas como Xiaomi, OPPO, vivo, Honor etc.; a proporção de LPDDR usada já superou 30%
Para fornecedores de nuvem como Alibaba Cloud, ByteDance e Tencent, a parcela de receita da linha DDR subiu de 13% para 28% Com acordos de fornecimento de longo prazo com os clientes, a expansão de capacidade se baseia em "participação de substituição concretamente adquirida", e não em flutuação de preço de disponibilidade global
Essa "demanda local com previsibilidade" faz com que as iterações tecnológicas da longa鑫 tenham validação real de volume de embarque, e não fiquem apenas no campo do desenvolvimento em papel.
Em resumo, a vantagem tecnológica da longa鑫 não é um avanço isolado, e sim um conjunto de estratégia sistemática de ultrapassagem: pular etapas no desenvolvimento para comprimir tempo; DRAM com ligação contornando o bloqueio do EUV; modelo IDM garantindo autonomia em toda a cadeia; muralha de patentes para defesa contra bloqueios; cooperação com equipamentos nacionais formando um ciclo de cadeia de suprimentos; alto investimento em P&D usando densidade para ganhar velocidade; e demanda local fornecendo cenários de validação. Sua lógica central, sob as restrições de controle de exportações dos EUA, é usar um "ultrapassar por rota alternativa" em vez de "perseguir em linha reta", reduzindo gradualmente a diferença em relação às três gigantes. $CXMT
