中金:コアとなる第3世代化合物半導体デバイスは、データセンターの電力関連システムのアップグレードから継続的に恩恵を受ける見込み

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火星财经の報道によると、中金公司は、AI計算能力が高密度、連続フル負荷、強い過渡的インパクトに向かう中で、高電圧アーキテクチャがデータセンターの電源システム発展の確実な方向性であると指摘した。ハードウェア技術の進歩により、2026年はデータセンター高電圧アーキテクチャの実用化元年となる。中金公司は、SiC/GaNなどの第3世代化合物半導体デバイスがデータセンターの電力関連システムのアップグレードから持続的な恩恵を受けると見ており、SiCはサーバールーム側(グレーゾーン)のアプリケーションを主導し、GaNはキャビネット内(ホワイトゾーン)に大規模に浸透することで、グレーゾーンとホワイトゾーンの境界線を「SiCは左、GaNは右」という市場構図を形成し、データセンター電源ソリューションの進化に共に貢献するとしている。(財聯社)
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