يُعيد الذكاء الاصطناعي تشكيل دورات DRAM: انطلاقة HBM، وزيادة طاقة التصنيع لدى سامسونج، وبدء حقبة شحّ كامل في رقائق الذاكرة بحلول 2028

في 15 يوليو 2026، أُشيع أن شركة سامسونج للإلكترونيات تخطط لبناء مصنع DRAM جديد في منطقة كي-ون-غِي-دو (كِينغِي-دو)، في قطاع/منطقة “إيكسيونغ وون” (器興園区)، بطاقة إنتاجية شهرية تبلغ 100 ألف شريحة ويَفر/ويفَر (رقائق) من نوع الشرائح (wafer)، بإجمالي استثمار يصل إلى عشرات التريليونات من الوون الكوري. ويُعيد الذكاء الاصطناعي، بشكل جذري، تشكيل بنية العرض والطلب في رقائق الذاكرة العالمية ومنطق تسعيرها.

تُعد ذاكرة DRAM (الذاكرة الديناميكية للنفاذ العشوائي) بوصفها جزءاً أساسياً من بنية تحتية للذكاء الاصطناعي، في خضم إعادة تشكيل دورية تقودها طفرة مفاجئة في هيكل الطلب. وتختلف هذه المرة اختلافاً تاماً عن الدورات التقليدية للذاكرة: فهي ليست مدفوعة بطفرة ترقية الإلكترونيات الاستهلاكية، بل تنجم عن الانفجار في الطلب على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي الناتج عن تدريب الذكاء الاصطناعي والاستدلال (inference). إن فهم منطق تطور دورة DRAM الحالية يُعد مرجعاً مهماً لتحديد اتجاه صناعة أشباه الموصلات وتغيرات البنية التحتية الكامنة لأسواق الأصول الرقمية.

اتساع فجوة العرض والطلب إلى ذروة آخر 15 عاماً

اعتباراً من يوليو 2026، دخل ارتفاع أسعار شرائح الذاكرة العالمية مرحلة الربع الثالث على التوالي. وفي تقرير أصدرته “يو بي إس” في مطلع يوليو، رفعت الوكالة/البنك توقعاتها لأسعار الذاكرة بشكل كبير، متوقعة أن يرتفع سعر عقود DDR في الربع الثالث بنسبة 32% على أساس ربع سنوي، وبنسبة 18% في الربع الرابع على أساس ربع سنوي. وترى الجهة أن اختناقات العرض والطلب في قطاع DRAM ستستمر على الأقل حتى النصف الأول من 2028.

وقد تم دعم هذا التقييم بعمليات تحقق متقاطعة من مجموعات بيانات متعددة. تُظهر بيانات TrendForce (إستشارة عبر “كيدونغ/جيتوفورس” – TrendForce) أن إجمالي وضع DRAM في الربع الثالث من 2026 سيظل شديد الندرة للغاية، مع توقع ارتفاع سعر العقود بنسبة 13% إلى 18% على أساس ربع سنوي. وفي تقرير بتاريخ 7 يوليو، رفعت “مورغان ستانلي” توقعاتها لمعدل الزيادة في متوسط السعر المختلط (PC DRAM) على أساس ربع سنوي من 3%-8% سابقاً إلى 15%-20%، كما رفعت DRAM الموجهة للسيرفرات إلى 13%-18%.

تتجه حدة اختلال العرض والطلب نحو قيم تاريخية قصوى. تشير “يو بي إس” إلى أنه، مع استبعاد تأثيرات التخفيف الناتجة عن تعويض مخزونات العملاء من المنبع/المستخدمين النهائيين، فإن فجوة العرض والطلب الفعلية في 2027 ستتوسع من -8.1% في 2026 إلى -13.6%، لتصل شدة الاختلال إلى مستوى نادر حتى مقارنة بآخر 30 عاماً. وترى تقارير بحثية صادرة عن “جولدمان ساكس” أن اختلال العرض والطلب في تخزين الذاكرة العالمية قد وصل إلى ذروة آخر 15 عاماً. ويذهب محلل “كي بي سيكيوريتز” (KB Securities) كيم دونغ وون إلى توقع بأن 2027 سيكون الفترة التي يُسجل فيها أشد نقص في المعروض خلال تاريخ صناعة أشباه الموصلات للذاكرة الذي يمتد 70 عاماً.

لقد انتقلت موجة ارتفاع الأسعار من المصانع الأم/المنبع إلى سلسلة الصناعة بأكملها. تخطط سامسونج لرفع متوسط السعر الشهري العام لـ DRAM في الربع الثالث من 2026 بنسبة 20% على أساس ربع سنوي، كما تتجاوز نسبة الارتفاع في ذاكرة LPDDR للهواتف والجوالات 20% أيضاً. ووفقاً لتقرير من “اقتصاد الصين الأول” (第一财经)، فقد تلقت بالفعل شركات مصنعة في نهاية سلسلة الإلكترونيات الاستهلاكية إشعاراً شفوياً من سامسونج بشأن رفع أسعار DRAM.

أصبحت HBM متغيراً بنيوياً في دورة DRAM

يكمن فهم منطق الدورة الحالية لـ DRAM في صعود فئة HBM (الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي). تتيح HBM، من خلال تكديس عدة شرائح DRAM رأسياً، نطاقاً ترددياً فائضاً، وهي حل الذاكرة الذي لا غنى عنه لشرائح/وحدات GPU الخاصة بالذكاء الاصطناعي.

قوة الطلب على الجانب الاستهلاكي/الطلب مذهلة. أكد فِينغ لي (冯莉)، رئيس “SEMI الصين”، صراحةً أن حجم سوق HBM في 2026 يُتوقع أن ينمو بنسبة 58% إلى 54.6 مليار دولار، بما يمثّل نحو أربعين بالمئة تقريباً من سوق DRAM. وعلى الرغم من أن الشركات الثلاث الكبرى (سامسونج وSK هاينكس (SK海力士) وميكرون) قد وجّهت 70% من الطاقات الإنتاجية الجديدة إلى HBM، فإن فجوة الطاقة الإجمالية ما زالت مرتفعة عند 50% إلى 60%. وتظهر بيانات Omdia أن إنتاج HBM العالمي في 2026 يُتوقع أن ينمو بنسبة 103% على أساس سنوي، محققاً نمواً يتجاوز الضعف.

تأثير “الإزاحة/الضغط” الذي تمارسه HBM على طاقات DRAM يُعد آلية جوهرية لاختلال العرض والطلب. وفقاً لبيانات قطاعية، ارتفعت حصة HBM من طاقة إنتاج رقائق DRAM من 2% في 2020 إلى نحو 25% في تقديرات 2026. وتعادل الطاقة التي تستهلكها شريحة HBM واحدة تقريباً ما يقرب من ثلاث شرائح DDR5. كما أن حجم شريحة HBM واحدة أكبر بأكثر من الضعف من شريحة DRAM التقليدية، ومع نفس سعة التخزين، فإن المساحة من شرائح الإنتاج (الويفرات) ومساحة غرف الأجواء/الغرف النظيفة التي تستهلكها HBM تكون على الأقل ثلاثة أضعاف ما تتطلبه DRAM التقليدية.

النتيجة المباشرة لتوجيه الطاقات هي انكماش بنيوي في إمدادات DRAM العامة. تتوقع “كيه بي سيكيوريتز” أن حصة HBM من إجمالي إنتاج رقائق DRAM العالمية ستقفز من 15% في 2026 إلى 34% في 2027. وهذا يعني أن معظم الطاقات الإنتاجية الإضافية ستتجمع في HBM، بينما سيُقيد التوسع في إمدادات DRAM العامة بشكل فعّال.

باتت خوادم/سيرفرات الذكاء الاصطناعي أكبر سوق تطبيقي لDRAM، إذ تجاوزت حصة الطلب على السيرفرات نسبة 50% من إجمالي طلب DRAM. وتبلغ كمية DRAM المطلوبة لكل خادم يعمل بتطبيقات الذكاء الاصطناعي 8 إلى 10 أضعاف الكمية في الخوادم العادية. ومن المتوقع أن ترتفع كمية DRAM المركبة في الخادم الواحد من 1,032 GB في 2025 إلى 1,432 GB في 2026، أي بزيادة تقارب 39%. وتقدّر TrendForce أن نحو سبعين بالمئة من طاقات الذاكرة المتقدمة في 2026 تتجه إلى مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

سباق الطاقات بين الثلاثة الكبار والمناورة على الحصص

في دورة جديدة تقودها HBM، يعيد الاختيار الاستراتيجي لكل من SK هاينكس وسامسونج وميكرون تشكيل ملامح المشهد في الصناعة.

SK هاينكس هي المتصدر المطلق في سوق HBM حالياً. تُظهر بيانات Counterpoint Research أنه في الربع الأول من 2026، وبناءً على حصة الإيرادات في سوق HBM العالمي، تتصدر SK هاينكس بنسبة 58% من الحصة، بينما تملك سامسونج وميكرون كل منهما 21%. وتتوقع “توقعات الجهات الرسمية/المؤسسات” أن تبلغ إيرادات SK هاينكس من HBM في 2026 نحو 5.95 مليار دولار. وقد تم حجز كامل طاقة إنتاج HBM للشركة خلال 2026 بالكامل من خلال اتفاقيات طويلة الأجل مع شركات سحابية.

لكن ميزة الصدارة تواجه تحديات. يشير تقرير صادر عن “إستثمار كوريا” بتاريخ 13 يوليو إلى أن إيرادات SK هاينكس في الربع الثاني ستكون 80.9 تريليون وون كوري (مع نمو سنوي 264%)، بينما سيبلغ الربح التشغيلي 60.4 تريليون وون كوري (بزيادة سنوية 556%)، لكنها أقل بنحو 8% من توقعات السوق البالغة 65 تريليون وون كوري. والسبب الرئيسي هو أن حصة مبيعات HBM لدى SK هاينكس أعلى من منافسيها، ما يؤدي إلى أن نمو متوسط سعر البيع لديها أقل من متوسط السوق. وتتوقع تحليلات أن يبدأ متوسط سعر البيع في العودة إلى متوسط السوق بعد بدء الإنتاج الشامل لـ HBM4 اعتباراً من الربع الثالث.

سامسونج للإلكترونيات تعمل على اللحاق سريعاً. تخطط الشركة لإنفاق أكثر من 110 تريليون وون كوري على استثمارات المعدات والبحث والتطوير في 2026 (ما يعادل نحو 73.3 مليار دولار)، أي بزيادة تقارب 22% عن العام السابق. وتُظهر أحدث المعلومات بتاريخ 15 يوليو أن سامسونج تعتزم إنشاء مصنع DRAM بطاقة إنتاجية شهرية تبلغ 100 ألف شريحة في منطقة إكسيونغ وون، وقد تبدأ عمليات البناء/الإنشاء في أقرب وقت ممكن خلال الربع الثالث من 2026.

وفي منتجات HBM4، حققت سامسونج السبق عبر أول إنتاج وشحن عالمي متحققين. وأشارت TrendForce في تقرير يونيو إلى أن التقدم في التحقق لدى الشركات الثلاث الكبرى لـ HBM4 شهد اختلافات ملحوظة، وأن سامسونج كانت في موقع الصدارة ضمن مرحلة التحقق. وتتوقع سامسونج أن ترتفع إيرادات مبيعات HBM في 2026 ثلاث مرات أو أكثر مقارنة بالعام السابق.

ميكرون رغم أنها تملك أقل سعة إنتاجية لـ HBM بين الشركات الثلاث، فإن زخم نموها هو الأكثر سرعة. فقد بلغت إيرادات الشركة خلال السنة المالية 2026، في رابع/الربع المالي الثالث (حتى 5 مايو) 41.46 مليار دولار، بزيادة سنوية ضخمة بلغت 346%. وأسهمت أعمال DRAM بإيرادات قدرها 31.3 مليار دولار، أي ما يمثل 76% من إجمالي الإيرادات. وقد بلغت نسبة مجمل الربح 84.9%، لتتفوق على إنفيديا (NVIDIA).

والأكثر لفتاً لانتباه السوق هو التوجيه/الإرشاد للربع المالي الرابع: يُتوقع أن تبلغ الإيرادات حوالي 50 مليار دولار، وأن تصل نسبة مجمل الربح إلى نحو 86%، وأن يقدر ربح السهم بنحو 31 دولاراً. وقد نفدت طاقة HBM للعام 2026 بأكمله لدى ميكرون ضمن عقود بسعر ثابت. كما ارتفع مخطط استثمارات معدات الشركة بنسبة كبيرة تتجاوز 90% مقارنة بالعام السابق.

من الدورة إلى البنية: انتقال المنطق طويل الأجل لـ DRAM

أكثر ما يميز صفقة/اتجاه أسعار DRAM الحالية عن جميع الدورات السابقة هو التحول البنيوي في المحرك (الدافع).

تتوقع “IDC” أن تبلغ عائدات سوق DRAM العالمي في 2026 نحو 418.6 مليار دولار، بزيادة 177%. كما تتوقع أن تبلغ عائدات سوق NAND 174.1 مليار دولار، بزيادة 138.5%. وقد تجاوز إجمالي القيمة السنوية لصناعة التخزين 550 مليار دولار، حيث أصبحت تخزين السيرفرات محل الهاتف بوصفه أكبر سيناريو للطلب. وتعتقد “يو بي إس” أن ارتفاع الأسعار سيقود إلى تحقيق صناعة الذاكرة عائدات تبلغ 992 مليار دولار في 2026.

هذه الزيادة ليست مجرد انتعاش دوري. وتوضح “IDC” بشكل قاطع أنها ليست مرة أخرى في صعود قطاع الذاكرة تقليدية ضمن دورة صعود وهبوط. بل هي تغيير بنيوي في الصناعة. إذ يقوم عملاء مراكز البيانات فائقة الاتساع بالشراء لنوع مختلف تماماً، وبتكلفة أعلى من رقائق الذاكرة، وهم مستعدون لدفع علاوة لضمان توافر الإمدادات.

أما القيود على جانب العرض فهي أيضاً ذات طبيعة بنيوية. بعد خسائر عميقة في 2025، تتبع المصانع الأم عموماً استراتيجية “التحكم بالإنتاج مع الحفاظ على الأسعار”. ويمتد تطوير تقنيات العمليات المتقدمة وأعمال بناء مصانع الشرائح لفترات طويلة، مع تداخل عوائق متعددة تشمل المواهب والطاقة والتراخيص، ما يجعل الطاقات الإنتاجية الجديدة غير قادرة على أن تجد طريقها إلى التنفيذ بسرعة. ويقيّم مسؤول تنفيذي في ميكرون أن اختناقات جانب العرض ستستمر بعد 2027، على أن يشهد جانب العرض تحسناً تدريجياً اعتباراً من 2028.

إن انتشار “الاتفاقيات طويلة الأجل” (LTA) يغير طريقة تسعير الصناعة وأنماط أرباحها. تقوم SK هاينكس وسامسونج وميكرون كلها بإقفال كميات الإمداد والأسعار للـ 1 إلى 2 سنة القادمة مع عملاء رئيسيين مثل إنفيديا عبر عقود توريد طويلة الأجل. وقد وقعت ميكرون 16 اتفاقية توريد طويلة الأجل تغطي قطاع مراكز البيانات والإلكترونيات الاستهلاكية والسيارات؛ وحتى “الحد الأدنى المضمون” من الإيرادات بموجب الاتفاقيات التي تم توقيعها فقط يبلغ 100 مليار دولار. وتشير “كوريا للاستثمار المالي” إلى أنه مع تحول صناعة الذاكرة إلى هيكل اتفاقيات طويلة الأجل لمدة 3 إلى 5 سنوات، تعتمد قيمة الشركات على مدة استمرار القدرة على تحقيق أرباح مرتفعة، وليس على معدل نمو متوسط السعر خلال الربع.

الخلاصة

يقود طلب خوادم/سيرفرات الذكاء الاصطناعي صناعة DRAM إلى دورة جديدة لم يشهدها القطاع من قبل. والسمة الجوهرية لهذه الدورة ليست مجرد ارتفاع الأسعار، بل إعادة تشكيل منهجية شاملة لهيكل الطلب وتوزيع الطاقات ونمط التسعير ووضع الصناعة.

لقد غيّر صعود HBM مصفوفة منتجات DRAM، وأدى ميل الطاقات لدى الشركات الثلاث الكبرى إلى نقص بنيوي في DRAM العامة، بينما يعمل انتشار الاتفاقيات طويلة الأجل على تلطيف التقلبات الدورية في الصناعة. وتتوقع “يو بي إس” أن يستمر اختناقات العرض والطلب في DRAM على الأقل حتى النصف الأول من 2028، وتتوقع “KB Securities” أن 2027 سيكون الأكثر ندرة في تاريخ القطاع الممتد 70 عاماً—وتشير هذه التقديرات إلى استنتاج واحد: قد تتجاوز مدة وشدة دورة DRAM الحالية بكثير توقعات السوق الأولية.

بالنسبة للمستثمرين، قد تكون القدرة على فهم انتقال DRAM من “سلعة دورية” إلى “أصل استراتيجي” ذات قيمة طويلة الأجل أكبر من توقع الارتفاع في سعر الربع التالي. فعندما تصبح رقائق الذاكرة البنية التحتية الأساسية لعصر الذكاء الاصطناعي، فإن منطق العرض والطلب وتوزيع سلطة التسعير سيؤثران بعمق في سلسلة صناعة التكنولوجيا بأكملها—من أشباه الموصلات إلى الأصول الرقمية.

الأسئلة الشائعة (FAQ)

س: إلى كم مرة تكون كمية DRAM المطلوبة لخوادم الذكاء الاصطناعي أكبر من الخوادم العادية؟

تبلغ كمية DRAM المستخدمة لكل خادم يعمل بتطبيقات الذكاء الاصطناعي 8 إلى 10 أضعاف كمية DRAM في خادم عادي. ومن المتوقع أن ترتفع كمية DRAM المركبة في الخادم الواحد من 1,032 GB في 2025 إلى 1,432 GB في 2026. وسيؤدي توسيع نطاق الاستدلال لنماذج كبيرة (large model inference) وتكبير حجم وكلاء الذكاء الاصطناعي إلى دفع الطلب على الذاكرة للنمو بسرعة أعلى.

س: ما الاختلاف في تكاليف الإنتاج بين HBM وDRAM التقليدية؟

تتكون HBM من تكديس عمودي لعدة شرائح DRAM، وتكون مساحة الشريحة الواحدة أكبر بأكثر من الضعف مقارنة بشريحة DRAM التقليدية، ومع نفس سعة التخزين فإن مساحة الشرائح (الويفرات) ومساحة غرف الأجواء النظيفة التي تستهلكها تكون على الأقل ثلاثة أضعاف ما تحتاجه DRAM التقليدية. وتعادل الطاقة التي تستهلكها شريحة HBM واحدة تقريباً ثلاث شرائح DDR5. وترتبط التكاليف المرتفعة أيضاً بهوامش مجمل ربح أعلى—إذ تصل نسبة مجمل ربح شريحة HBM الواحدة إلى 60%-70%، أي 4 أضعاف DRAM التقليدية.

س: متى يُتوقع أن يخف اختناق العرض والطلب في DRAM؟

تعتقد “يو بي إس” أن اختناقات العرض والطلب في صناعة DRAM ستستمر على الأقل حتى النصف الأول من 2028. وتتوقع “KB Securities” أن نقص المعروض قد يستمر حتى 2028 على الأقل. ويُرجّح مسؤول تنفيذي لدى ميكرون أن يستمر نمط اختناقات جانب العرض بعد 2027، وأن يتحسن جانب العرض تدريجياً في 2028. إن الخلاف الأساسي بين المؤسسات الثلاث ليس في “ما إذا كان هناك اختناق”، بل في “مدة استمرار الاختناق”.

س: كيف تبدو خريطة حصص “الثلاثة الكبار” في سوق HBM؟

في الربع الأول من 2026، تتصدر SK هاينكس بحصة إيرادات تبلغ 58%، بينما تمتلك سامسونج وميكرون كل منهما 21%. وتتوقع الجهات الرسمية أنه من حيث نسبة الشحن خلال العام بالكامل، تبلغ حصة SK هاينكس نحو 52%، وسامسونج نحو 39%، وميكرون نحو 8%. وفي مجال HBM4، يتوقع Counterpoint Research أن تبلغ حصة SK هاينكس في 2026 نحو 54%، وسامسونج نحو 28%، وميكرون نحو 18%. وتوجد سامسونج في موقع الصدارة من ناحية التقدم في التحقق لـ HBM4.

س: ما تأثير ارتفاع أسعار DRAM على أسعار نهايات (منتجات) الإلكترونيات الاستهلاكية؟

انتقل ارتفاع أسعار DRAM من المصانع الأم إلى نهايات سلسلة الإلكترونيات الاستهلاكية. ووفقاً لتحليلات قطاعية، من المتوقع أن تقوم علامات PC والهواتف الذكية برفع أسعار منتجاتها تباعاً بنسبة 15% إلى 20%. وفي أسواق التوزيع مثل “هوا تشيانغ بي” ظهرت ظاهرة “ثلاثة أسعار في يوم واحد”، إذ نصح الموزعون بتأجيل الشراء لغير الضروري. كما بدأت شركات تصنيع السيارات بإعادة تقييم تكوين بعض وظائف القيادة الذكية للتحكم في تكلفة قطع الغيار.