HBM: "الذاكرة الذهبية" تحت عنق الزجاجة لقوة الحوسبة AI، حجم السوق يقفز بنسبة 58% ومنطق الاستثمار لعام 2026

2026年6月22日，韩国资本市场迎来历史性一刻——SK海力士（000660.KS）盘中股价涨至295万韩元，市值触及208.1万亿韩元，首次超越三星电子（005930.KS）的207.3万亿韩元，打破了三星连续26年稳坐韩国市值头把交椅的纪录。这一里程碑的背后，是一场由生成式AI驱动的存储芯片产业权力重构。而这场重构的核心主角，正是HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）。

过去两年间，几乎所有关于AI算力的讨论都围绕着GPU展开。英伟达的芯片供不应求、台积电的先进制程产能满载，这些故事已被反复讲述。但在GPU的光环之下，一个更为隐蔽、也更为关键的瓶颈正在悄然收紧——HBM。没有足够的高带宽内存，再强大的算力芯片也只能空转。

2026年，HBM正从半导体产业的一个细分品类，跃升为决定AI基础设施扩张速度的战略性稀缺资源。本文将从技术原理、市场逻辑、竞争格局与投资标的四个维度，系统拆解HBM为何成为AI时代的“黄金内存”。

HBM技术原理：破解“内存墙”的3D堆叠革命

要理解HBM为何如此重要，首先需要回到一个基础问题：现代计算架构中，处理器与存储器之间的速度差距正在不断拉大。CPU或GPU的计算速度每18至24个月翻一番，但内存的带宽提升速度却远远跟不上。这一矛盾被称为“内存墙”（Memory Wall）——算力再强，如果数据无法及时送达，芯片只能空转等待。

HBM正是为解决这一瓶颈而生。它是一种高性能内存架构，通过垂直堆叠多个DRAM芯片，并使用穿透硅通孔（TSV）技术实现芯片之间的高速互联。简单来说，传统内存是将DRAM芯片平铺在电路板上，数据通过有限的引脚传输；而HBM将DRAM芯片像“叠罗汉”一样垂直封装，再通过数千条微细通道同时传输数据，带宽远超传统DDR内存。

HBM的独特设计使其拥有前所未有的带宽密度。以最新的HBM4为例，JEDEC于2025年4月发布的官方规范显示，HBM4的接口宽度翻倍至2,048位，单堆栈带宽可达每秒2 TB。三星量产的HBM4采用12层堆叠方案，单颗堆栈基础容量36 GB，引脚传输速率13 Gbps，单堆栈总带宽可达3.3 TB/s。

正是这种“高带宽+低功耗”的特性，使HBM成为AI训练与推理场景中不可替代的核心组件。大语言模型动辄数千亿参数，每一次前向与反向传播都需要在处理器与内存之间交换海量数据——只有HBM能够提供足够的带宽来支撑这一过程。

市场爆发：从134亿到546亿美元的跳跃

HBM市场的扩张速度，正在重新定义整个存储芯片行业的增长曲线。

根据Stratistics MRC的数据，2026年全球HBM市场规模预计将达到134亿美元，并在预测期内以34.1%的复合年增长率成长，到2034年有望达到1,410亿美元。而另一组来自SEMI的数据更为激进——SEMI中国总裁冯莉在SEMICON China 2026上指出，2026年HBM市场规模将增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成份额。

两组数据口径不同，但指向同一个结论：HBM正以远超传统半导体品类的速度扩张。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2026年全球半导体市场总规模将达到9,750亿美元。而存储器2026年同比增长约250%，市场规模突破8,000亿美元。HBM正是存储器板块中增长最快、利润率最高的细分赛道。

这一增长的核心驱动力来自AI基础设施的持续扩张。2026年全球AI基础设施支出将达到4,500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%。AI模型正从训练阶段向推理和代理式AI演进，这意味着对高性能存储的需求不仅没有放缓，反而在持续扩大。

供需失衡：产能售罄与结构性缺口

与市场规模同步攀升的，是日益严峻的供需失衡。

尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增或可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍高达50%至60%。2025年HBM缺口率达45%，2026年依旧维持43.5%的高位。机构测算显示，2026年全球DRAM供需缺口约7%、HBM缺口约6%，且紧缺态势持续加剧，2027年DRAM与HBM缺口将扩大至9%。

更值得关注的是，三大原厂2026年的全部HBM产能早已经被下游客户全年锁定，不少核心客户甚至已将产能锁定至2028年。美光管理层在2026财年第三季度财报中公开确认，公司仅能满足客户实际需求的约50%至66%。高盛预计，存储市场供应短缺情况将持续至2028年。

这种供需失衡并非短期脉冲，而是由多重结构性力量共同驱动的结果。需求端，AI模型的参数规模持续膨胀、推理需求的崛起构成了刚性支撑；供给端，TSV工艺的复杂性、先进封装的良率爬坡、以及设备交付周期等物理约束，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。国际投行普遍认为，HBM供不应求是至少三年级别的产业趋势。

三巨头争霸：SK海力士、三星与美光的权力游戏

HBM市场的竞争格局，正形成以SK海力士、三星电子与美光科技为核心的寡头结构。

SK海力士是目前HBM市场的绝对领先者。TrendForce数据显示，在2026年全球HBM生产位元占比中，SK海力士约占50%，三星约占28%，美光约占22%。Counterpoint Research的预测则更为细化，预计SK海力士2026年在HBM4市场的占有率约为54%，三星为28%，美光约为18%。这一领先地位直接反映在资本市场——SK海力士2026年第一季度营收达52.58万亿韩元，同比增长198%、环比增长60%，单季营收首次突破50万亿韩元。瑞银预测SK海力士2026年总营收为355.1万亿韩元，经营利润达286万亿韩元。

三星则在经历HBM3E认证和供货节奏的波折后，正借助HBM4实现强势反攻。2026年2月12日，三星在韩国忠南天安园区完成HBM4的全球首发并启动大规模量产出货，仅约四个月后累计销售额便突破10亿美元，成为全球存储行业内首家达成这一里程碑的厂商。若以6月底为统计节点，HBM4累计销售额预计将超过12亿美元。三星计划在2026年底前将1c DRAM工艺节点月产能提升至约15万片，用于HBM4的量产。

美光虽然份额相对较小，但增速惊人。2026财年第三季度（截至5月31日），美光营收达414.6亿美元，同比增长346%，毛利率84.9%，调整后每股收益25.11美元，同比增长1,215%。美光HBM4 12层产品量产爬坡速度达到HBM3E 12层版本的两倍，公司已累计交付超过10亿美元的HBM4收入。美光管理层判断，HBM供需紧张将持续至2027年以后。

整体DRAM市场方面，三星仍保持着综合优势。2026年第一季度，三星DRAM营收达373.2亿美元，环比增长93.4%，市占率38.5%排名第一；SK海力士营收279.8亿美元，环比增长62.5%，市占率28.8%。这一对比清晰地表明：SK海力士的市值超越并非建立在整体DRAM市场的全面压倒之上，而是源于HBM这一高利润细分市场的绝对统治力所带来的估值溢价。

HBM产业链上的投资机会

HBM的超级周期正在沿产业链自上而下传导，为不同环节的投资标的创造了差异化机会。

第一梯队：三大存储原厂。 SK海力士、三星电子与美光科技凭借技术垄断和产能稀缺，赚取了产业链中的绝大部分超额利润，毛利率突破70%甚至80%。这三家公司是HBM行情最直接、最核心的受益者。

第二梯队：先进封装与封测。 HBM产能扩张直接拉动了先进封装需求。A股市场中，长电科技、通富微电、华天科技等封测龙头被市场资金聚焦。此外，半导体设备企业如北方华创、中微公司也受益于全球存储扩产带来的资本开支上行。

第三梯队：国内存储芯片与材料企业。 在全球DRAM与NAND供应持续紧张的背景下，国内存储芯片厂商迎来了国产替代的窗口期，兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份等受到市场关注。6月以来，A股算力硬件概念股平均上涨19.05%。

第四梯队：HBM设备与材料。 包括HBM设备（万润、弘塑）、封测（力成、京元电）以及AI服务器（广达、纬创、纬颖）等细分环节。

加密行业的映射：HBM与数字资产的间接关联

对于加密行业从业者与投资者而言，HBM的景气周期同样值得关注——虽然HBM与加密资产分属不同赛道，但两者之间存在清晰的逻辑传导链条。

首先，AI算力基础设施的扩张直接推动了对GPU的需求，而GPU正是HBM的最大采购方。英伟达作为全球最大的HBM采购方，其芯片的产能与出货节奏直接影响着HBM的供需平衡。加密 mining 行业作为GPU的重要下游市场之一，同样受到这一供应链动态的间接影响——当AI算力需求挤占GPU产能时，加密 mining 硬件的获取成本与难度随之上升。

其次，HBM三巨头的股价表现已成为衡量AI基础设施投资热度的风向标。2026年6月，Gate正式上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT在平台内交易美光、三星电子、SK海力士等主流证券市场的股票与ETF资产。这意味着加密投资者可以通过这一通道，直接参与HBM超级周期的投资机会。

截至2026年6月26日，比特币报价约59,592美元，较2025年10月的历史高点126,223美元已下跌超过52%。以太坊同步走弱至1,510美元附近。在加密市场整体承压的背景下，HBM产业链的独立景气周期为投资者提供了跨资产类别的配置视角——传统半导体硬件的结构性短缺与超额利润，与加密资产的周期波动形成了某种程度的对冲关系。

结语：HBM不是泡沫，是物理定律

HBM的火热并非资本市场凭空制造的题材。它的底层逻辑建立在三个不可回避的物理与产业现实之上：AI模型参数量的指数级增长对内存带宽提出了刚性需求；TSV 3D堆叠工艺的复杂性使得产能释放天然缓慢；而全球具备HBM量产能力的企业仅有SK海力士、三星与美光三家。

这不是一个可以无限复制的故事。生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍。一座2nm晶圆厂的建设成本已超250亿美元。这些数字背后是实实在在的物理约束与资本门槛——它们构成了HBM供给端最坚固的护城河，也决定了这一轮“内存黄金时代”的持续时间不会短暂。

高盛等多家投行给出的结论高度一致：这场“内存荒”绝非短期脉冲，HBM供不应求的结构性短缺至少将持续到2028年。对于投资者而言，理解HBM不仅是为了把握一个投资赛道，更是为了理解AI时代底层基础设施的运行逻辑——在算力的金字塔尖，最稀缺的往往不是算力本身，而是喂饱算力的那条“数据管道”。

FAQ

1. HBM和传统内存有什么区别？

HBM通过TSV硅通孔技术将多个DRAM芯片垂直堆叠，实现远超传统DDR内存的带宽密度。传统内存为平面布局，数据传输通道有限；HBM的接口宽度可达2,048位，单堆栈带宽突破2 TB/s。HBM主要面向AI训练、高性能计算等带宽密集型场景，而传统内存更适用于通用计算与消费电子。

2. 为什么HBM产能这么紧张？

三大原因：第一，生产HBM所需晶圆产能约为传统DRAM的3至4倍；第二，TSV工艺与先进封装的良率爬坡缓慢，设备交付周期长；第三，全球仅三家厂商具备量产能力，2026年产能已全部售罄。三重约束叠加，使得新增产能释放最快也要到2028至2029年。

3. HBM相关股票有哪些？

三大存储原厂：SK海力士（000660.KS）、三星电子（005930.KS）、美光科技（MU.O）。A股HBM概念涵盖先进封装（长电科技、通富微电、华天科技）、半导体设备（北方华创、中微公司）、存储芯片（兆易创新、北京君正）等环节。

4. HBM的高毛利能持续多久？

三大原厂毛利率已突破70%甚至80%。美光管理层判断HBM供需紧张将持续至2027年以后。高盛预计供应短缺将持续至2028年。只要AI基础设施资本开支不减速，HBM的高毛利周期就有望延续。

5. 加密投资者如何参与HBM行情？

Gate已上线真实股票交易功能，用户可直接使用USDT交易美光、三星电子、SK海力士等股票与ETF资产。此外，HBM的供需变化将沿GPU产业链传导至加密资产挖矿设备领域，为跨资产配置提供间接的参考信号。في 22 يونيو 2026، شهدت السوق المالية الكورية لحظة تاريخية - حيث ارتفع سهم SK Hynix (000660.KS) خلال الجلسة إلى 2.95 مليون وون كوري، ووصلت قيمته السوقية إلى 208.1 تريليون وون كوري، متجاوزًا لأول مرة قيمة سامسونج للإلكترونيات (005930.KS) البالغة 207.3 تريليون وون كوري، محطمًا بذلك الرقم القياسي لسيطرة سامسونج على صدارة القيمة السوقية في كوريا لمدة 26 عامًا متتالية. وراء هذا الإنجاز، هناك إعادة هيكلة لسلطة صناعة رقائق الذاكرة مدفوعة بالذكاء الاصطناعي التوليدي. والبطل الرئيسي في هذه إعادة الهيكلة هو HBM (ذاكرة عالية النطاق الترددي).

خلال العامين الماضيين، دارت جميع المناقشات حول قوة الحوسبة للذكاء الاصطناعي تقريبًا حول وحدات معالجة الرسومات. لقد تم سرد قصص نقص رقائق نفيديا وامتلاء طاقة إنتاج التصنيع المتقدم لشركة TSMC مرارًا وتكرارًا. ولكن تحت هالة وحدات معالجة الرسومات، هناك عنق زجاجة أكثر خفاءً وأكثر أهمية يضيق بهدوء - HBM. بدون ذاكرة عالية النطاق الترددي كافية، حتى أقوى رقائق قوة الحوسبة لا يمكنها إلا أن تدور في الفراغ.

في عام 2026، تتحول HBM من فئة فرعية في صناعة أشباه الموصلات إلى مورد استراتيجي نادر يحدد سرعة توسع البنية التحتية للذكاء الاصطناعي. ستقوم هذه المقالة بتحليل منهجي لأربعة أبعاد: المبدأ التقني، والمنطق السوقي، والمشهد التنافسي، وأهداف الاستثمار، لشرح لماذا أصبحت HBM "الذاكرة الذهبية" في عصر الذكاء الاصطناعي.

مبدأ تقنية HBM: ثورة التكديس ثلاثي الأبعاد لكسر "جدار الذاكرة"

لفهم سبب أهمية HBM، يجب أولاً العودة إلى مشكلة أساسية: في بنية الحوسبة الحديثة، تتسع فجوة السرعة بين المعالج والذاكرة باستمرار. تتضاعف سرعة الحوسبة لوحدة المعالجة المركزية أو وحدة معالجة الرسومات كل 18 إلى 24 شهرًا، لكن سرعة تحسين عرض النطاق الترددي للذاكرة لا تواكب ذلك بكثير. يُعرف هذا التناقض باسم "جدار الذاكرة" - بغض النظر عن قوة الحوسبة، إذا لم يتم تسليم البيانات في الوقت المناسب، لا يمكن للرقاقة سوى الدوران في الانتظار.

تم تصميم HBM لحل عنق الزجاجة هذا. إنها بنية ذاكرة عالية الأداء تقوم بتكديس رقائق DRAM متعددة رأسيًا واستخدام تقنية التوصيل البيني عبر السيليكون (TSV) لتحقيق اتصال عالي السرعة بين الرقائق. ببساطة، الذاكرة التقليدية تضع رقائق DRAM بشكل مسطح على اللوحة الأم، وتنتقل البيانات عبر دبابيس محدودة؛ بينما تقوم HBM بتغليف رقائق DRAM رأسيًا مثل "تكديس الأركان"، ثم تنقل البيانات في وقت واحد عبر آلاف القنوات الدقيقة، مما يوفر عرض نطاق ترددي أكبر بكثير من ذاكرة DDR التقليدية.

يتميز تصميم HBM الفريد بكثافة عرض نطاق ترددي غير مسبوقة. على سبيل المثال، في أحدث إصدار HBM4، تظهر المواصفات الرسمية الصادرة عن JEDEC في أبريل 2025 أن عرض واجهة HBM4 تضاعف إلى 2,048 بت، ويمكن أن يصل عرض النطاق الترددي لمكدس واحد إلى 2 تيرابايت في الثانية. تتبنى HBM4 التي تنتجها سامسونج بكميات كبيرة تكديس 12 طبقة، بسعة أساسية 36 جيجابايت لكل مكدس، ومعدل نقل الدبابيس 13 جيجابت في الثانية، ويمكن أن يصل إجمالي عرض النطاق الترددي لمكدس واحد إلى 3.3 تيرابايت/ثانية.

هذه الخاصية "العرض النطاق العالي + الطاقة المنخفضة" هي التي تجعل HBM مكونًا أساسيًا لا يمكن الاستغناء عنه في سيناريوهات التدريب والاستدلال بالذكاء الاصطناعي. تحتوي نماذج اللغة الكبيرة على مئات المليارات من المعلمات، ويتطلب كل انتشار أمامي وعكسي تبادل كميات هائلة من البيانات بين المعالج والذاكرة - فقط HBM يمكنها توفير عرض النطاق الترددي الكافي لدعم هذه العملية.

انفجار السوق: قفزة من 13.4 مليار إلى 54.6 مليار دولار

سرعة توسع سوق HBM تعيد تعريف منحنى النمو لصناعة رقائق الذاكرة بأكملها.

وفقًا لبيانات Stratistics MRC، من المتوقع أن يصل حجم سوق HBM العالمي في عام 2026 إلى 13.4 مليار دولار، وأن ينمو بمعدل نمو سنوي مركب قدره 34.1% خلال فترة التوقعات، ليصل إلى 1,410 مليار دولار بحلول عام 2034. بينما بيانات أخرى من SEMI أكثر جرأة - أشارت فانغ لي، رئيسة SEMI الصين، في SEMICON China 2026 إلى أن حجم سوق HBM في عام 2026 سينمو بنسبة 58% إلى 54.6 مليار دولار، وهو ما يمثل ما يقرب من 40% من سوق DRAM.

مجموعتا البيانات لهما وجهات نظر مختلفة، لكنهما تشيران إلى نفس الاستنتاج: HBM تتوسع بسرعة تتجاوز بكثير فئات أشباه الموصلات التقليدية. تتوقع منظمة إحصاءات تجارة أشباه الموصلات العالمية (WSTS) أن يصل إجمالي حجم سوق أشباه الموصلات العالمي في عام 2026 إلى 975 مليار دولار. بينما ينمو قطاع الذاكرة بنحو 250% في عام 2026، متجاوزًا 800 مليار دولار. HBM هي أسرع القطاعات نموًا وأعلىها هامش ربح في قطاع الذاكرة.

المحرك الأساسي لهذا النمو هو التوسع المستمر في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي. من المتوقع أن يصل إنفاق البنية التحتية للذكاء الاصطناعي عالميًا في عام 2026 إلى 450 مليار دولار، حيث تمثل قوة الاستدلال لأول مرة أكثر من 70%. تتطور نماذج الذكاء الاصطناعي من مرحلة التدريب إلى مرحلة الاستدلال والذكاء الاصطناعي الوكيل، مما يعني أن الطلب على التخزين عالي الأداء لم يتباطأ فحسب، بل يستمر في التوسع.

عدم توازن العرض والطلب: نفاد الإنتاج والفجوة الهيكلية

بالتوازي مع نمو حجم السوق، يتزايد اختلال التوازن بين العرض والطلب.

على الرغم من أن الشركات الكبرى الثلاث - سامسونج وSK Hynix وميكرون - قد وجهت 70% من طاقتها الإنتاجية الجديدة أو القابلة لإعادة التوزيع نحو HBM، إلا أن فجوة إنتاج HBM لا تزال تتراوح بين 50% و60%. في عام 2025، بلغت نسبة فجوة HBM 45%، وفي عام 2026 لا تزال مرتفعة عند 43.5%. تظهر تقديرات المؤسسات أن فجوة العرض والطلب العالمية على DRAM في عام 2026 تبلغ حوالي 7%، وفجوة HBM حوالي 6%، وتستمر حالة النقص في التفاقم، ومن المتوقع أن تتسع فجوة DRAM وHBM إلى 9% في عام 2027.

والأهم من ذلك، أن جميع طاقة إنتاج HBM للمصنعين الثلاثة في عام 2026 قد تم حجزها مسبقًا بالكامل من قبل العملاء النهائيين، وقد قام العديد من العملاء الأساسيين بحجز الطاقة حتى عام 2028. أكدت إدارة ميكرون في تقرير أرباح الربع الثالث من السنة المالية 2026 أن الشركة يمكنها فقط تلبية حوالي 50% إلى 66% من الطلب الفعلي للعملاء. تتوقع جولدمان ساكس أن يستمر نقص المعروض في سوق التخزين حتى عام 2028.

هذا الخلل في العرض والطلب ليس نبضًا قصير المدى، بل هو نتيجة لقوى هيكلية متعددة. على جانب الطلب، التوسع المستمر في حجم معلمات نماذج الذكاء الاصطناعي وصعود الطلب على الاستدلال يشكلان دعمًا صلبًا؛ على جانب العرض، تعقيد عملية TSV، ومعدل العائد المتزايد ببطء للتغليف المتقدم، وفترات تسليم المعدات وغيرها من القيود المادية تجعل إطلاق الطاقة الإنتاجية الجديدة ممكنًا فقط بحلول عام 2028-2029 على أقرب تقدير. ترى بنوك الاستثمار الدولية على نطاق واسع أن نقص العرض في HBM هو اتجاه صناعي لا يقل عن ثلاث سنوات.

صراع العمالقة الثلاثة: لعبة القوى بين SK Hynix وسامسونج وميكرون

يتشكل المشهد التنافسي لسوق HBM كهيكل احتكاري يركز على SK Hynix وسامسونج للإلكترونيات وميكرون للتكنولوجيا.

SK Hynix هي الرائدة المطلقة في سوق HBM حاليًا. تظهر بيانات TrendForce أنه في حصة إنتاج HBM العالمية عام 2026، تمثل SK Hynix حوالي 50%، وسامسونج حوالي 28%، وميكرون حوالي 22%. توقعات Counterpoint Research أكثر تفصيلاً، حيث تتوقع أن تبلغ حصة SK Hynix في سوق HBM4 حوالي 54%، وسامسونج 28%، وميكرون حوالي 18%. ينعكس هذا التفوق مباشرة في سوق رأس المال - بلغت إيرادات SK Hynix في الربع الأول من عام 2026 52.58 تريليون وون كوري، بزيادة 198% على أساس سنوي وزيادة 60% على أساس ربع سنوي، متجاوزة 50 تريليون وون كوري لأول مرة في ربع واحد. تتوقع UBS أن تبلغ إيرادات SK Hynix الإجمالية لعام 2026 355.1 تريليون وون كوري، وأرباح التشغيل 286 تريليون وون كوري.

بعد مواجهة بعض النكسات في اعتماد HBM3E وتوقيت التسليم، تشن سامسونج هجومًا مضادًا قويًا بفضل HBM4. في 12 فبراير 2026، أطلقت سامسونج HBM4 عالميًا لأول مرة في مجمع تشونان تشونغنام بكوريا وبدأت الإنتاج الضخم والتسليم، وبعد حوالي أربعة أشهر فقط تجاوزت مبيعاتها التراكمية 10 مليارات دولار، لتصبح أول شركة في صناعة التخزين العالمية تحقق هذا الإنجاز. إذا تم أخذ نهاية يونيو كنقطة إحصائية، من المتوقع أن تتجاوز المبيعات التراكمية لـ HBM4 12 مليار دولار. تخطط سامسونج لزيادة الطاقة الإنتاجية الشهرية لعقدة عملية 1c DRAM إلى حوالي 150 ألف قطعة بحلول نهاية عام 2026، لاستخدامها في إنتاج HBM4 بكميات كبيرة.

على الرغم من أن حصة ميكرون صغيرة نسبيًا، إلا أن نموها مذهل. في الربع الثالث من السنة المالية 2026 (حتى 31 مايو)، بلغت إيرادات ميكرون 41.46 مليار دولار، بزيادة 346% على أساس سنوي، وهامش ربح إجمالي 84.9%، وربحية السهم المعدلة 25.11 دولار، بزيادة 1,215% على أساس سنوي. سرعة زيادة إنتاج منتج HBM4 بطبقات 12 من ميكرون هي ضعف سرعة إصدار HBM3E بطبقات 12، وقد قامت الشركة بتسليم أكثر من 10 مليارات دولار من إيرادات HBM4. ترى إدارة ميكرون أن توتر العرض والطلب في HBM سيستمر حتى ما بعد عام 2027.

في سوق DRAM الإجمالي، لا تزال سامسونج تحتفظ بميزة شاملة. في الربع الأول من عام 2026، بلغت إيرادات سامسونج من DRAM 37.32 مليار دولار، بزيادة 93.4% على أساس ربع سنوي، وحصة سوقية 38.5% لتحتل المرتبة الأولى؛ بينما بلغت إيرادات SK Hynix 27.98 مليار دولار، بزيادة 62.5% على أساس ربع سنوي، وحصة سوقية 28.8%. تظهر هذه المقارنة بوضوح: تجاوز SK Hynix للقيمة السوقية لم يتم بناؤه على التفوق الشامل في سوق DRAM الكلي، بل جاء من علاوة التقييم الناتجة عن الهيمنة المطلقة في سوق HBM الفرعي عالي الربح.

فرص الاستثمار في سلسلة توريد HBM

الدورة الفائقة لـ HBM تنتقل من أعلى إلى أسفل على طول سلسلة التوريد، مما يخلق فرصًا متباينة لأهداف الاستثمار في حلقات مختلفة.

الدرجة الأولى: مصنعو التخزين الأساسيون الثلاثة. تحقق SK Hynix وسامسونج للإلكترونيات وميكرون للتكنولوجيا، بفضل احتكارها التكنولوجي وندرة الطاقة الإنتاجية، الجزء الأكبر من الأرباح الفائقة في سلسلة التوريد، مع تجاوز هامش الربح الإجمالي 70% وحتى 80%. هذه الشركات الثلاث هي المستفيد الأكثر مباشرة وأساسيًا من موجة HBM.

الدرجة الثانية: التغليف المتقدم واختبار التغليف. يؤدي توسع طاقة إنتاج HBM مباشرة إلى زيادة الطلب على التغليف المتقدم. في سوق الأسهم الصينية A، تركز أموال السوق على عمالقة اختبار التغليف مثل JCET (تشانغديان للتكنولوجيا) وTongFu Microelectronics (تونغفو ميكروإلكترونيك) وHuatian Technology (هواتيان للتكنولوجيا). بالإضافة إلى ذلك، تستفيد شركات معدات أشباه الموصلات مثل NAURA (شمال الصين هوا تشوانغ) وAMEC (شركة Zhongwei منتصف الطيف) من زيادة الإنفاق الرأسمالي الناتج عن توسع التخزين العالمي.

الدرجة الثالثة: شركات رقائق الذاكرة والمواد المحلية. على خلفية استمرار توتر العرض العالمي لـ DRAM وNAND، تواجه شركات رقائق الذاكرة المحلية نافذة فرصة للإحلال المحلي، وتجذب شركات مثل GigaDevice (تشاو يي إبداع) وBeijing Starblaze (بكين جون تشنغ) وDosilicon (دونغشين) وPuya Semiconductor (بوران) انتباه السوق. منذ يونيو، ارتفعت أسهم مفاهيم الأجهزة الحاسوبية للذكاء الاصطناعي في سوق A بمتوسط 19.05%.

الدرجة الرابعة: معدات ومواد HBM. تشمل معدات HBM (مثل Wanrun (وان رون) وHongsu (هونغ سو))، واختبار التغليف (مثل Powertech Technology (لي تشنغ) وKing Yuan Electronics (جينغ يوان ديان))، وخوادم الذكاء الاصطناعي (مثل Quanta Computer (غوانغدا) وWistron (وي تشوانغ) وWiwynn (وي ينغ)).

انعكاس صناعة التشفير: العلاقة غير المباشرة بين HBM والأصول الرقمية

بالنسبة للعاملين والمستثمرين في صناعة التشفير، فإن دورة الازدهار لـ HBM تستحق الاهتمام أيضًا - على الرغم من أن HBM وأصول التشفير تنتميان إلى مسارات مختلفة، إلا أن هناك سلسلة منطقية واضحة بينهما.

أولاً، يؤدي توسع البنية التحتية للحوسبة للذكاء الاصطناعي مباشرة إلى زيادة الطلب على وحدات معالجة الرسومات، والتي تعد أكبر مشتري لـ HBM. تعتبر نفيديا أكبر مشترٍ عالمي لـ HBM، وتؤثر طاقة إنتاج رقائقها وتوقيت الشحن مباشرة على توازن العرض والطلب في HBM. تعتبر صناعة تعدين التشفير واحدة من الأسواق النهائية المهمة لوحدات معالجة الرسومات، وتتأثر بشكل غير مباشر بديناميكيات سلسلة التوريد هذه - عندما يزاحم طلب الذكاء الاصطناعي طاقة إنتاج وحدات معالجة الرسومات، ترتفع تكلفة وصعوبة الحصول على أجهزة تعدين التشفير.

ثانيًا، أصبح أداء أسهم عمالقة HBM الثلاثة مؤشرًا لقياس حرارة الاستثمار في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي. في يونيو 2026، أطلقت Gate وظيفة تداول الأسهم الحقيقية، حيث يمكن للمستخدمين استخدام USDT مباشرة لتداول أسهم وصناديق الاستثمار المتداولة في الأسواق الرئيسية مثل ميكرون وسامسونج للإلكترونيات وSK Hynix. وهذا يعني أنه يمكن لمستثمري التشفير المشاركة مباشرة في فرص استثمار الدورة الفائقة لـ HBM عبر هذه القناة.

حتى 26 يونيو 2026، بلغ سعر البيتكوين حوالي 59,592 دولارًا، منخفضًا بأكثر من 52% عن أعلى مستوى تاريخي له في أكتوبر 2025 البالغ 126,223 دولارًا. كما ضعف الإيثيريوم إلى حوالي 1,510 دولار. على خلفية الضغط العام على سوق التشفير، توفر دورة الازدهار المستقلة لسلسلة توريد HBM منظورًا لتوزيع الأصول عبر الفئات - حيث يشكل النقص الهيكلي في الأجهزة شبه الموصلة التقليدية والأرباح الفائقة نوعًا من التحوط مقابل التقلبات الدورية لأصول التشفير.

الخاتمة: HBM ليست فقاعة، إنها قانون فيزيائي

ليست شعبية HBM موضوعًا مصطنعًا من قبل سوق رأس المال. يعتمد منطقها الأساسي على ثلاث حقائق فيزيائية وصناعية لا يمكن تجنبها: النمو الأسي لحجم معلمات نماذج الذكاء الاصطناعي يخلق طلبًا صارمًا على عرض النطاق الترددي للذاكرة؛ تعقيد عملية التكديس ثلاثي الأبعاد TSV يجعل إطلاق الإنتاج بطيئًا بشكل طبيعي؛ وهناك ثلاث شركات فقط في العالم لديها القدرة على إنتاج HBM بكميات كبيرة: SK Hynix وسامسونج وميكرون.

هذه ليست قصة يمكن تكرارها بلا حدود. تتطلب إنتاج HBM طاقة إنتاج رقائق تعادل 3 إلى 4 أضعاف طاقة إنتاج DRAM التقليدية. تجاوزت تكلفة بناء مصنع لرقائق 2 نانومتر 25 مليار دولار. وراء هذه الأرقام قيود مادية وعوائق رأسمالية حقيقية - تشكل الخندق الأكثر صلابة لجانب العرض في HBM، وتحدد أن فترة "العصر الذهبي للذاكرة" هذه لن تكون قصيرة.

الاستنتاجات التي توصل إليها جولدمان ساكس وبنوك استثمارية أخرى متسقة للغاية: "نقص الذاكرة" الحالي ليس نبضًا قصير المدى، وسيستمر النقص الهيكلي للعرض والطلب على HBM حتى عام 2028 على الأقل. بالنسبة للمستثمرين، فهم HBM ليس فقط لفهم مسار استثماري، ولكن أيضًا لفهم منطق تشغيل البنية التحتية الأساسية في عصر الذكاء الاصطناعي - في قمة هرم قوة الحوسبة، الأكثر ندرة غالبًا ليس قوة الحوسبة نفسها، بل "خط أنابيب البيانات" الذي يغذيها.

الأسئلة الشائعة

1. ما الفرق بين HBM والذاكرة التقليدية؟

تقوم HBM بتكديس رقائق DRAM متعددة رأسيًا باستخدام تقنية TSV، مما يحقق كثافة عرض نطاق ترددي أكبر بكثير من ذاكرة DDR التقليدية. الذاكرة التقليدية لها تخطيط مسطح مع قنوات نقل بيانات محدودة؛ عرض واجهة HBM يمكن أن يصل إلى 2,048 بت، ويتجاوز عرض النطاق الترددي لمكدس واحد 2 تيرابايت/ثانية. تستهدف HBM بشكل أساسي سيناريوهات كثيفة عرض النطاق الترددي مثل تدريب الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء، بينما الذاكرة التقليدية أكثر ملاءمة للحوسبة العامة والإلكترونيات الاستهلاكية.

2. لماذا إنتاج HBM محدود جدًا؟

ثلاثة أسباب رئيسية: أولاً، تتطلب إنتاج HBM طاقة إنتاج رقائق تعادل 3 إلى 4 أضعاف طاقة إنتاج DRAM التقليدية؛ ثانيًا، زيادة العائد في عملية TSV والتغليف المتقدم بطيئة، وفترات تسليم المعدات طويلة؛ ثالثًا، هناك ثلاث شركات فقط في العالم لديها القدرة على الإنتاج بالجملة، وقد تم بيع كل طاقة الإنتاج لعام 2026 بالكامل. يؤدي تراكم هذه القيود الثلاثة إلى أن إطلاق الطاقة الإنتاجية الجديدة قد لا يكون ممكنًا إلا بحلول عام 2028-2029 على أقرب تقدير.

3. ما هي الأسهم المتعلقة بـ HBM؟

المصنعون الأساسيون الثلاثة للتخزين: SK Hynix (000660.KS)، سامسونج للإلكترونيات (005930.KS)، ميكرون للتكنولوجيا (MU.O). تشمل مفاهيم HBM في سوق A الصيني التغليف المتقدم (JCET (تشانغديان للتكنولوجيا)، TongFu Microelectronics (تونغفو ميكروإلكترونيك)، Huatian Technology (هواتيان للتكنولوجيا))، ومعدات أشباه الموصلات (NAURA (شمال الصين هوا تشوانغ)، AMEC (شركة Zhongwei منتصف الطيف))، ورقائق الذاكرة (GigaDevice (تشاو يي إبداع)، Beijing Starblaze (بكين جون تشنغ))، وغيرها.

4. إلى متى يمكن أن يستمر هامش الربح العالي لـ HBM؟

تجاوزت هوامش الربح الإجمالي للمصنعين الثلاثة 70% وحتى 80%. ترى إدارة ميكرون أن توتر العرض والطلب في HBM سيستمر حتى ما بعد عام 2027. يتوقع جولدمان ساكس أن يستمر نقص المعروض حتى عام 2028. طالما أن الإنفاق الرأسمالي على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي لا يتباطأ، فمن المتوقع أن تستمر دورة هامش الربح العالي لـ HBM.

5. كيف يمكن لمستثمري التشفير المشاركة في موجة HBM؟

أطلقت Gate وظيفة تداول الأسهم الحقيقية، حيث يمكن للمستخدمين استخدام USDT مباشرة لتداول أسهم وصناديق الاستثمار المتداولة لشركات مثل ميكرون وسامسونج للإلكترونيات وSK Hynix. بالإضافة إلى ذلك، ستنتقل تغيرات العرض والطلب في HBM على طول سلسلة توريد وحدات معالجة الرسومات إلى مجال معدات تعدين أصول التشفير، مما يوفر إشارات مرجعية غير مباشرة لتوزيع الأصول عبر الفئات.