فهم عميق لطبقات تخزين الذكاء الاصطناعي: بركة الأرباح ونمط الصناعة

يمكن تقسيم تخزين الذكاء الاصطناعي إلى ستة طبقات،

1. ذاكرة الوصول العشوائي على الرقاقة (SRAM)

2. الذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM)

3. ذاكرة الوصول العشوائي على اللوحة الأم (DRAM)

4. طبقة التجميع CXL

5. أقراص الحالة الصلبة ذات المستوى المؤسساتي (SSD)

6. التخزين الشبكي (NAS) وتخزين الكائنات السحابي

هذا التصنيف يعتمد على موقع التخزين، فكلما اتجهنا نحو الأسفل، ابتعدنا عن وحدة الحوسبة، وزاد حجم التخزين.

في عام 2025، تقدر قيمة هذه الستة طبقات (SRAM على شرائح الحوسبة، مع استبعاد القيمة المضافة المدمجة) بحوالي 229 مليار دولار، حيث يشكل DRAM نصفها، وHBM 15%، وSSD 11%.

بالنسبة للأرباح، فإن كل طبقة مركزة بشكل مفرط في أيدي الاحتكارات، حيث تتجاوز حصة السوق للثلاثة الأوائل 90% بشكل عام.

يمكن تصنيف هذه البرك الربحية إلى ثلاث فئات،

1. برك عالية الهامش في طبقة الرقائق (HBM، SRAM المدمج، SSD QLC)

2. برك عالية الهامش الناشئة في طبقة الاتصال (CXL)

3. برك الفائدة المركبة على نطاق الخدمة (NAS، التخزين السحابي للكائنات)

طبيعة هذه البرك، معدل نموها، والحواجز التي تحميها تختلف بين الفئات الثلاث.

لماذا يتم تقسيم التخزين إلى طبقات؟

لأن وحدات المعالجة المركزية (CPU) ووحدات معالجة الرسوميات (GPU) المسؤولة عن التحكم، تحتوي فقط على ذاكرة مؤقتة، وهي SRAM على الرقاقة. هذه المساحة صغيرة جدًا، ولا تكفي إلا لتخزين بعض المعلمات المؤقتة، ولا يمكنها استيعاب نماذج كبيرة.

خارج هاتين الشريحتين، هناك حاجة إلى ذاكرة أكبر لتخزين النماذج الكبيرة وسياق الاستدلال.

البيانات تنتقل بسرعة، لكن التنقل بين طبقات التخزين المختلفة يتسبب في تأخير واستهلاك للطاقة، وهو أكبر مشكلة.

لذا، هناك ثلاثة اتجاهات حالياً،

1. تجميع HBM بجانب وحدة GPU لتقصير مسافة النقل

2. تجميع الذاكرة عبر CXL لمشاركة السعة على مستوى الهيكل

3. دمج الحوسبة والتخزين على نفس الرقاقة، بحيث يكون الحوسبة والتخزين مدمجين

هذه الاتجاهات الثلاثة تحدد شكل برك الأرباح في كل طبقة خلال السنوات الخمس القادمة.

وفيما يلي تفصيل التصنيف،

L0 SRAM على الرقاقة: بركة الأرباح الحصرية لشركة TSMC

ذاكرة SRAM (الذاكرة الثابتة ذات الوصول العشوائي) هي ذاكرة التخزين المؤقت داخل وحدة المعالجة المركزية/وحدة معالجة الرسوميات، مدمجة في كل شريحة، ولا يتم تداولها بشكل مستقل.

سوق شرائح SRAM المستقلة يقدر بحوالي 1-1.7 مليار دولار، والرواد هم Infineon (حوالي 15%)، Renesas (حوالي 13%)، ISSI (حوالي 10%)، والسوق صغير.

هذه البركة الربحية تقع في شركة TSMC، حيث لزيادة حجم شرائح SRAM في كل جيل من شرائح الذكاء الاصطناعي، يتعين على الشركة شراء المزيد من الرقائق.

وحوالي 70% من الرقائق المتقدمة عالمياً تصنعها TSMC. مساحة كل شريحة H100، B200، TPU v5، وغيرها من SRAM، في النهاية، تترجم إلى إيرادات لـ TSMC.

L1 HBM: أكبر بركة أرباح في عصر الذكاء الاصطناعي

HBM (الذاكرة عالية النطاق الترددي) هو ذاكرة ديناميكية ذات وصول عشوائي (DRAM) مكدسة عمودياً باستخدام تقنية TSV (الثقوب العمودية على السيليكون)، وتُعبأ بواسطة تقنية CoWoS وتُلاصق بجانب وحدة GPU.

تقريباً، HBM هو العامل الحاسم في تحديد حجم النماذج التي يمكن لوحدات تسريع الذكاء الاصطناعي تشغيلها. حصة السوق لشركات SK Hynix، Micron، Samsung تقارب 100%.

حتى الربع الأول من 2026، كانت الحصص السوقية: SK Hynix 57-62%، Samsung 22%، Micron 21%. SK Hynix استحوذت على حصة كبيرة من مشتريات الشركات مثل NVIDIA، وتُعد المزود المسيطر حالياً.

في الربع الأول من 2026، ذكرت Micron أن سوق HBM الكلي (TAM) سينمو بمعدل نمو سنوي مركب يقارب 40%، من حوالي 35 مليار دولار في 2025 إلى 100 مليار دولار في 2028، مع تقديم توقيت الوصول إلى 100 مليار قبل التوقعات السابقة بسنتين.

الميزة الأساسية لـ HBM هي هوامش الربح العالية جدًا. في الربع الأول من 2026، حققت SK Hynix هامش ربح تشغيلي قياسي بلغ 72%.

سبب ارتفاع الأرباح،

1. عملية تصنيع TSV تستهلك جزءًا من طاقة إنتاج DRAM التقليدية، مما يظل عرض HBM غير كافٍ.

2. صعوبة تحسين معدل نجاح التعبئة المتقدمة، حيث انخفضت حصة Samsung من 40% إلى 22% بسبب ذلك.

3. الموردون الرئيسيون يوسعون قدراتهم بحذر، وحققوا في الربع الأول من 2026 زيادة على سعر البيع المتوسط (ASP) بنسبة تزيد عن 60%، مما يعكس وضع السوق التابع للبائع.

بين الثلاثة الكبار، تتأثر SK Hynix بشكل كبير بـ HBM، حيث بلغ صافي الربح التشغيلي السنوي في 2025 حوالي 47.21 تريليون وون كوري، متجاوزة لأول مرة شركة Samsung Electronics، ومع الربع الأول من 2026، مع هامش ربح تشغيلي 72%، تجاوزت حتى أرباح TSMC (58.1%) وNVIDIA (65%).

Micron تتوقع نموًا مرتفعًا جدًا، ورفع بنك أوف أمريكا (BofA) هدف سعر السهم إلى 950 دولارًا في مايو 2026. مع تقدم إنتاج HBM4، تمتلك Samsung أكبر فرصة لاستعادة حصتها السوقية.

L2 ذاكرة الوصول العشوائي على اللوحة الأم (DRAM)

هذه الطبقة تعرف عادة بذاكرة الرام.

تشمل منتجات DRAM التقليدية مثل DDR5، LPDDR، GDDR، وMR-DIMM، وهي حالياً الجزء الأكبر من مبيعات سوق التخزين في الذكاء الاصطناعي، حيث بلغ الحجم الإجمالي للسوق العالمي في 2025 حوالي 121.83 مليار دولار.

لا تزال Samsung، SK Hynix، وMicron تسيطر على السوق بشكل كبير. وفقًا لأحدث بيانات الربع الرابع من 2025، كانت الحصة السوقية: Samsung 36.6%، SK Hynix 32.9%، Micron 22.9%.

حالياً، يتم تحويل القدرة الإنتاجية نحو HBM ذات الهوامش الأعلى، مما يحافظ على هامش الربح وسعر السوق للذاكرة. رغم أن هامش ربح منتجات DRAM التقليدية أقل من HBM، إلا أن حجم السوق الإجمالي أكبر.

L3 طبقة التجميع CXL

CXL (رابط التعبير عن الحوسبة) يسمح بتجميع DRAM من خادم واحد إلى كامل الهيكل.

بعد إصدار CXL 3.x، يمكن مشاركة جميع الذاكرة في خزانة واحدة بين عدة وحدات GPU، وتوزيعها حسب الحاجة. يحل مشكلة عدم القدرة على استيعاب KV cache، قواعد البيانات النصية، وRAG عند الاستدلال في الذكاء الاصطناعي.

في 2024، كانت قيمة سوق وحدات ذاكرة CXL حوالي 1.6 مليار دولار، ومن المتوقع أن تصل إلى 23.7 مليار دولار في 2033. يبدو أن السوق لا يزال يهيمن عليه الثلاثة الكبار: Samsung، SK Hynix، Micron.

في هذه الطبقة، تقوم شركة Astera Labs بتصنيع أجهزة إعادة توقيت CXL وPCIe، بالإضافة إلى وحدات التحكم الذكية للذاكرة، وتسيطر على حوالي 55% من السوق الفرعي. بلغت إيرادات الربع الأخير 308 مليون دولار، بزيادة سنوية قدرها 93%، وهو هامش ربح غير GAAP يبلغ 76.4%، وصافي ربح بزيادة 85%. أرباح عالية جدًا.

L4 أقراص SSD المؤسساتية: أكبر المستفيدين من عصر الاستدلال

أقراص SSD ذات الحالة الصلبة من المستوى المؤسساتي هي ساحة المعركة الرئيسية لتخزين نقاط التحقق من التدريب، وفهارس RAG، وتحميل KV، وتخزين أوزان النماذج. أقراص QLC ذات السعة الكبيرة أزاحت HDD من بحيرات البيانات في الذكاء الاصطناعي تمامًا.

في 2025، يقدر سوق أقراص SSD المؤسساتية بحوالي 26.1 مليار دولار، بمعدل نمو سنوي مركب 24%، ومن المتوقع أن يصل إلى 76 مليار دولار في 2030.

أما عن الحصة السوقية، فهي لا تزال تحت سيطرة الثلاثة الكبار.

وفقًا لإيرادات الربع الرابع من 2025، كانت الحصص: Samsung 36.9%، SK Hynix (بما في ذلك Solidigm) 32.9%، Micron 14.0%، Kioxia 11.7%، SanDisk 4.4%. مجتمعة، تمثل حوالي 90%.

أكبر تغيير في هذه الطبقة هو انفجار استخدام SSD QLC في سيناريوهات الاستدلال. شركة Solidigm التابعة لـ SK Hynix وKioxia أنتجت منتجات بسعة 122 تيرابايت، حيث يتم نقل KV cache وRAG من HBM إلى SSD.

من ناحية الربحية، لا تصل أرباح أقراص SSD المؤسساتية إلى مستوى HBM، لكنها تستفيد من مضاعفات الحجم وتوسعات الاستدلال.

Kioxia وSolidigm تعتبران أهدافًا أكثر نقاءً، بينما Samsung وSK Hynix تستفيدان من ثلاث طبقات: HBM، DRAM، NAND، مما يجعلها شركات منصة تخزين الذكاء الاصطناعي الأكثر تنوعًا.

L5 NAS وتخزين الكائنات السحابي: بركة الفائدة المركبة للبيانات

NAS وتخزين الكائنات السحابي هما الطبقة الخارجية لبحيرات البيانات، وبيئة التدريب، والنسخ الاحتياطي، والتعاون بين الفرق. في 2025، يقدر حجم NAS بحوالي 39.6 مليار دولار (معدل نمو سنوي مركب 17%)، وتخزين الكائنات السحابي حوالي 9.1 مليار دولار (معدل نمو 16%).

الموردون الرئيسيون لتخزين الملفات المؤسساتي هم NetApp، Dell، HPE، Huawei؛ والشركات الصغيرة والمتوسطة هي Synology وQNAP. استنادًا إلى حصة السوق من IaaS، تسيطر AWS على حوالي 31-32%، Azure 23-24%، Google Cloud 11-12%، مجتمعة حوالي 65-70%.

هذه الطبقة تعتمد بشكل رئيسي على الاستضافة طويلة الأمد، وتبادل البيانات، وقفل النظام البيئي.

ملخص سريع،

1. أكبر بركة هي DRAM، لكن هامش الربح منخفض بين 30-40%؛ وHBM حجمها ثلث DRAM، لكن هامشها يتجاوز 60%؛ وCXL هو الأصغر، وأعلى هامش ربح يتجاوز 76%. كلما اقتربنا من وحدة الحوسبة، زادت الندرة والربحية.

2. الزيادة في الأرباح تأتي من ثلاثة مصادر، HBM بمعدل نمو سنوي مركب 28%، SSD المؤسساتي 24%، وCXL 37%.

3. كل طبقة لها حواجز تجارية مختلفة، HBM تعتمد على الحواجز التقنية، مثل TSV وCoWoS وتحسين معدل النجاح، وCXL تعتمد على حقوق الملكية والتوثيق، وأجهزة إعادة التوقيت، والخطوط الإمدادية، والخدمات تعتمد على تكاليف التحول.