三星電子規劃推出 HBM4,目標是在 H2 HBM 銷售中占比超過 60%
三星電子在其 Q2 財報電話會議上表示,HBM4 預計在下半年佔公司總高頻寬記憶體(HBM)銷售額超過 60%,且第三季 HBM4 收入預期將較上一季度成長 3 倍。公司將這種擴張歸因於客戶評估流程順利完成,以及下半年與客戶量產爬坡時程相一致的需求快速增加。三星指出,與 AI 相關的記憶體需求顯著超過供給產能,且因業界從新晶圓廠建置到晶圓產出的 3.5 年領先期,預期供給短缺將惡化並持續至 2028 年。 三星電子擴大 1c 奈米 DRAM 與 HBM4 生產產能 三星電子計畫持續擴大 1c 奈米 DRAM 生產能力,同時增加 HBM4 供給產能。公司表示,預期在下半年達成其 HBM 市佔率等同於整體 DRAM 市佔率,實現均衡的 DRAM 事業投資組合。三星打算維持均衡的產品組合策略,讓 HBM 與通用型 DRAM 具備相近的市佔率水準。公司指出,已完成截至 2027 年的主要客戶 HBM 供貨談判,並評估基於 HBM4E 的技術能力(該技術已於業界先行提供樣品),公司具備與主要客戶依既定計畫推進商業化的競爭力。 記憶體供給短缺將在 2028 年前持續加劇 三星電子解釋,代理式(ag
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Lucas Bennett ·07-30 01:59



