🚨 Nghiên cứu Citrini mới nhất: Cuộc cách mạng bộ nhớ AI thay thế DRAM bằng Flash

AMD mua lại MEXT tối ưu hóa hiệu suất bộ nhớ flash gần bằng DRAM, Apple thúc đẩy giải pháp "LLM in a Flash" ở phía cuối — hai ông lớn cùng ra tay, đây không phải là sự trùng hợp, mà là tín hiệu của sự chuyển đổi cấu trúc trong kiến trúc bộ nhớ AI.
Dữ liệu cốt lõi chỉ cần một: chi phí của bộ nhớ flash chỉ bằng 1/55 của DRAM. *HBM đã chiếm 25% năng lực sản xuất DRAM, áp lực "thuế bộ nhớ" đã đến điểm tới hạn. Thông qua tối ưu hóa bộ điều khiển, xếp chồng NAND và điều chỉnh chế độ đơn vị, Flash đang trở thành giải pháp thay thế thực sự cho dung lượng và băng thông AI ở biên giới. Đây cũng là nền tảng lý thuyết cho sự tăng trưởng liên tục của các cổ phiếu lưu trữ như SanDisk ($SNDK ) gần đây.
---
Bản chất của logic này không phải là "Flash thay thế DRAM", mà là tầng bộ nhớ của suy luận AI đang được tái cấu trúc.
Trong giai đoạn suy luận, bộ nhớ KV cache tần số thấp, trọng số mô hình, dữ liệu phía cuối có thể từ HBM/DRAM đắt tiền chuyển xuống tầng NAND Flash/SSD. Flash không phải là thay thế HBM, mà là tiếp nhận nhu cầu tràn ra về dung lượng — Nhu cầu lưu trữ AI lớn đến mức cần nhiều lớp kiến trúc cùng gánh vác.
---
Bốn tầng truyền dẫn lợi ích:
① Nhà sản xuất NAND (trực tiếp nhất)
NAND dung lượng cao, SSD doanh nghiệp, NAND QLC là hướng đi thuần túy nhất.
Cổ phiếu Mỹ: SNDK, WDC, MU, Kioxia
Độ tinh khiết logic: SNDK / WDC / Kioxia > MU
② Bộ điều khiển SSD (bền vững nhất)
Làm cho Flash thực sự gần như trải nghiệm bộ nhớ là nhờ bộ điều khiển, firmware, tối ưu hóa kiến trúc NVMe — không chỉ là tăng giá hạt.
Cổ phiếu Mỹ: SIMO, MRVL
Cổ phiếu Đài Loan: Phison (群联)
③ Kết nối tốc độ cao CXL / PCIe
Dữ liệu chuyển từ Flash sang đơn vị tính toán, chính đường truyền đã là giá trị.
Cổ phiếu Mỹ: ALAB, RMBS, CRDO
④ Nâng cấp lưu trữ AI phía cuối
Apple LLM in a Flash: trọng số mô hình lưu trú trong bộ nhớ flash iPhone/Mac, thúc đẩy chuyển đổi lưu trữ cuối từ 256GB lên 1TB, nâng cao trung tâm nhu cầu NAND.
Lợi ích: MU, Samsung, Kioxia, 群联
---
Áp dụng cho cổ phiếu A:
Trực tiếp nhất → Jiangbolong, Baiwei Storage, Demingli
Nâng cấp kiến trúc cốt lõi → Lanjih科技（CXL + giao diện bộ nhớ）
Nền tảng nội địa → Zhaoyi Innovation, Beijing Junzheng
---
Hai mức kết luận:
Ngắn hạn linh hoạt: SNDK, WDC, SIMO, 群联, Jiangbolong, Baiwei Storage
Trung và dài hạn có độ chắc chắn: MU, MRVL, ALAB, Lanjih科技