$DRAM продовжує привертати значний інтерес ринку, а підвищена торговельна активність свідчить про зростання уваги до всього сектору пам’яті.

Я уважно стежитиму за обсягами, динамікою цін і моментумом у пошуках ознак наступного значного руху.

Morgan Stanley: потужності Китаю з виробництва DRAM і NAND сягнуть 50 млн пластин до 2028 року, змінивши глобальну пропозицію

За даними Morgan Stanley, китайські виробники пам’яті, зокрема Changxin і Yangtze Memory, до 2028 року можуть докорінно змінити динаміку глобальної пропозиції напівпровідників. У звіті прогнозується, що щомісячні потужності Changxin з виробництва пластин DRAM зростуть із 18 мільйонів одиниць у 2025 році до 50 мільйонів у 2028 році, що потенційно дасть компанії змогу забезпечити 15% глобальних бітових поставок DRAM і випередити Micron, ставши третім за величиною постачальником DRAM.

Хоча попит на ШІ у 2026–2027 роках і обмеження виробництва HBM можуть поглинути нові потужності Китаю, 2028 рік стане критичною точкою перелому. У міру масштабування виробництва Changxin і запуску нових заводів Yangtze Memory паралельно з нарощуванням потужностей наявними глобальними постачальниками галузь пам’яті може зіткнутися зі значним тиском з боку співвідношення пропозиції та попиту. Morgan Stanley прогнозує, що ринок може перейти від дефіциту на рівні 15–17% у 2027 році до потенційного надлишку пропозиції, якщо темпи зростання попиту сповільняться, що докорінно змінить структуру прибутковості галузі та цінову дисципліну.