Ф'ючерси
Сотні безстрокових контрактів
CFD
Золото
Одна платформа для світових активів
Опціони
Hot
Торгівля ванільними опціонами європейського зразка
Єдиний рахунок
Максимізуйте ефективність вашого капіталу
Демо торгівля
Вступ до ф'ючерсної торгівлі
Підготуйтеся до ф’ючерсної торгівлі
Ф'ючерсні події
Заробляйте, беручи участь в подіях
Демо торгівля
Використовуйте віртуальні кошти для безризикової торгівлі
CFD
Деривативи CFD на акції
Акції США
Отримайте доступ до реальних акцій США та ETF
Акції Гонконгу
Торгуйте якісними акціями з лістингом у Гонконгу
Корейські акції
SK Hynix
Торгуйте реальними корейськими акціями та інвестуйте в популярні активи
Ф'ючерси на акції
Високе кредитне плече, торгівля 24/7
Токенізовані акції
Забезпечено реальними фондовими активами
IPO Access
Отримайте повний доступ до глобальних IPO акцій
GUSD
3.8%
Мінтіть GUSD для отримання дохідності від казначейських RWA
Активності з акціями
Торгуйте популярними акціями та відкривайте щедрі аірдропи
Запуск
CandyDrop
Збирайте цукерки, щоб заробити аірдропи
Launchpool
Швидкий стейкінг, заробляйте нові токени
HODLer Airdrop
Утримуйте GT і отримуйте масові аірдропи безкоштовно
IPO Access
Отримайте повний доступ до глобальних IPO акцій.
Alpha Поінти
Ончейн-торгівля та аірдропи
Ф'ючерсні бали
Заробляйте фʼючерсні бали та отримуйте аірдроп-винагороди
Інвестиції
Simple Earn
Заробляйте відсотки за допомогою неактивних токенів
Автоінвестування
Автоматичне інвестування на регулярній основі
Подвійні інвестиції
Прибуток від волатильності ринку
Soft Staking
Earn rewards with flexible staking
Криптопозика
0 Fees
Заставте одну криптовалюту, щоб позичити іншу
Центр кредитування
Єдиний центр кредитування
Центр багатства VIP
Преміальні плани зростання капіталу
Gate Wealth
візьміть під контроль своє фінансове майбутнє
Квантовий фонд
Квантові стратегії найвищого рівня
Стейкінг
Стейкайте криптовалюту, щоб заробляти на продуктах PoS
Розумне кредитне плече
Кредитне плече без ліквідації
GUSD
3.8%
Мінтіть GUSD для отримання дохідності від казначейських RWA
Акції
Центр діяльності
Беріть учать та отримуйте винагороди
Реферал
200 USDT
Запрошуйте друзів та отримуйте бонуси
Партнерська програма
Ексклюзивні комісійні винагороди
Gate Booster
Зростайте та отримуйте аірдропи
Оголошення
Оновлення платформи в реальному часі
Блог Gate
Статті про криптоіндустрію
VIP послуги
Величезні знижки на комісії
Управління активами
Універсальне рішення для управління активами
Інституційний
Рішення цифрових активів для бізнесу
Розробники (API)
Підключається до екосистеми додатків Gate
Позабіржовий банківський переказ
Поповнюйте та виводьте фіат
Брокерська програма
Щедрі механізми знижок API
AI
Gate AI
Ваш універсальний AI-помічник для спілкування
Gate AI Bot
Використовуйте Gate AI безпосередньо у своєму соціальному додатку
GateClaw
Gate Блакитний Лобстер — готовий до використання
Gate for AI Agent
AI-інфраструктура, Gate MCP, Skills і CLI
Gate Skills Hub
Понад 10 000 навичок
Від офісу до трейдингу: універсальна база навичок для ефективнішої роботи з AI
#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
Бернштайн Research, провідна дослідницька інвестиційна компанія, опублікувала вкрай оптимістичний прогноз для сектору пам’яті (memory semiconductor), спрогнозувавши, що поточний бичачий ринок для чипів DRAM і NAND flash триватиме до 2027 року. Цей прогноз має суттєві наслідки для ключових виробників пам’яті, зокрема Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology та SanDisk.
Поточна ринкова динаміка та цінові тренди
Згідно з аналітиком Бернштайн Марком Лі, ринок пам’яті переживає безпрецедентний ціновий імпульс. Контрактні ціни на DRAM і NAND мають зрости ще раз у другому кварталі 2026 року, при цьому контрактні ціни на NAND, за прогнозами, підвищаться на 65%–70% квартал-до-кварталу. Цей сплеск зумовлений насамперед попитом на SSD і мобільні NAND-пакети. Також вказується, що контрактні ціни на DRAM демонструватимуть значні зростання, випереджаючи попередні очікування Бернштайн.
Зростання цін відображає фундаментальний дисбаланс попиту та пропозиції. Попит на серверну DRAM і корпоративні SSD залишається сильним, і надалі підтримує дефіцит по всій галузі. Водночас Бернштайн зазначає, що спот-ціни подають суперечливі сигнали: спот-ціни на модулі server DDR5 знижуються приблизно на 6,7% місяць-до-місяця, а спот-ціни на NAND wafer падають приблизно на 7%, оскільки вищі ціни починають тиснути на попит на споживчому кінці.
Ключові драйвери, що підтримують продовжений бичачий ринок
Кілька структурних чинників лежать в основі оптимістичного прогнозу Бернштайн на 2027 рік:
Розширення AI дата-центрів: Поширення застосунків штучного інтелекту створило масивний попит на рішення пам’яті високої продуктивності. Для AI-навчання та інференсу потрібні значні обсяги DRAM, причому AI-сервери зазвичай використовують у 6–8 разів більше DRAM-контенту, ніж традиційні сервери. Оператори дата-центрів агресивно нарощують ємність пам’яті для підтримки AI-навантажень.
Зростання хмарних обчислень: Великі провайдери хмарних послуг продовжують розширювати свою інфраструктуру, забезпечуючи стабільний попит як на DRAM, так і на флеш-пам’ять NAND. Корпоративні вимоги до зберігання зростають приблизно на 25–30% щорічно, формуючи стійкі попутні вітри для попиту.
Вимоги високопродуктивних обчислень: Передові обчислювальні застосунки, зокрема машинне навчання, аналітика великих даних і наукові обчислення, потребують усе більш досконалих архітектур пам’яті. HBM (High Bandwidth Memory) і передові технології DDR5 вимагають преміального ціноутворення та забезпечують вищі маржі.
Обмеження з боку пропозиції: Виробництво чипів пам’яті потребує суттєвих капіталовкладень і тривалих строків виконання. Нові виробничі потужності (фаб) будуються 2–3 роки та виходять на повну продукцію з нарощуванням. Зростання пропозиції залишається обмеженим через недостатню потужність чистих кімнат, доступність спеціалізованого обладнання та нестачу кваліфікованих інженерних кадрів.
Наслідки для конкретних компаній
Samsung Electronics: Будучи найбільшим у світі виробником чипів пам’яті, Samsung має значно виграти від тривалої сили цін. Диверсифікований портфель компанії, що охоплює DRAM, NAND і нові технології пам’яті, дозволяє їй захоплювати цінність у кількох сегментах ринку. Вертикальна інтеграція Samsung і масштаб виробництва забезпечують конкурентні переваги в структурі витрат і безпеці постачання.
SK Hynix: Корейський фахівець з пам’яті став лідером у технології HBM, критично важливій для AI-застосунків. SK Hynix має приблизно 50% частки ринку в HBM — сегменті з найвищою маржинальністю в межах DRAM. Технологічне лідерство компанії в передовому пакуванні та високошвидкісних інтерфейсах пам’яті підтримує здатність встановлювати преміальне ціноутворення.
Micron Technology: Як єдиний великий виробник пам’яті зі США, Micron виграє з огляду на геополітичні чинники та тенденції диверсифікації ланцюгів постачання. Компанія отримує приблизно 80% виручки від DRAM, тож особливо чутлива до циклів цін на DRAM. Акції Micron зросли приблизно на 240–270% з початку року, що відображає оптимізм інвесторів щодо тривалого апциклу.
SanDisk (Western Digital): Будучи «pure-play» постачальником NAND flash, SanDisk має прямий вплив від зростання цін на NAND. Фокус компанії на корпоративних SSD та мобільних рішеннях для зберігання відповідає сегментам із високими темпами зростання.
Траєкторія прогнозу цін
Бернштайн очікує таку траєкторію цін:
Q2 2026: Різкі підвищення цін у всіх категоріях DRAM і NAND
Q3 2026: Помірні підвищення цін, коли покупці переходять на довгострокові контракти
Q4 2026: Подальше зростання цін, хоча темпи прискорення сповільнюватимуться
2027: Ціни залишаються сильними з поступовою нормалізацією, що починається наприкінці 2027 року та триває в 2028
Ця траєкторія означає, що виробники чипів пам’яті матимуть тривалі періоди підвищеної прибутковості, а валові маржі потенційно можуть досягати 50–60% для провідних гравців.
Прогнози щодо розміру ринку
Дослідницька компанія TrendForce підвищила свої прогнози щодо глобального ринку пам’яті, спрогнозувавши, що загальний адресний ринок (TAM) досягне $889.3 млрд у 2026 році, при цьому DRAM становитиме $618.7 млрд, а NAND — $270.6 млрд. Це означає суттєве зростання від поточних рівнів і підтримує бичачу тезу Бернштайн.
Інвестиційні міркування
Інвестори, які шукають доступ до бичачого ринку пам’яті, мають кілька варіантів:
Окремі акції: Прямі інвестиції в Samsung, SK Hynix, Micron або Western Digital/SanDisk забезпечують цільовий доступ до виконання конкретними компаніями та їх позиціонування на ринку.
DRAM ETF: Roundhill Memory ETF пропонує диверсифікований доступ до міжнародних виробників пам’яті, зокрема Samsung, SK Hynix, Micron та інших компаній напівпровідникової індустрії.
Постачальники обладнання: Такі компанії, як Lam Research, Applied Materials і Tokyo Electron, виграють від потреб виробників пам’яті в капітальних витратах.
Фактори ризику
Хоча прогноз Бернштайн є конструктивним, інвесторам слід врахувати потенційні ризики:
Ослаблення споживчого попиту може пришвидшитися, якщо ціни зростатимуть занадто швидко
Відповідь з боку пропозиції з часом може збалансувати ринок швидше, ніж очікувалося
Макроекономічне уповільнення може зменшити витрати корпоративного IT
Геополітична напруженість може порушити ланцюги постачання або торгові потоки
Технологічні переходи можуть зробити продукти поточного покоління застарілими
Висновок
Прогноз Бернштайн щодо тривалого бичачого ринку чипів пам’яті до 2027 року відображає структурні драйвери попиту, включно з поширенням AI, розширенням хмарних обчислень і зростанням дата-центрів, у поєднанні з обмеженнями з боку пропозиції, які стримують швидке нарощування потужностей. Великі виробники пам’яті, зокрема Samsung, SK Hynix, Micron і SanDisk, розміщені так, щоб виграти від тривалої сили цін і зростання маржі. Інвесторам варто розглянути різні напрями для участі в цій довгостроковій тенденції зростання, водночас залишаючись уважними до циклічних ризиків, властивих напівпровідниковій індустрії.
Трансформація сектору пам’яті з «комодитизованого» бізнесу в індустрію зростання, керовану технологіями, підсилену AI та вимогами передових обчислень, підтримує переконання Бернштайн у тому, що цей цикл виявиться тривалішим і прибутковішим, ніж припускають історичні патерни.
@Gate_Square