SK hynix розпочала будівництво підприємства в Індіані вартістю понад 4 млрд доларів, де виробництво HBM розпочнеться у 2029 році.
SK Hynix провела церемонію закладення першого каменя 27 травня за місцевим часом в Університеті Пердью у Вест-Лафайєтті, штат Індіана. Об’єкт, що потребує інвестицій понад 4 мільярди доларів, стане першим у США виробничим майданчиком пам’яті з високою пропускною здатністю (HBM). Масове виробництво HBM наступного покоління заплановано розпочати у другій половині 2029 року. Проєкт має на меті зміцнити ланцюг постачання напівпровідників для ШІ у США, поєднавши корейські та американські виробничі си
LucasBennett·08-27 23:38
