Groq переходить на архітектуру чипів ШІ наступного покоління з 3D-стекованою DRAM і відмовляється від SRAM
За останніми повідомленнями, Groq, яку нещодавно придбала Nvidia, розглядає можливість використання технології пакування DRAM із 3D-стекуванням (3DS) у своїх ШІ-чипах наступного покоління замість традиційної архітектури на основі SRAM. Новий підхід використовує наскрізні кремнієві перехідні з’єднання (TSV), щоб вертикально з’єднати кілька напівпровідникових кристалів, значно збільшивши щільність пам’яті на одиницю площі й водночас зберігши стандартні протоколи інтерфейсу DRAM. На відміну від тех
NVDA+2,15%
GateNews·10-21 21:52
