Samsung представила на FMS 2026 дорожню карту пам’яті для ШІ: zHBM, zNAND-O та V10 BV-NAND

Samsung Electronics представила своє портфоліо пам’яті для ШІ наступного покоління на конференції Future of Memory and Storage (FMS) 2026 у Санта-Кларі, штат Каліфорнія, презентувавши комплексну технологічну дорожню карту, розроблену для задоволення зростаючих потреб високопродуктивних обчислень та інфраструктури штучного інтелекту. Компанія продемонструвала приблизно 30 технологій пам’яті та сховищ на стенді, оформленому як хмарний сервер ШІ, тоді як керівники Jin-Yub Lee, виконавчий віцепрезидент і керівник підрозділу Flash Product & Technology, та Kyungryun Kim, віцепрезидент команди розробки DRAM, виступили з головною доповіддю «Осідлати хвилю революції ШІ: 3D-інновації в архітектурі пам’яті та сховищ». Оголошення відповідає стрімко зростаючим вимогам до прискорювачів ШІ та інфраструктури центрів обробки даних завдяки вертикальним архітектурам пам’яті та передовим виробничим можливостям.

Samsung представляє вертикальні архітектури пам’яті zHBM і zNAND-O

Samsung представила zHBM, яка вертикально розміщує пам’ять із високою пропускною здатністю безпосередньо над прискорювачами ШІ, а не поруч із чипом. Samsung заявляє, що ця конструкція мінімізує відстань передавання даних, забезпечуючи приблизно у вісім разів вищу продуктивність порівняно з HBM5, більш ніж у десять разів вищу щільність пам’яті та втричі кращу енергоефективність, водночас зменшуючи тепловий опір більш ніж удвічі. Архітектура підтримує інтеграцію спеціалізованої інтелектуальної власності між шарами, що дає змогу створювати рішення, адаптовані до конкретних прискорювачів. Samsung також анонсувала zNAND-O — рішення на основі V-NAND, розроблене у чотири- та восьмишарових варіантах, яке поєднує високу ефективність використання простору з низькою затримкою для робочих навантажень периферійного ШІ в реальному часі.

Samsung анонсує V10 BV-NAND із понад 400 шарами та планом виробництва

Samsung анонсувала V10 BV-NAND — першу в галузі архітектуру Bonding V-NAND, створену завдяки новій технології з’єднання пластин. Пристрій, що містить понад 400 шарів, підвищує щільність пам’яті приблизно на 58 відсотків порівняно з попереднім поколінням V9, одночасно покращуючи продуктивність читання, запису та введення-виведення. Ця віха була досягнута через тринадцять років після того, як Samsung представила першу в галузі технологію V-NAND. Після початку масового виробництва HBM4 у лютому компанія почала постачати зразки HBM4E у травні та продемонструвала свою модель HBM5 на FMS 2026. Samsung представила LPDDR5X-PIM — першу в галузі малопотужну DDR-пам’ять із технологією обчислень у пам’яті, яка виконує обчислення безпосередньо в масиві пам’яті, щоб обмежити переміщення даних і споживання енергії. Для інфраструктури центрів обробки даних були представлені корпоративні рішення для зберігання даних PM1763 і BM1773. Samsung наголосила на своїй наскрізній стратегії turnkey, що передбачає інтегровані послуги з проєктування та виробництва, покликані скоротити цикли розробки й оптимізувати продуктивність для клієнтів у сфері напівпровідникових рішень для ШІ.

Поширені запитання

Що Samsung представила на FMS 2026?
Samsung представила своє портфоліо пам’яті для ШІ наступного покоління на конференції Future of Memory and Storage (FMS) 2026 у Санта-Кларі, штат Каліфорнія, продемонструвавши приблизно 30 технологій пам’яті та сховищ, зокрема zHBM, zNAND-O і V10 BV-NAND.

Які характеристики продуктивності технології zHBM від Samsung?
Samsung заявляє, що zHBM забезпечує приблизно у вісім разів вищу продуктивність порівняно з HBM5, більш ніж у десять разів вищу щільність пам’яті та втричі кращу енергоефективність, водночас зменшуючи тепловий опір більш ніж удвічі.

Скільки шарів має V10 BV-NAND від Samsung?
V10 BV-NAND від Samsung містить понад 400 шарів і підвищує щільність пам’яті приблизно на 58 відсотків порівняно з попереднім поколінням V9, одночасно покращуючи продуктивність читання, запису та введення-виведення.