Visão do Goldman: o mercado de armazenamento mostra mudanças estruturais, e a substituição parcial de DRAM por NAND para reduzir custos está se tornando uma tendência real

Mensagem da BlockBeats, em 16 de julho. O analista Citirni, Jukan, citou comentários do painel de memória na teleconferência mensal da Goldman Sachs. Os clientes reagiram com forte resistência ao aumento de preço do DRAM próximo de 30%; por isso, a expectativa de crescimento do preço do DRAM no 3º trimestre foi levemente reduzida. Ao mesmo tempo, a perspectiva para NAND ficou mais otimista: as necessidades de descarregamento de KV Cache relacionadas a IA continuam acima do esperado, somadas a uma tendência emergente de usar NAND no lugar de DRAM caro no mercado, o que sustenta ainda mais a demanda por NAND. O analista tem uma visão positiva sobre os resultados do 2º trimestre da SK hynix (SK 海力士) e espera receita de cerca de 85 trilhões de won sul-coreano, com margem bruta de até 63%. As ações relacionadas incluem SK hynix, Micron e SanDisk.

O comentário também revela mudanças estruturais no mercado de armazenamento. Antes, a explosiva demanda de servidores de IA por HBM impulsionou uma forte alta nos preços do DRAM, mas quando o aumento atingiu 30%, os clientes começaram a resistir a novos reajustes, com a inclinação do ritmo de alta enfrentando uma desaceleração em caráter temporário. Já a NAND está ganhando um novo papel na infraestrutura de IA: o KV Cache é crucial em cenários de inferência, e substituir parte do DRAM caro por NAND mais barato para reduzir custos está se tornando uma tendência prática. Essa diferenciação também indica que a rotação de capital dentro da cadeia do setor de armazenamento deve continuar; investidores devem ter mais cautela com as expectativas de lucros de curto prazo de papéis relacionados a DRAM, enquanto a melhora dos fundamentos na ponta da NAND talvez ainda não tenha sido totalmente precificada.