Após o NAND subir 70% em um único trimestre, a SK Hynix reinicia a segunda fase de Dalian, acelerando a competição com a Samsung Xi'an.

A SK Hynix planeja reativar a expansão da segunda fase da fábrica de Dalian, anteriormente suspensa, no segundo semestre de 2026, adicionando uma linha de produção V8 (238 camadas) de NAND. O projeto havia sido pausado devido ao mercado fraco de NAND e às restrições de exportação dos EUA. A retomada marca a conversão da recuperação histórica dos preços de NAND em capacidade produtiva real pela empresa.

De acordo com o News Tomato, a SK Hynix começará a instalar equipamentos de produção na segunda fase da fábrica de Dalian no segundo semestre deste ano, concluindo as instalações em etapas até o primeiro semestre de 2027. Parceiros nacionais já iniciaram a transferência de equipamentos NAND ociosos para Dalian, e fornecedores estrangeiros supostamente receberam pedidos de compra iniciais para a entrega de equipamentos.

O Sisa Journal divulgou mais detalhes sobre a capacidade: a segunda fase de Dalian adicionará uma nova linha de produção V8 (238 camadas), com meta de capacidade mensal de 30 mil a 50 mil wafers. Já a primeira fase da fábrica de Dalian está convertendo suas linhas para NAND de 192 camadas e substituindo equipamentos antigos.

A virada por trás da suspensão: de restrições de exportação para aprovação anual

A expansão da segunda fase de Dalian estava paralisada por dois motivos diretos: a incerteza das restrições dos EUA à exportação de equipamentos semicondutores para a China e o mercado persistentemente fraco de NAND.

No âmbito das restrições, uma variável-chave já mudou. De acordo com o News Tomato, os EUA substituíram o antigo sistema de "Usuário Final Verificado" (VEU) por um processo de aprovação anual para o transporte de equipamentos, aliviando a incerteza no fornecimento e dando à SK Hynix espaço operacional para retomar a expansão de Dalian.

O momento dessa mudança regulatória merece atenção. Nesse contexto, o mercado observa se a SK Hynix conseguirá aproveitar o boom de DRAM e HBM para liberar ainda mais o valor de sua aquisição do negócio de NAND da Intel por 11 trilhões de won (cerca de US$ 8 bilhões) por meio da expansão de Dalian. A reportagem destaca que a segunda fase de Dalian é considerada o local de expansão mais rápido entre as bases de produção de NAND da SK Hynix.

Contexto industrial para a linha V8: preços de NAND atingem pico histórico

A retomada da expansão não é coincidência. No primeiro trimestre de 2026, o preço médio de venda (ASP) de NAND da SK Hynix subiu mais de 70% em relação ao trimestre anterior, um recorde trimestral. As orientações da empresa para o segundo trimestre indicam que os embarques de NAND "mudarão de queda para alta", com recuperação sequencial. A melhora tanto no preço quanto no volume de embarques forneceu a base para a retomada do plano de gastos de capital anteriormente suspenso.

De acordo com dados do Korea Times, o investimento da SK Hynix em sua subsidiária de fabricação de NAND em Dalian em 2025 aumentou para 440,6 bilhões de won, alta de 52% ano a ano — mesmo antes da retomada oficial da segunda fase, os investimentos da empresa em NAND já estavam se acelerando.

Em termos de rota tecnológica, a SK Hynix já concluiu a validação de produção de sua memória flash 3D NAND de 375 camadas, com planos de produção em massa na fábrica M15 em Cheongju, Coreia do Sul, até o final do ano. A linha V8 (238 camadas) de Dalian forma um gradiente tecnológico com a anterior, atendendo a diferentes posicionamentos de mercado.

Concorrência se intensifica: fábrica da Samsung em Xi'an acelera paralelamente

A SK Hynix não é a única gigante de armazenamento expandindo capacidade de NAND na China. De acordo com o Sisa Journal, a Samsung Electronics também está acelerando a atualização de NAND em sua fábrica de Xi'an. A Samsung concluiu a conversão da linha de produção de V6 (128 camadas) para V8 (236 camadas) em 30 de março e agora está entrando em fase de produção em massa.

Os dados de investimento confirmam essa tendência. Segundo estimativas do Sisa Journal, o investimento da Samsung em sua fábrica de NAND em Xi'an em 2025 é de cerca de US$ 304 milhões, um aumento de aproximadamente 67,5% em relação ao ano anterior. A expansão simultânea da capacidade de NAND na China pelas duas gigantes coreanas de armazenamento sinaliza que a oferta global de NAND está saindo de um ciclo de contração para uma trajetória de expansão.

Em termos de cronograma, a produção em massa da V8 da Samsung em Xi'an já começou, enquanto a instalação de equipamentos da V8 na segunda fase de Dalian da SK Hynix está prevista para começar apenas no segundo semestre. Há uma diferença de vários trimestres no ritmo de liberação de capacidade real entre as duas.

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