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Intel considera arquitetura de energia dupla-face para processo de 1,4nm para competir com TSMC e Samsung

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Em 5 de julho, a Intel está considerando adotar uma arquitetura de energia dupla face que utiliza alimentação frontal e traseira em seu processo ultrafino de 1.4nm para alcançar os concorrentes. Fontes da indústria indicam que a Intel inicialmente planejou usar a tecnologia de alimentação traseira PowerDirect em seu processo base 14A em 1.4nm, mas agora está ponderando a introdução de uma arquitetura dupla face no processo subsequente 14A2. A Intel anunciou anteriormente planos de aumentar a densidade de chips em 1.3 vez no processo 14A em comparação com o processo 18A; o pitch M0 alvo para o processo 14A é de aproximadamente 28nm, enquanto o processo 14A2 pode avançar o pitch M0 para 21nm por meio de melhorias de meio nó. Mantendo uma rede de alimentação traseira como fonte principal, a Intel realocará algumas conexões metálicas frontais para fins auxiliares de energia e sinal de clock para compensar deficiências de margem de energia causadas por limitações de escala e exposição. O processo Intel 14A está programado para entrar em produção de risco em 2028 e produção em massa em 2029. A Intel precisa lançar a versão 0.9 do kit de design do processo 14A para clientes externos até outubro deste ano e garantir pedidos confirmados de grandes clientes fabless nos 18 meses seguintes. Em comparação, a TSMC planeja enviar produtos reais de 1.4nm A14 em 2028, enquanto a Samsung Electronics pretende comercializar um processo melhorado de 2nm SF2Z usando tecnologia de alimentação traseira em 2027.
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