A mídia sul-coreana noticiou que a CXMT (ChangXin Memory Technologies), da China, está testando uma linha piloto de DRAM de ligação em Hefei, com o objetivo de produzir DRAM de alto desempenho sem usar litografia EUV.

A chamada DRAM de ligação é uma tecnologia que fabrica a matriz de células de memória e os circuitos periféricos em pastilhas diferentes e, em seguida, une as duas pastilhas. Dessa forma, é possível produzir DRAM de altíssima densidade usando apenas litografia DUV com múltiplos padrões, eliminando a necessidade de equipamento EUV.
A Samsung Electronics está desenvolvendo sua própria DRAM de ligação no projeto "B1b", e a SK Hynix também está avançando com tecnologia similar. No entanto, a mídia sul-coreana alerta que há avaliações indicando que a CXMT pode já estar à frente de seus concorrentes sul-coreanos tanto na tecnologia em si quanto na velocidade de desenvolvimento.