A Intel está considerando adotar uma arquitetura de fornecimento de energia dupla-face no processo de 1,4 nm, para alcançar a TSMC e a Samsung.

BlockBeats notícia, em 5 de julho, a Intel está considerando adotar uma arquitetura que utiliza simultaneamente alimentação frontal e traseira no processo ultrafino de 1,4 nanômetro, para alcançar os concorrentes. Fontes do setor informam que a Intel planejava originalmente usar a tecnologia dedicada de alimentação traseira PowerDirect no processo básico de 1,4 nanômetro 14A, mas no processo subsequente 14A2, está considerando introduzir uma arquitetura Dual side que utiliza tanto a frente quanto a traseira.

A Intel havia anunciado anteriormente planos de aumentar a densidade de chips em 1,3 vezes no processo 14A em comparação com o 18A; o processo 14A visa um passo M0 de aproximadamente 28 nanômetros, enquanto o processo 14A2 pode, através de melhorias de meia-nó, avançar o passo M0 para 21 nanômetros. A Intel manterá a rede de alimentação traseira como principal, enquanto redistribuirá parte da fiação metálica frontal para funções auxiliares de energia e sinal de Clock, a fim de compensar a falta de margem de potência causada pela miniaturização e limitações de exposição.

O processo 14A da Intel está planejado para entrar em produção de risco em 2028 e em produção em massa em 2029. A Intel precisa lançar o kit de design de processo versão 0.9 do processo 14A para clientes externos em outubro deste ano, e obter pedidos firmes de grandes fabricantes sem fábrica nos 18 meses seguintes. Em comparação, a TSMC já planeja enviar produtos reais de 1,4 nanômetro A14 em 2028, e a Samsung Electronics também planeja comercializar o processo SF2Z de 2 nanômetros com tecnologia de alimentação traseira em 2027.