Samsung anuncia que taxa de rendimento HBM ultrapassou 70%! CTO Song Jae-hyeok diz que a DRAM de próxima geração irá superar e perseguir ferozmente a SK Hynix.

A gigante sul-coreana de semicondutores Samsung Electronics deu mais um passo na corrida pela memória de alta largura de banda (HBM). De acordo com uma reportagem exclusiva do jornal coreano Financial News, Song Jae-hyuk, CTO da divisão DS da Samsung Electronics, revelou durante uma reunião interna de gestão em 30 de junho que a taxa de rendimento dos testes de confiabilidade da 7ª geração HBM (HBM4E) já ultrapassou 70%, aproximando-se do limite de 80% considerado "maduro" pela indústria. (Notícia anterior: Wall Street enlouquece e grita "A Micron é a próxima Nvidia"! A escassez de memória para IA fez o valor de mercado da Micron superar brevemente o da Meta e da Tesla) (Contexto adicional: Samsung e SK Hynix recebem apoio de US$ 1,3 trilhão do governo sul-coreano! Analistas: IA é uma guerra de vida ou morte para os países)

Resumo dos pontos principais

• O CTO da Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, revelou que a taxa de rendimento dos testes de confiabilidade da 7ª geração HBM (HBM4E) atingiu mais de 70%, aproximando-se do limite de 80% considerado "rendimento maduro" pela indústria.
• A Samsung começou a produção em massa do HBM4 em fevereiro deste ano, divulgou as especificações do produto de 12 camadas do HBM4E no final de maio e enviou amostras; as vendas de HBM4 já ultrapassaram US$ 1,2 bilhão.
• O processo DRAM de próxima geração D1d (7ª geração de classe 10 nanômetros) está previsto para passar pela Aprovação de Preparação de Produção (PRA) em novembro e será usado no HBM5 e produtos posteriores.

A Samsung Electronics apresentou um número que chamou a atenção do público. De acordo com uma reportagem exclusiva do jornal financeiro coreano Financial News, o CTO da divisão DS da Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, confirmou durante uma reunião interna de gestão em 30 de junho que a taxa de rendimento dos testes de confiabilidade do HBM4E, a memória de alta largura de banda de 7ª geração que a empresa está desenvolvendo, já superou 70%, e o desenvolvimento praticamente já passou da fase final de aceleração.

A taxa de rendimento dos testes de confiabilidade do HBM4E já está acima de 70%, e o processo DRAM de 7ª geração de classe 10 nanômetros (D1d) obteve vantagem em relação aos concorrentes.

HBM4 está em produção há apenas 4 meses, e as vendas já ultrapassam US$ 1,2 bilhão

O ritmo da Samsung em HBM acelerou significativamente neste semestre. A empresa iniciou a produção em massa da 6ª geração HBM4 em fevereiro deste ano, divulgou as especificações técnicas do produto de 12 camadas do HBM4E no final de maio e enviou amostras para os principais clientes, sendo a primeira empresa do setor a enviar amostras de HBM4E. No final do mês, as vendas apenas de HBM4 da Samsung já haviam ultrapassado US$ 1,2 bilhão.

Para a Samsung, que ainda está na corrida, apresentar números reais de vendas é mais convincente do que qualquer slogan técnico. Quanto ao processo D1d de próxima geração, a Samsung planeja obter a Aprovação de Preparação de Produção (PRA) em novembro, e ele será aplicado ao HBM5 e produtos posteriores.

Os grandes pedidos da Nvidia ainda estão nas mãos da SK Hynix

Para entender por que a Samsung está tão ansiosa para divulgar os números de rendimento, é preciso primeiro compreender o negócio de HBM. HBM (High Bandwidth Memory) é uma memória de alta velocidade empilhada ao lado de aceleradores de IA. As GPUs da Nvidia dependem dela para alimentar dados rapidamente, sendo um dos componentes mais cobiçados e lucrativos neste superciclo de IA.

O problema é que este mercado é dominado há muito tempo pela SK Hynix. A SK Hynix detinha cerca de 70% de participação no fornecimento de HBM3E para a Nvidia; na geração HBM4, a que acompanha o acelerador de IA Vera Rubin de próxima geração da Nvidia, estimativas da cadeia de suprimentos indicam que a SK Hynix ainda detém cerca de 60% a 70%, a Samsung cerca de 25% a 30%, e a Micron completa o restante. A Samsung está se esforçando para aumentar o rendimento do HBM4E e acelerar as remessas de HBM4, basicamente para diminuir a distância para a SK Hynix e conquistar mais pedidos da Nvidia.

Perguntas frequentes

O que é HBM4E? O que significa o rendimento de 70% da Samsung?

HBM4E é a memória de alta largura de banda de 7ª geração (HBM), empilhada ao lado de aceleradores de IA para alimentar dados rapidamente para a GPU. Rendimento refere-se à proporção de produtos bons. O rendimento nos testes de confiabilidade do HBM4E da Samsung atingiu 70%, aproximando-se do limite de 80% considerado maduro pela indústria, indicando que a qualidade da produção em massa está se aproximando do nível para remessas em grande escala.

A Samsung alcançou a SK Hynix em HBM?

Ainda está correndo atrás. A SK Hynix domina há muito tempo o fornecimento de HBM para a Nvidia, tendo detido cerca de 70% de participação no HBM3E; na geração HBM4 (que acompanha o Vera Rubin da Nvidia), a Samsung detém cerca de 25% a 30%. A Samsung está aumentando o rendimento do HBM4E e acelerando as remessas de HBM4 justamente para diminuir a distância para a SK Hynix e conquistar mais pedidos da Nvidia.